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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符F型号页 > 首字符F的型号第430页 > FST16035
FST16035 - FST16050
A
N 4的地方
C
1
2
3
肖特基PowerMod
E
B
L
Q
R
P
F
G
J
M
D
K
1
2
3
共阴极
暗淡。英寸
马克斯。
分钟。
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
Q
R
1.995
0.300
0.495
0.182
0.990
2.390
1.500
0.120
---
0.240
0.490
0.330
0.175
0.035
0.445
0.890
2.005
0.325
0.505
0.192
1.010
2.410
1.525
0.130
0.400
0.260
0.510
0.350
0.195
0.045
0.455
0.910
1
2
3
A =共阳极
H
1
2
3
D =倍增
注意事项:
底板:镀镍铜;
电气隔离
引脚:镀镍铜
50.67
7.62
12.57
4.62
25.15
60.71
38.10
3.05
---
6.10
12.45
8.38
4.45
0.89
11.30
22.61
MILLIMETERS
分钟。
马克斯。笔记
50.93
8.26
12.83
4.88
DIA 。
25.65
61.21
38.70
3.30
10.16
6.60铅
L
12.95
6.90
DIA 。
4.95
1.14
11.56
23.11
TO-249
肖特基势垒整流器
保护环,反接保护
V RRM - 35 50伏特
高浪涌能力
反向能量测试
符合RoHS
工作峰值
Microsemi的
目录编号反向电压
FST16035*
FST16040*
FST16045*
FST16050*
35V
40V
45V
50V
重复峰值
反向电压
35V
40V
45V
50V
*添加的后缀为共阳极,D为倍增
电气特性
IF ( AV ) 160安培
每包平均正向电流
IF ( AV ) 80安培
每站平均正向电流
IFSM
1200安培
每站最大浪涌电流
我( OV ) 2安培
每腿R最大反向重复峰值电流
VFM
0.58伏特
每站最大峰值正向电压
VFM
0.74伏特
每站最大峰值正向电压
IRM
30毫安
最大峰值反向每个支路电流
IRM
2毫安
最大峰值反向每个支路电流
C
每腿典型结电容
2300 pF的
J
TC = 115 ° C,方波,R 0JC = 0.5 ° C / W
TC = 115 ° C,方波,R 0JC = 1.0 ° C / W
8.3毫秒,半正弦T J = 175℃
F = 1 kHz时, 25 ° C, 1微秒的方波
我FM = 80A : T J = 175 ° C *
我FM = 80A : T J = 25 ° C *
VRRM , T J = 125 ° C *
VRRM , T J = 25°C
VR = 5.0V , T J = 25°C
*脉冲测试:脉冲宽度300μsec ,占空比2 %
热和机械特性
储存温度范围
工作结点温度范围
每站最大热电阻
每个的pkg最大热阻。
典型热阻(脂)
安装力矩
重量
T英镑
TJ
OJC
OJC
OCS
-55°C至175℃
-55°C至175℃
1.0°C/W
结到外壳
0.5°C/W
结到外壳
0.1°C/W
案例下沉
15 - 20英寸磅
2.5盎司( 71克)典型
www.Microsemi.com
2010年1月 - 第3版
FST16035 - FST16050
图1
典型的正向特性 - 每腿
1000
800
600
400
结电容 - pF的
175 C
25 C
科幻gure 3
典型结电容 - 每腿
10000
6000
4000
2000
1000
600
400
200
100
0.1
200
100
80
60
40
瞬时正向电流 - 安培
0.5
1.0
5.0
10
50
100
反向电压 - 伏特
图4
正向电流降额 - 每腿
175
165
155
145
135
125
115
105
0
60
15
30
45
90 120 180
60
75
90
DC
105 120 135 150
20
10
8.0
6.0
4.0
2.0
1.0
0
.2
.4
.6
.8
1.0
1.2
1.4
正向电压 - 伏特
最大允许外壳温度 - C
最大功率耗散 - 瓦
平均正向电流 - 安培
图5
最大正向功耗 - 每腿
70
60
50
90
40
30
20
10
0
0
15
30
45
60
75
90
105 120 135 150
60
120
180
DC
图2
