FST10030 - FST10045
A
N 4的地方
C
1
2
3
肖特基PowerMod
E
B
L
Q
R
P
F
G
J
M
D
K
1
2
3
共阴极
暗淡。英寸
马克斯。
分钟。
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
Q
R
1.995
0.300
0.495
0.182
0.990
2.390
1.500
0.120
---
0.240
0.490
0.330
0.175
0.035
0.445
0.890
2.005
0.325
0.505
0.192
1.010
2.410
1.525
0.130
0.400
0.260
0.510
0.350
0.195
0.045
0.455
0.910
1
2
3
A =共阳极
H
1
2
3
D =倍增
注意事项:
底板:镀镍铜;
电气隔离
引脚:镀镍铜
50.67
7.62
12.57
4.62
25.15
60.71
38.10
3.05
---
6.10
12.45
8.38
4.45
0.89
11.30
22.61
MILLIMETERS
分钟。
马克斯。笔记
50.93
8.26
12.83
4.88
DIA 。
25.65
61.21
38.70
3.30
10.16
6.60铅
L
12.95
6.90
DIA 。
4.95
1.14
11.56
23.11
TO-249
肖特基势垒整流器
保护环,反接保护
低正向电压
V RRM 30 45伏特
电气隔离基地
反向能量测试
中心抽头
符合RoHS
Microsemi的
目录编号
FST10030*
FST10035*
FST10040*
FST10045*
工作峰值
反向电压
30V
35V
40V
45V
重复峰值
反向电压
30V
35V
40V
45V
*添加一个后缀为共阳极,D为倍增
电气特性
IF ( AV ) 100安培
每包平均正向电流
IF ( AV ) 50安培
每站平均正向电流
IFSM
每站最大浪涌电流
千安培
每腿我最大反向重复峰值电流
R( OV ) 2安培
VFM
0.48伏特
每站最大峰值正向电压
VFM
0.53伏特
每站最大峰值正向电压
I
最大峰值反向每个支路电流
RM
600毫安
I
最大峰值反向每个支路电流
RM
2毫安
C
每腿典型结电容
2700 pF的
J
TC = 85°C ,方波,R 0JC = 0.5 ° C / W
TC = 85°C ,方波,R 0JC = 1.0 ° C / W
8.3毫秒,半正弦T J = 175℃
F = 1 kHz时, 25 ° C, 1微秒的方波
我FM = 50A : T J = 125 ° C *
我FM = 50A : T J = 25 ° C *
VRRM , T J = 125 ° C *
VRRM , T J = 25°C
VR = 5.0V , T J = 25°C
*脉冲测试:脉冲宽度300μsec ,占空比2 %
热和机械特性
储存温度范围
工作结点温度范围
每站最大热阻
每个的pkg最大热阻。
典型热阻(脂)
安装力矩
重量
T英镑
TJ
OJC
OJC
OCS
-55°C至175℃
-55 ° C至125°C
1.0°C/W
结到外壳
0.5°C/W
结到外壳
案例下沉
0.1°C/W
15-20英寸磅
2.5盎司( 71克)典型
www.Microsemi.com
2010年1月 - 第2版
MCC
特点
?????????? ?????? omponents
21201 Itasca的街查茨沃斯
???? ?????? ? ! ?? " # ???
$ % ? ? ? ???? ? ! ?? " # ???
FST10020
THRU
FST100100
100
AMP
肖特基势垒
整流器器
20
100伏
powerMod
A
N
siliconrectifier金属, majonty载体conducton
保护环的瞬态保护
低功耗高效率
高浪涌能力,高电流能力
最大额定值
工作温度: -65 ° C至+ 150°C
存储温度: -65 ° C至+ 150°C
最大
复发
反向峰值
电压
20V
30V
35V
40V
45V
60V
80V
100V
最大直流
闭塞
电压
20V
30V
35V
40V
45V
60V
80V
100V
MCC
产品型号
FST10020
FST10030
FST10035
FST10040
FST10045
FST10060
FST10080
FST110100
最大
RMS电压
14V
21V
24.5V
28V
31.5V
42V
56V
70V
C
E
B
M
Q
R
P
F
G
J
K
D
L
电气特性@ 25 ° C除非另有说明
平均正向
当前
峰值正向浪涌
当前
最大
瞬时
正向电压
FST10020-10045
FST10060
FST10080-100100
最大直流
反向电流
额定DC阻断
电压
典型结
电容
I
F( AV )
I
FSM
100
A
1000A
T
A
=
85°C
8.3ms的,半正弦
I
FM
=
50.0A;
T
A
= 25°C
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
P
P
H
尺寸
寸
ES
民
1.995
.330
.495
.182
.990
1.490
1.500
.120
------
.240
.490
.330
.175
.035
.445
.890
MM
民
50.67
7.62
12.57
4.62
25.12
37.85
38.10
3.05
------
6.10
12.45
8.38
4.45
0.89
11.30
22.61
V
F
.63 V
.75 V
.84 V
I
R
2
mA
T
A
= 25°C
最大
2.005
.325
.505
.192
1.010
1.510
1.525
.130
.400
.260
.510
.350
.195
.045
.455
.910
最大
50.93
8.26
12.83
4.88
26.65
38.35
38.70
3.30
10.16
6.60
12.95
6.90
4.95
1.14
11.56
23.11
记
C
J
300pF
在测
1.0MHz的,V
R
=4.0V
*脉冲测试:脉冲宽度300μsec ,占空比1 %
www.mccsemi.com