FSQ110 - 绿色模式飞兆功率开关（ FPS ）
2007年11月
FSQ110
绿色模式飞兆功率开关（ FPS ）
特点
内部雪崩坚固的650V的SenseFET
功耗仅为0.65W ，在230 V
AC
& 0.3W负载与
突发模式操作
精密固定工作频率： 100kHz的
内置启动电路和内置软启动
脉冲逐个脉冲电流限制和自动重启
模式
过电压保护（ OVP ） ，过载保护
（ OLP ） ，内部热关断功能（ TSD ）
欠压锁定（UVLO ）
低工作电流： 3毫安
可调节的峰值电流限制
描述
该FSQ110由集成电流模式的，
脉宽调制器（ PWM ）和抗雪崩
650V的SenseFET 。它特别适用于高设计
高性能离线开关模式电源
（ SMPS）使用最少的外部元件。
集成PWM控制器功能包括：固定
频率产生振荡器，欠压锁定
（ UVLO ）保护，前沿消隐（ LEB ） ，一
优化的栅极导通/关断驱动器，热
关断（ TSD ）保护，和温度
补偿精密电流源回路
补偿和故障保护电路。
相比分立式MOSFET和控制器或RCC
开关转换器的解决方案， FSQ110降低总
元件数量，设计尺寸和重量，同时
提高效率，生产率和系统的可靠性。
这些器件提供了一个基础平台，非常适合
用于具有成本效益的反激式转换器的设计。
应用
SMPS机顶盒，低成本DVD
相关应用笔记
AN- 4134 ：用于离线正向设计指南
转换器采用飞兆功率开关（ FPS ）
AN- 4137 ：用于离线反激式设计指南
转换器采用飞兆功率开关（ FPS ）
AN- 4141 ：故障排除和设计技巧
飞兆功率开关（ FPS ）反激应用
AN- 4147 ：用于RCD缓冲设计指南
反激式
8-DIP
订购信息
产品编号
FSQ110
包
8DIP
标识代码
Q110
BV
DSS
650V
f
OSC
100kHz
R
DS （ ON） （MAX 。 ）
19Ω
所有的包都是根据JEDEC无铅： J- STD- 020B标准。
FPS
TM
是仙童半导体公司的商标。
2007仙童半导体公司
FSQ110版本1.0.0
www.fairchildsemi.com
FSQ110 - 绿色模式飞兆功率开关（ FPS ）
应用框图
AC
IN
DC
OUT
V
STR
I
PK
PWM
FB
漏
V
CC
GND
FSQ0x70RNA牧师1.01
图1.典型的反激式应用
输出功率表
(1)
产品
FSQ110
230V
AC
±15%
(2)
适配器
(3)
11W
85–265V
AC
适配器
(3)
8W
开放式框架
(4)
17W
开放式框架
(4)
12W
注意事项：
1.最大输出功率可以通过结点温度的限制。
2. 230 V
AC
或100/115 V
AC
与倍增。
3.典型的连续输出功率是在无风冷密闭适配器中有足够的排水模式作为散热器，在50C
环境。
4.最大的实际持续输出功率是在开放式框架设计，有足够的排水模式作为散热器，在50C
环境。
内部框图
V
CC
2
I
CH
V
STR
5
漏
6,7,8
8V/12V
V
树榴
/V
BURH
V
CC
I
延迟
V
CC
OSC
I
FB
正常
2.5R
BURST
R
PWM
V
CC
良好
V
REF
国内
BIAS
FB 3
I
PK
4
S
R
Q
Q
LEB
门
司机
V
SD
V
CC
S
V
OVP
V
CC
良好
TSD
R
Q
软启动
FSQ110 1.00版
Q
1
GND
图2.内部框图
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2
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引脚配置
GND
V
CC
8-DIP
FB
I
PK
FSQ110
D
D
D
V
STR
图3.引脚CON组fi guration （顶视图）
引脚德网络nitions
针＃
1
名字
GND
描述
地面上。
一次侧和内部控制地面值SenseFET源端。
电源。
正电源电压输入。虽然连接到辅助变压器
原绕组，电流从引脚提供5 （V
STR
）通过在起动时的内部开关
（参见图2） 。它不是直至V
CC
达到UVLO阈值上限（ 12V）的接口
NAL启动开关打开，设备电源通过变压器辅助绕组提供
ING 。
反馈。
反馈电压引脚非反相输入到PWM比较器。
它有一个0.9毫安电流源内部连接，而电容和光耦
通常连接到外部。 6V的反馈电压触发过载保护
（OLP） 。一时间延迟，而充电外部电容C
FB
从3V使用内部至6V
5μA电流源的延迟防止虚假瞬态条件下触发，但仍AL-
低点的保护机制，以真正的过载条件下工作。
峰值电流限制。
该引脚调整值SenseFET的峰值电流限制。该0.9毫安
反馈电流源被转移到一个内部2.8kΩ的并联电阻
器与任何外部电阻到GND该引脚上。这决定了峰值电流限制。
如果此引脚连接到V
CC
或悬空，典型的峰值电流限制为0.7A 。
启动。
该引脚连接到整流的AC线路电压源。在启动时，内部
交换机提供内部偏置和收费的外部存储电容器之间放置
在V