典型的反向特性 - 每腿
100
典型的反向电流 - 毫安
175 C
10
1.0 125 C
0.1
75 C
.01
.001
25 C
0
10
20
30
40
50
反向电压 - 伏特
平均正向电流 - 安培
www.Microsemi.com
2010年1月 - 第3版
TRANSYS
电子
L I M I T E
FST16020
THRU
FST160100
肖特基二极管模块式160A
特点
高浪涌能力
种类多达100V V
RRM
160Amp整流器
20-100伏
电源国防部
TO-249AB
A
N
最大额定值
工作温度: -40°C至+ 125
存储温度: -40°C至+175
产品型号
最大
复发
反向峰值
电压
20V
30V
35V
40V
45V
60V
80V
100V
最大直流
闭塞
电压
20V
30V
35V
40V
45V
60V
80V
100V
C
E
1
2
3
最大
RMS电压
14V
21V
25V
28V
32V
42V
56V
70V
FST16020
FST16030
FST16035
FST16040
FST16045
FST16060
FST16080
FST160100
L
M
B
R
Q
D
F
P
G
J
K
H
电气特性@ 25
平均正向
(每包)
当前
峰值正向浪涌
(每站)
当前
最大
(每站)
瞬时
注(1)
正向电压
注(1)
最大
瞬时
反向电流
额定DC阻断
电压
(每站)
I
F( AV )
I
FSM
V
F
除非另有说明
160A
1200A
0.65V
0.75V
0.84V
T
C
=115
8.3ms的,半正弦
(FST16020~FST16045)
(FST16060)
(FST16080~FST160100)
I
FM
= 80A ;牛逼
j
= 25
销1
PIN 2和板
销2
尺寸
英寸
最大
1.995
2.005
.300
.325
.495
.505
.192
.182
.990
1.010
2.410
2.390
1.495
1.525
.114
.122
0.420
-----
.240
.260
.510
.490
.350
.330
.175
.195
.035
.045
.445
.455
.890
.910
MM
50.67
7.62
12.57
4.62
25.15
60.71
37.90
2.90
-----
6.10
12.45
8.38
4.45
0.89
11.30
22.61
最大
50.93
8.26
12.83
4.88
26.65
61.21
38.70
3.10
10.67
6.60
12.95
8.90
4.95
1.14
11.56
23.11
I
R
2毫安
200毫安
T
J
= 25
T
J
= 125
最大热
电阻结
(每站)
到案
JC
1.0
C / W
注意:
(1)
脉冲测试:脉冲宽度300微秒,占空比
& LT ;
2%
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
Q
FST16020 THRU FST160100
图0.1 - 典型正向特性
120
平均正向整流电流 - 安培
图0.2转发降额曲线
1000
100
我nStantaneous正向电流
- 安培
每腿
放s
600
400
200
100
60
40
20
10
6.0
4.0
2.0
1.0
FST16020~
FST16040
T =25
J
每腿
80
放s
60
40
FST16060
20
单相半波
60Hz的阻性或感性负载
0
30
60
90
120
150
180
FST16080~
FST16010
0
特mperature -
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1000
600
400
200
图0.4 - 典型的反向特性
正向电压 - 伏特
TJ = 150℃
瞬时反向
泄漏
电流 - 穆勒
A
mperes
100
60
40
20
10
TJ = 125℃
1200
图.3-峰值正向浪涌电流
8.3ms单半
正弦波
JEDEC的方法T = 25
J
峰值正向浪涌电流-Amperes
每腿
安培
1000
800
600
400
200
0
m
安培
6
4
2
1
.6
.4
.2
.1
.06
.04
.02
T =25
J
T =75
J
1
2
4
6
8 10 20
周期
40
60 80 100
周期在60Hz数 - 周期
.01
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
反向电压 - 伏特
MCC
特点
?????????? ?????? omponents
21201 Itasca的街查茨沃斯

???? ?????? ? ! ?? " # ???
