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FSL127H - 绿色模式飞兆功率开关( FPS )
2010年9月
FSL127H
绿色模式飞兆功率开关( FPS )
特点
内置5ms的软启动功能
内部雪崩坚固的700V的SenseFET
低音频噪声
高压启动
固定PWM频率100KHz的时
线性降低PWM频率为18KHz的
峰值电流模式控制
逐周期电流限制
前沿消隐( LEB )
同步斜坡补偿
内部开环保护( OLP )
V
DD
欠压锁定(UVLO )
V
DD
过电压保护( OVP )
恒定功率限制(全AC输入范围)
内置OTP传感器与迟滞
描述
在高度集成的FSL127H包括一个电流
模式脉冲宽度调制器(PWM)和一个avalanche-
坚固的700V的SenseFET 。它是专为设计
高性能离线开关模式电源
( SMPS)使用最少的外部元件。
集成PWM控制器功能包括
专有的绿色模式功能,提供关断时间
调制到线性降低开关频率
在轻负载条件下,尽量减少待机功耗
消费。为了避免噪音问题,
最小PWM频率设置高于18KHZ 。这
绿色模式功能,使得电源供应,以满足
国际节能要求。与
内置高压启动电路,功率损耗
因出血电阻也被消除。为了进一步
降低功率消耗时,PWM控制器被
采用BiCMOS工艺,这使得制造
仅3.5毫安的工作电流。
该FSL127H内置的同步斜坡补偿
达到稳定的峰值电流模式控制。该
专有的外线补偿保证
在很宽的AC输入的恒定输出功率限制
电压范围内,从90V
AC
以264V
AC
.
该FSL127H提供了许多保护功能。在
除了逐周期电流限制时,内部
开环保护电路,确保安全时
开环或输出短路等故障发生。 PWM
输出被禁止,直到V
DD
低于UVLO低
限制,当控制器重新启动。只要V
DD
超 28V ,内部过压保护电路被触发。
相比分立式MOSFET和控制器或RCC
开关转换器的解决方案, FSL127H降低总
元件数量,设计尺寸和重量,同时
提高效率,生产率和系统的可靠性。
这些器件提供了一个基本的平台,非常适合
高性价比的反激式转换器的设计。
应用
通用开关模式电源和
反激式功率转换器,包括:
SMPS的VCR , SVR , STB , DVD & VCD播放机,
打印机,传真机,扫描仪&
适配器摄像机
订购信息
产品型号
FSL127HNY
值SenseFET
700V 2.0A
操作
温度范围
-40 ° C至+ 105°C
8引脚双列直插封装( MDIP )
JEDEC MS- 001 , 0.300"宽
包装方法
2010仙童半导体公司
FSL127H 版本1.0.2
www.fairchildsemi.com
FSL127H - 绿色模式飞兆功率开关( FPS )
应用框图
HV
VIN
FB
VDD
GND
图1.典型的反激式应用
输出功率表
(1)
产品
230V
AC
± 15%
适配器
(3)
(2)
(4)
85-265V
AC
适配器
(3)
开放式框架
开放式框架
(4)
FSL127H
14W
20W
11W
16W
注意事项:
1.最大输出功率可以通过结点温度的限制。
2. 230 V
AC
或100/115 V
AC
与倍增。
3.典型的连续输出功率是在无风冷密闭适配器中有足够的排水模式作为散热器,
在T
A
= 50 ° C的环境。
4.最大的实际持续输出功率是在开放式框架设计,有足够的排水模式作为散热器,
在T
A
= 50 ° C的环境。
内部框图
图2.内部框图
2010仙童半导体公司
FSL127H 版本1.0.2
www.fairchildsemi.com
2
FSL127H - 绿色模式飞兆功率开关( FPS )
引脚配置
F
飞兆半导体的标志
- 植物码
X - 1位数年份代码
- 1位周码
TT - 2位数模运行代码
牛逼 - 封装类型(N : DIP )
P - Y:绿色包装
米 - 制造流程守则
图3.引脚配置
引脚德网络nitions
针#
1
2
3
4
5
6
7
8
名字
GND
V
DD
FB
V
IN
HV
描述
地面上。
一次侧和内部控制地面值SenseFET源端。
电源。
内部保护电路禁止PWM输出,只要V
DD
超过
OVP触发点。
反馈。
从外部补偿电路的信号馈送到该引脚。 PWM占空比
周期响应确定该引脚上的信号,并在电流检测信号
感脚。
线电压检测。
用于恒定输出功率限制的线电压检测。这是
建议增加一个低通滤波器,以滤除在大容量电容线路纹波。
启动。
对于启动时,该引脚被拉高到线路输入或大容量电容通过电阻。
值SenseFET排水。
高压电源值SenseFET的漏极连接。
值SenseFET排水。
高压电源值SenseFET的漏极连接。
值SenseFET戴恩。
高压电源值SenseFET的漏极连接。
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FSL127H 版本1.0.2
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3
FSL127H - 绿色模式飞兆功率开关( FPS )
绝对最大额定值
应力超过绝对最大额定值可能会损坏设备。该设备可能不能正常运行或
操作上面推荐的工作条件,并强调部分这些级别是不推荐的。