CC
引脚和地。一旦V
CC
达到12V时，内部开关被打开。
值SenseFET排水。
高压电源值SenseFET的漏极连接。
值SenseFET排水。
高压电源值SenseFET的漏极连接。
值SenseFET排水。
高压电源值SenseFET的漏极连接。
2
V
CC
3
FB
4
I
PK
5
6
7
8
V
STR
D
D
D
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绝对最大额定值
应力超过绝对最大额定值可能会损坏设备。该设备可能不能正常运行或
操作上面推荐的工作条件，并强调部分这些级别是不推荐的。在
此外，过度暴露在高于推荐的工作条件下，会影响器件的可靠性。
绝对最大额定值仅为应力额定值。牛逼
A
= 25 ° C，除非另有规定ED 。
符号
V
漏
V
STR
I
DM
E
AS
V
CC
V
FB
P
D
T
J
T
A
T
英镑
漏极引脚电压
VSTR引脚电压
特征
价值
650
650
1.5
10
20
-0.3到V
CC
1.40
内部限制
-25至+85
-55到+150
单位
V
V
A
mJ
V
V
W
°C
°C
°C
漏电流脉冲
(5)
单脉冲雪崩能量
(6)
电源电压
反馈电压范围
总功耗
工作结温
工作环境温度
储存温度
注意事项：
5.重复评价：脉冲宽度由最大结温的限制。
6， L = 24mH ，起始物为
J
= 25°C.
热阻抗
T
A
= 25C ，除非另有规定。所有项目都经过测试的标准JESD 51-2和51-10 （ DIP ） 。
符号
θ
JA
θ
JC
参数
结至环境热阻
(7)
结到外壳热阻
(8)
价值
88.84
13.94
单位
° C / W
° C / W
注意事项：
7.免费常设散热片;没有覆铜板。
（测量条件 - 就在结温度T
J
进入OTP ）。
8.测量漏极引脚靠近塑料。
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电气特性
T
A
= 25 ° C除非另有规定ED 。
符号
SENSEFET节
(10)
参数
条件
V
DS
=最大。等级
V
GS
= 0V
V
DS
= 0.8最大。等级
V
GS
= 0V ，T
C
= 125°C
V
GS
= 10V ，我
D
= 0.5A
V
GS
= 0V, V
DS
= 25V,
F = 1MHz的
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
25
μA
200
14
162
18
3.8
9.5
19
33
42
92
100
±5
55
11
7
0.7
60
12
8
0.9
10
0.5
0.6
0.4
200
0.70
600
125
5.5
18
140
6.0
19
5.0
6.5
20
6.5
0.7
0.5
300
0.80
108
±10
65
13
9
1.1
千赫
%
%
V
mA
ms
V
V
mV
A
ns
°C
V
V
μA
ns
3
0.85
5
1.00
mA
mA
pF
19
Ω
I
DSS
零栅极电压漏电流
R
DS （ ON）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
f
OSC
Δf
OSC
D
最大
V
开始
V
停止
I
FB
t
S/S
V
BURH
V
树榴
V
BUR （ HYS ）
漏源导通电阻
(11)
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
开关频率
开关频率变化
(10)
最大占空比
UVLO阈值电压
反馈源电流
内部软启动时间
(10)
V
DS
= 325V ，我
D
= 1A
ns
控制部分
-25°C
≤
T
A
≤
85°C
测定0.1× V
DS
V
FB
= GND
V
FB
= GND
V
FB
= GND
V
FB
= 4V
突发模式科
突发模式电压
T
J
=
25°C
0.3
100
峰值电流限制
限流延迟时间
(10)
热关断温度
(10)
关机反馈电压
过电压保护
关机延迟电流
前沿消隐时间
(10)
工作电源电流（仅控制部分）
启动时的充电电流
V
CC
= 14V
V
CC
= 0V
V
FB
= 4V
的di / dt = 170毫安/微秒
0.60
保护科
I
LIM
t
CLD
T
SD
V
SD
V
OVP
I
延迟
t
LEB
I
OP
I
CH
3.5
200
1
0.70
设备总段
V
STR
电源电压
V
CC
= 0V
24
V
V
STR
注意事项：
10.这些参数，虽然保证的，是不是100％在生产测试。
11.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2%.
现有产品的12的ESD级别可以应用于FSQ110 ，因为它具有相同的ESD保护电路。
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5
QQ：2881677436 复制
