300MA高PSRR低压差CMOS线性稳压器
FSP2132
应用信息
电容的选择和调节器的稳定性
类似于任何低压差调节器，与FSP2132使用的外部电容器必须小心地选择用于
调节器的稳定性和性能。
使用一个电容C
IN
，其值\u003e 1μF在FSP2132输入引脚，电容的量可以是
增加无极限。请注意， C之间的距离
IN
和FSP2132输入引脚不应该
超过0.5英寸。陶瓷电容器适用于FSP2132 。电容器具有更大的价值和更低的ESR
提供更好的PSRR和线路瞬态响应。
该FSP2132是专门设计的低ESR陶瓷输出电容器工作，从而节省空间和
提高性能。使用一个输出陶瓷电容器，其值
＞2.2μF
与ESR \u003e 5mΩ的保证稳定性。
一个10nF的旁路电容连接到BYP引脚，建议以抑制输出噪声。电容器，串联
具有内部200kΩ的电阻连接，形成了一个低通滤波器，用于降低噪声。增大电容将
略有减少输出噪声，但增加了启动时间。
负载瞬态注意事项
在图11显示的FSP2132负载瞬态响应。它显示了两个组件的输出响应：直流偏移
从输出阻抗由于负载电流变化和瞬态响应。直流偏移的原因是相当小
该FSP2132优秀的负载调整率。瞬时尖峰，从负载电流中的阶跃变化，从所得
1毫安300mA的电流，为20mV 。输出电容器的ESR是瞬时尖峰的关键。更大的电容沿
具有较小的ESR导致较小的尖峰。
关断输入操作
该FSP2132是关机通过将EN输入低电平，并通过捆绑的EN输入VIN或离开开启
EN输入浮动。
内部P沟道MOSFET
该FSP2132设有一个0.75Ω的P沟道MOSFET器件的导通晶体管。 P型MOS晶体管通
使FSP2132消耗仅65μA的地电流的低压差，轻载或重载时
操作。此功能提高了电池的工作寿命时间。
输入输出电压差
监管机构的最低压差电压决定了最低可用电源电压。该FSP2132具有典型
300mV的压差电压。在电池供电系统，这将决定报废的有用的电池电压。
电流限制和短路保护
该FSP2132有电流限制，该监视和控制的传输晶体管的栅极电压。输出
电流可通过调节栅极电压被限制400mA的电流。该FSP2132也有一个内置的短路电流
极限。
散热注意事项
热保护的FSP2132限制功耗。当结温超过150 ℃时，
OTP （过温保护），启动热关断和开启旁路晶体管关闭。通
晶体管恢复操作后，结温低于120 ℃ 。
对于连续操作，结温度应保持低于125 ℃ 。功耗是
定义为：
P
D
=(V
IN
-V
OUT
)*I
O
+V
IN
*I
GND
最大功耗取决于IC封装， PCB布局，速度的热阻
周围的结点和环境之间的气流和温度的差异。最大功率耗散能
来计算由下列公式计算：
P
D（最大）
=(T
J（下最大）
-T
A
)/θ
JA
其中T
J（下最大）
是最大允许结温125 ℃ 。牛逼
A
是在环境温度和
θ
JA
为
从结点到环境的热阻。
例如，
θ
JA
为250 ℃ / W为SOT23-5L封装，基于标准的JEDEC 51-3为单层
热测试板。在T最大功率耗散
A
= 25 ℃ ，可以计算由下式：
P
D（最大）
= (125℃-25℃)/250=0.4W
它也是有用的计算在一组特定条件下FSP2132的结温。在这
比如让输入电压V
IN
= 3.3V，输出电流I
O
= 300毫安的情况下温度T
A
= 40 ℃时测得
手术过程中热电偶。的功耗对于V
O
=的FSP2132的2.8V版本可以
计算公式如下：
P
D
=(3.3V-2.8V)*300mA+3.3V*70μA
≌
150mW
和结温度T
J
可以计算如下：
T
J
=T
A
+P
D
*θ
JA
T
J
=40℃+0.15W*250℃/W
=77.5℃＜T
J（下最大）
=125℃
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2007-8-6