$ % ? ? ? ???? ? ! ?? " # ???
FST16020
THRU
FST160100
160
AMP
肖特基势垒
整流器器
20
100伏
powerMod
A
N
siliconrectifier金属, majonty载体conducton
保护环的瞬态保护
低功耗高效率
高浪涌能力,高电流能力
最大额定值
工作温度: -65 ° C至+ 150°C
存储温度: -65 ° C至+ 150°C
最大
复发
反向峰值
电压
20V
30V
35V
40V
45V
60V
80V
100V
最大直流
闭塞
电压
20V
30V
35V
40V
45V
60V
80V
100V
MCC
产品型号
FST16020
FST16030
FST16035
FST16040
FST16045
FST16060
FST16080
FST160100
最大
RMS电压
14V
21V
24.5V
28V
31.5V
42V
56V
70V
C
E
B
M
Q
R
P
F
G
J
K
D
L
电气特性@ 25 ° C除非另有说明
平均正向
当前
峰值正向浪涌
当前
最大
瞬时
正向电压
FST16020-16045
FST16060
FST16080-160100
最大直流
反向电流
额定DC阻断
电压
典型结
电容
I
F( AV )
I
FSM
160
A
1200A
T
A
=
115°C
8.3ms的,半正弦
I
FM
=
80.0A;
T
A
= 25°C
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
Q
R
H
尺寸
ES
1.995
.330
.495
.182
.990
1.490
1.500
.120
------
.240
.490
.330
.175
.035
.445
.890
MM
50.67
7.62
12.57
4.62
25.12
37.85
38.10
3.05
------
6.10
12.45
8.38
4.45
0.89
11.30
22.61
V
F
.63 V
.75 V
.84 V
I
R
2
mA
T
A
= 25°C
最大
2.005
.325
.505
.192
1.010
1.510
1.525
.130
.400
.260
.510
.350
.195
.045
.455
.910
最大
50.93
8.26
12.83
4.88
26.65
38.35
38.70
3.30
10.16
6.60
12.95
6.90
4.95
1.14
11.56
23.11
C
J
400pF
在测
1.0MHz的,V
R
=4.0V
*脉冲测试:脉冲宽度300μsec ,占空比1 %
www.mccsemi.com
FST16020
THRU
FST160100
图1
典型的正向特性
200
100
60
40
140
20
25°C
AMPS 10
6
4
2
1
.6
.4
.2
.1
0.6
0.8
1.0
1.4
瞬时正向电流 - 安培
正向电压 - 伏特
1.8
2.0
0
40
安培
80
120
160
MCC
图2
远期降额曲线
100
单相半波
60Hz的阻性或感性负载
0
50
70
90
°C
110
130
150
平均正向整流电流 - 安培
环境温度 -
°C
科幻gure 3
结电容
1000
600
400
200
pF
T
J
=25°C
100
60
40
20
10
.1
.2
.4
1
2
4
10
20
40
100
200
400
1000
结电容 - pF的
反向电压 - 伏特
www.mccsemi.com
FST16020
THRU
FST160100
图4
典型的反向特性
1000
600
400
1000
200
100
60
40
20
毫安
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
.6
.4
.2
.1
10
20
T
A
=25°C
40
60
瞬时反向漏电流 - 微安
%的额定峰值反向电压 - 伏特
80
100
120
T
A
=125°C
0
1
2
4
安培
800
600
400
200
MCC
科幻gure
5
峰值正向浪涌电流
1200
6
8 10 20
周期
40
60 80 100
峰值正向浪涌电流 - 安培
周期在60Hz数 - 周期
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    FST16035
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
FST16035
√ 欧美㊣品
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地址:北京市海淀区增光路27号院
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GeneSiC Semiconductor
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10000
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联系人:刘经理
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联系人:朱
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GeneSiC Semiconductor
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