N沟道75V 0.0097Ω 80A功率MOSFET
FSM75N75
特点
部件号
FSM75N75
V
S S小
（以TJ （ MAX））
75V
R
S（O N）
<0.011
I
D
80A
概述
该功率MOSFET系列产品已明确了
旨在最大限度地减少输入电容和闸
费。因此，适合作为在主开关
先进的高效率，高频率分离
DC-DC转换器电信和计算机
应用程序。它也适用于任何应用
具有低栅极驱动要求。
DV dt能力EXCEPTIONAL /
100％的雪崩测试
低的固有电容
优势
易于安装
节省空间
高功率密度
应用
直流电机控制
电磁阀和继电器驱动器
DC- DC转换器
汽车环境
内部原理图和外部
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
dv / dt的
E
AS
T
J
T
英镑
参数
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
连续
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏极电流（以T脉冲有限
JM
）在T
C
= 25°C
T
J
= 25°C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
(I
SD
≤80A,
DI / dt≤300A / μs的，V
DD
≤V
（ BR ） DSS
, T
J
≤T
JMAX
)
T
J
= 25 ° C，I
D
= 40A ，V
DD
= 38V
最大工作结温
储存温度
等级
75
± 20
80
65
320
200
1.5
15
700
160
-55 160
A
A
W
W / ℃，
V / ns的
mJ
°C
°C
单位
V
V
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N沟道75V 0.0097Ω 80A功率MOSFET
FSM75N75
热数据
符号
R
thJC
R
thJA
T
l
参数
热阻结案件
热阻结到环境
最大无铅焊接温度的目的
(1)
等级
1
62.5
300
单位
° C / W
° C / W
°C
注： （ 1 ） 1.6毫米案件从10秒。
电气特性（T
例
=25
°C,
除非另有说明）
符号
开关特性
V
DSS
I
DSS
I
GSS
基本特征
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
VGS = 10V ，ID = 40A
脉冲测试，T
≤
300毫秒，占空比
≤
2%
2
2.8
0.0097
4
0.011
V
测试条件
I
D
= 250μA ，V
GS =
0
V
DS
= 75V，V
GS =
0 T
J
=25°C
V
DS
= 75V，V
GS =
0
，T
J
=100°C
V
GS
= ±20V
，V
DS =
0
分钟。
75
1
10
±100
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
动态特性
g
fs
V
DS
= 15V ，我
D
= 40A
， PULSE
TEST
80
3000
800
50
20
V
DD
= 38V ，我
D
= 45A ，V
GS
= 10V
15
60
10
V
GS
= 60 V，I
D
= 80A ，V
GS
=10V
100
20
40
nC
ns
S
pF
C
国际空间站
V
DS
= 25V ， F = 1MHz时， V
GS
= 0V
C
OSS
C
RSS
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
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N沟道75V 0.0097Ω 80A功率MOSFET
FSM75N75
电气特性（T
例
=25
°C,
除非另有说明）
源极 - 漏极二极管额定值和特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
测试条件
V
GS
= 0V ，源极 - 漏极电流
重复;脉冲宽度限制T
JM
I
F
= 80A ，V
GS
= 0 V
V
GS
= 0 V，I
s
= 80A
dI
F
= 100A / us的，脉冲检验，t
≤
300
s,
占空比
≤
1.5%
0.98
70
200
分钟。
典型值。
马克斯。
80
320
1.4
单位
A
A
V
ns
nC
典型特征
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N沟道75V 0.0097Ω 80A功率MOSFET
FSM75N75
典型特性（续）
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N沟道75V 0.0097Ω 80A功率MOSFET
FSM75N75
测试电路
栅极电荷测试电路和波形
电阻开关测试电路和波形
UIS测试电路和波形
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QQ：2880707522 复制
