订购数量： ENA0267
FSS264
N沟道MOSFET硅
FSS264
特点
通用开关设备
应用
低导通电阻。
4V的驱动器。
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
漏电流（ DC ）
漏电流（ PW≤10s ）
漏电流（ PW≤10μs ）
允许功耗
通道温度
储存温度
符号
VDSS
VGSS
ID
ID
IDP
PD
总胆固醇
TSTG
占空比= 1 ％
占空比= 1 ％
安装在陶瓷板（ 1200毫米
2
!0.8mm)
PW≤10s
条件
评级
100
±20
4
5
16
2.4
150
--55到150
单位
V
V
A
A
A
W
°C
°C
电气特性
在TA = 25℃
参数
漏极至源极击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
截止电压
正向转移导纳
静态漏 - 源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
符号
V（ BR ） DSS
IDSS
IGSS
VGS （关闭）
YFS
RDS(on)1
RDS(on)2
西塞
科斯
CRSS
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
条件
ID = 1mA时， VGS = 0V
VDS = 100V ， VGS = 0V
VGS = ± 16V ， VDS = 0V
VDS = 10V ，ID = 1毫安
VDS = 10V ，ID = 2A
ID = 2A ， VGS = 10V
ID = 2A ， VGS = 4V
VDS = 20V ， F = 1MHz的
VDS = 20V ， F = 1MHz的
VDS = 20V ， F = 1MHz的
请参阅特定网络版测试电路
请参阅特定网络版测试电路
请参阅特定网络版测试电路
请参阅特定网络版测试电路
评级
民
100
1
±10
1.2
3.0
5.5
65
80
1560
130
83
16
25
155
66
85
112
2.6
典型值
最大
单位
V
A
A
V
S
m
m
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
标记： S264
接下页。
描述或此处包含的任何及所有SANYO产品没有特定网络连接的阳离子，能够处理
适用于要求极高的可靠性，如生命支持系统，飞机的
控制系统或其他应用程序的故障可合理预期会导致严重的
物理和/或财产损失。使用前，用您的SANYO代表咨询离您最近的
描述或在此类应用中所包含的所有三洋的产品。
三洋承担所造成的产品使用AT值的设备故障不承担责任的原则
超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或其他
在产品规格中列出的所有参数）和所有SANYO产品描述或包含
在本文中。
三洋电机有限公司。半导体公司
东京办事处东京大厦。 ， 1-10 ， 1丁目，上野，台东区，东京， 110-8534 JAPAN
D2005PA MS IM TB- 00001963号A0267-1 / 4
FSS264
从接下页。
参数
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏“米勒”充电
二极管的正向电压
符号
Qg
QGS
QGD
VSD
条件
VDS = 50V ，V GS = 10V ，ID = 4A
VDS = 50V ，V GS = 10V ，ID = 4A
VDS = 50V ，V GS = 10V ，ID = 4A
IS = 4A ， VGS = 0V
评级
民
典型值
34
5.5
6
0.81
1.2
最大
单位
nC
nC
nC
V
包装尺寸
单位：mm
7005-002
8
5
开关时间测试电路
VDD=50V
10V
0V
6.0
VIN
ID=2A
RL=25
VIN
0.3
4.4
D
G
PW=10s
D.C.≤1%
VOUT
1
4
0.43
0.2
5.0
1 ：源
2 ：源
3 ：源
4 ：门
5 ：排水
6 ：排水
7 ：漏
8 ：排水
三洋： SOP8
P.G
50
0.595
1.27
0.1
1.5
1.8最大
S
FSS264
8.0V
4.0
3.5
3.0
ID - VDS
6.0V
3.0V
8
ID - VGS
VDS=10V
7
6
5
4
3
2
1
0
漏极电流ID -
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0
漏极电流ID -
10.0V
4.0V
Ta=7
5
°
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
C
--25
°
C
3.0
VGS=2.5V
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
25
°
C
3.5
IT10021
漏极至源极电压VDS - V
200
IT10020
200
RDS （ ON） - VGS
栅极 - 源极电压VGS - V
RDS （ ON） - TA
静态漏 - 源
通态电阻， RDS （ ON） - 毫欧
150
静态漏 - 源
通态电阻， RDS （ ON） - 毫欧
Ta=25°C
ID=2A
150
100
100
50
50
=2A
， ID
=4V
GS
V
=2A
， ID
10V
S=
VG
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0
--60
--40
--20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
栅极 - 源极电压VGS - V
IT10022
环境温度，钽 -
°C
IT10023
第A0267-2 / 4
FSS264
注意使用情况：由于FSS264是MOSFET产品，请避免在附近使用本设备
高电荷的物体。
任何说明和所有SANYO产品描述或包含此规定的性能，
特点，以及在独立国家所描述的产品功能，并且不保证
的性能，特点，以及所述的产品用作安装在客户的
产品或设备。要验证的症状和状态，不能在一个独立的装置来评估，
客户应始终评估和测试设备安装在客户的产品或设备。
三洋电机有限公司努力为客户提供高品质高可靠性的产品。然而，任何和所有
半导体产品都有一定的失效概率。这是可能的，这些概率的故障可能
事故或事件，危及人的生命，这可能导致冒烟或起火引起，
或可能造成损害的其他财产。在设计设备，采用安全的措施，
确保不发生此类事故或事件。这些措施包括但不限于保护性
电路，电路错误预防安全设计，多余的设计和结构设计。
在任何或所有SANYO产品（包括技术参数和服务）的事件或描述
此处包含的是在任何当地出口管制法律和法规控制，
这样的产品在没有从当局取得出口许可证出口
有关在按照上述规律。
本出版物的任何部分进行复制或以任何形式或通过任何手段，电子或
机械，包括影印和记录，或任何信息存储或检索系统，
或以其他方式，而不三洋电机有限公司的事先书面许可，
任何与描述或此处包含的所有信息可能未经通知而发生变化
产品/技术的提高，等等。当设计产品时，请参考"Delivery Specification"
为SANYO产品，你打算使用。
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PS第A0267-4 / 4
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