CMOS低压降稳压器
FSP2114
特点
高达250mA的输出电流
低于60μA电源电流
± 3 %电压精度
与折返保护400毫安电流限制
1.5V至4V的固定输出电压
稳定,电容范围宽
紧凑的SOT23-3L和SOT89-3L封装
概述
该FSP2114是一款高性能低压降
电压调节器设计用于便携式应用
具有低静态电流和低压差。
该FSP2114有400毫安的典型电流限制和
能够提供高达250mA的输出电流。它
在输出电压可从1.5V至4V的为50mV
增量。它具有电流限制与折返的
短路。
该FSP2114可在SOT23-3L和SOT89-3L
包。这些产品适用于便携式
信息设备,蜂窝电话,和其它电池
供电的应用。
应用
蜂窝手机
电池供电设备
个人通信设备
便携式信息设备
外围设备,消费类电子产品
引脚配置
( TOP VIEW )
( TOP VIEW )
GND
1
FSP2114
OUT
2
3
IN
FSP2114
1
GND
2
IN
3
OUT
引脚说明
引脚数
SOT23-3L
SOT89-3L
1
1
2
3
3
2
引脚名称
GND
OUT
IN
地
产量
输入电压
引脚功能
典型应用电路
图1典型应用电路
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CMOS低压降稳压器
FSP2114
绝对最大额定值
参数
输入电源电压
输出电压
连续输出电流
最大功率耗散(T
A
= 75°C)
结到环境热阻( θ
JA
)
工作结温
储存温度
等级
-0.3 +6
-0.3 VIN + 0.3
内部限制
0.38 ( SOT23-3L )
0.55 ( SOT89-3L )
200 ( SOT23-3L )
130 ( SOT89-3L )
-40至150
-55至125
单位
V
V
A
W
℃/
W
°C
°C
°C
焊接温度(焊接, 10秒)
300
注意:绝对最大额定值是那些价值超过该设备的寿命可能受到损害。
(V
IN
4V或V的=大
OUT
+ 0.5V至5.5V ,我
OUT
= 1mA时,
OUT
= 1μF ,T
J
= 25
°
C除非另有规定编)
参数
输出电压精度
输入电压范围
线路调整
负载调整率
电源电流
漏失电压(注1)
电流限制(注2 )
I
Q
V
DO
I
LIM
V
IN
= V
OUT
+ 1.0V至5.5V ,
I
OUT
= 40毫安
I
OUT
= 1mA至60毫安
空载
V
O
≤1.8V,I
OUT
= 40毫安
1.8V <V
O
<3.3V,I
OUT
= 40毫安
V
O
≥3.3V,I
OUT
= 40毫安
V
OUT
≥
2V
V
OUT
& LT ; 2V
符号
V
OUT
测试条件
民
-3
2.5
0.01
60
400
260
150
400
280
典型值
最大
3
5.5
0.3
单位
%
V
%/V
% / mA的
A
mV
mA
电气特性
250
150
电流限制短路
V
OUT
=0 V
100
mA
I
LIMSC
折返
稳定
OUT
1
20
F
注1 :电压差定义为输入和输出的输出电压下降时的不同的电压
100mV的低于1V的电压不同的调节电压。
注2 :电流极限的测量是在迫使输出电压为95 %的调节电压。
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CMOS低压降稳压器
功能框图
FSP2114
IN
当前
SENSE
OUT
热
关闭
参考
&偏差
G
功能说明
该FSP2114是低静态电流消耗高性能LDO 。如图所示,在上面的图中,
功能框图,该FSP2114架构集成了基准和偏置电路,误差放大器,
反馈电压的电阻分压器, 2Ω P-沟道功率MOSFET的导通晶体管和限流器。
电压调节
通常情况下, LDO的误差放大器的输出的反馈电压(通过电阻分压器)与基准进行比较
电压,并产生用于驱动所述P沟道功率MOSFET的误差信号。当输出电压
比所需要的值时, P沟道被驱动,以保持调节。当输出电压较低
比所需要的数值时,P沟道导通,使输出到其所需的值。这种负反馈
机构产生一个恒定的调节输出电压。
电流限制
当输出电流是在电流限制值时,限流电路防止电流从输出
进一步增加。这个电流限制值通常400毫安为大于2V的输出电压更高,并且减少了对
较低的输出电压部分(见典型性能特性) 。作为输出电压下降时,电流
限值折返渐渐地,最终在0V达到100mA电流。
应用信息
输入电容
任何优质电容1μF以上的值可作为一个输入电容为这个LDO 。连接
输入电容尽可能靠近的IN和G越好。陶瓷电容具有更好的性能和更低的ESR
(等效串联电阻)比其它类型的电容器,并且被推荐。
输出电容
该
FSP2114需要LDO的输出电容即可稳定工作。该电容应连接尽可能靠近OUT
和G尽可能最大化设备的性能。的输出电容和ESR的范围为稳定
显示在稳C的地区
OUT
ESR与输出电流曲线图典型性能特征。
但是,为了确保该设备的最佳性能,在输出电容器应该具有的最小电容
1μF ,并为10mΩ和500MΩ之间的ESR值。高品质陶瓷电容X7R或X5R电介质
类型强烈推荐。
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