此外,过度暴露在压力高于推荐的工作条件下可能影响器件
可靠性。绝对最大额定值仅为应力额定值。
符号
V
I
DM
E
AS
V
VDD
V
FB
V
VIN
V
HV
P
D
θ
JA
Ψ
JT
T
J
T
英镑
T
L
ESD
漏极引脚电压
(5,6)
(7)
参数
漏电流脉冲
直流电源电压
FB引脚输入电压
VIN引脚输入电压
HV引脚输入电压
功率耗散(T
A
<50°C)
结到空气的热阻
结至顶部热阻
工作结温
存储温度范围
焊接温度(波峰焊或IR , 10秒)
静电放电能力,
(10)
所有引脚除了HV引脚
人体模型:
JESD22-A114
带电器件模型:
JESD22-C101
(9)
分钟。
马克斯。
700
8
单位
V
A
mJ
V
V
V
V
W
° C / W
° C / W
°C
°C
°C
kV
单脉冲雪崩能量
(8)
140
30
-0.3
-0.3
7.0
7.0
700
1.5
80
35
+150
-55
+150
+260
4.5
1.5
注意事项:
5.所有的电压值,除了差分电压,给出了相对于网络的接地端子。
6.强调超出上述绝对最大额定值可能会导致器件永久性损坏。
7.非重复性的评价:脉冲宽度是由最大结温限制。
8, L = 51mH ,起始物为
J
= 25°C.
9.测量在封装的上表面。
10.所有引脚,包括HV引脚: HBM = 500V , CDM = 1250V 。
推荐工作条件
推荐的操作条件表德网络网元设备的实际运行情况。推荐
工作条件规定,以确保最佳性能达到数据表规格。飞兆半导体不
建议超过或设计,以绝对最大额定值。
符号
T
A
参数
工作环境温度
分钟。
-40
典型值。
马克斯。
+105
单位
°C
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4
FSL127H - 绿色模式飞兆功率开关( FPS )
电气特性
V
DD
= 15V和T
A
= 25°C除非另有规定。
符号
SENSEFET节
BV
DSS
(11)
参数
条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
漏源击穿电压
V
GS
= 0V
V
DS
= 700V, V
GS
= 0V
700
0.5
1
6.0
550
38
17
20
15
55
25
50.0
V
I
DSS
R
DS ( ON)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
DD
部分
V
OP
V
DD -ON
V
DD -OFF
I
DD -ST
I
DD -OP
I
DD -BM
I
DD- OLP
V
TH- OLP
V
DD- OVP
t
D- VDDOVP
HV节
I
HV
I
HV -LC
零栅极电压漏电流
漏源导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
持续工作电压
启动阈值电压
最低工作电压
启动电流
工作电源电流
绿色模式工作电源
当前
内部灌电流
I
DD- OLP
截止电压
V
DD
过电压保护
V
DD
过电压保护
去抖时间
(12)
V
DS
= 560V, V
GS
= 0V,
T
A
= 125°C
V
GS
= 10V ,我
D
= 0.5A
V
GS
= 0V, V
DS
= 25V,
F = 1MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= 25V,
F = 1MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= 25V,
F = 1MHz的
V
DS
= 350V ,我
D
= 1.0A
V
DS
= 350V ,我
D
= 1.0A
V
DS
= 350V ,我
D
= 1.0A
V
DS
= 350V ,我
D
= 1.0A
μA
200
7.2
715
50
26
50
40
120
60
22
11
7
12
8
3.5
2
30
5
27
75
60
6
28
130
90
7
29
200
13
9
30
3.0
4.0
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
V
V
A
mA
mA
A
V
V
s
V
DD -ON
– 0.16V
V
DD
= 15V, V
FB
= 3V
V
FB
= V
ZDC
V
TH- OLP
+0.1V
最大电流从HV引脚拉
启动后,漏电流
高压120V
DC
,
V
DD
= 10μF与0V
HV = 700V ,
V
DD
= V
DD -OFF
+1V
中心频率
1.5
3.5
1
5.0
20
mA
A
振荡器部分
f
OSC
f
OSC -G
D
最大
f
DV
f
DT
在标称频率模式
绿色模式频率
最大占空比
频率变化与V
DD
偏差
频率变化与温度的关系
(11)
偏差
V
DD
= 9V至22V
T
A
= -40至+ 105°C
94
14
100
18
85
5
5
106
22
千赫
千赫
%
%
%
续下页...
2010仙童半导体公司
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