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FSGS033R
数据表
2001年12月
抗辐射,抗SEGR
N沟道功率MOSFET
飞兆半导体星*电源抗辐射
MOSFET的过专门
TM
对于高性能开发
在商业应用中,或
军事空间环境。
星*功率MOSFET提供系统设计者既
非常低R
DS ( ON)
和栅极电荷使
开发低损耗电源子系统组成。星*电源
黄金场效应管结合起来电气性能与总剂量
辐射硬度高达100 krads同时保持
保证性能的单粒子效应( SEE )
其中飞兆半导体FS系列一直的特色。
飞兆半导体家庭之星*功率场效应管的包括一系列
设备在不同的电压,电流和封装类型。该
产品组合包括星*电源和星*电源黄金
产品。星*功率场效应管是总剂量优化,
r
DS ( ON)
同时表现出SEE能力在全额定电压
高达37星*功率场效应管金的LET已
对于SEE和栅极电荷结合SEE优化
性能至80%的额定电压为82的LET
具有极低的栅极电荷特征。
这个MOSFET是一个增强型硅栅功率
的垂直DMOS场效应晶体管( VDMOS )
结构。据具体来说设计和加工成
耐辐射。 MOSFET被非常适用于
暴露于辐射的环境中,例如应用
开关调节,开关转换器,电源
分布,马达驱动器和继电器驱动器以及其它
功率控制和调节应用。如同
传统MOSFET,这些抗辐射
的MOSFET提供了方便的电压控制,快速切换
速度与能力并行开关器件。
可靠性筛选可作为无论是热力膨胀阀或空间
相当于MIL -PRF- 19500的。
以前作为类型TA45222W 。
特点
16A (电流受包) , 30V ,R
DS ( ON)
= 0.020
额定UIS
总剂量
- 符合预-Rad公司特定网络阳离子为100拉德(SI )
单事件
- 安全工作区曲线的单粒子效应
- SEE免疫为82MeV /毫克/平方厘米LET
2
V
DS
高达80%的额定击穿的
剂量率
- 通常情况下躲过3E9 Rad公司(SI ) / s的80 % BV
DSS
- 通常情况下躲过2E12如果电流限制在我
AS
光电流
- 1.0nA每- RAD (SI ) / s的典型
中子
- 维持前期-Rad公司产品规格
对于3E13中子/平方厘米
2
- 可用来3E14中子/平方厘米
2
符号
D
G
S
包装
TO-257AA
S
D
G
订购信息
RAD LEVEL
10K
100K
100K
筛选LEVEL
零件编号/ BRAND
注意:每MIL -PRF- 19500氧化铍警告
参考封装特定连接的阳离子。
工程样品FSGS033D1
TXV
空间
FSGS033R3
FSGS033R4
2001仙童半导体公司
FSGS033R版本B
FSGS033R
绝对最大额定值
T
C
= 25
o
C,除非另有规定编
FSGS033R
30
30
16 (注)
16 (注)
64
±24
57
23
0.45
64
16
64
-55到150
300
4.4 (典型值)
单位
V
V
A
A
A
V
W
W
W/
o
C
A
A
A
o
C
o
C
g
漏源极电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DS
漏极至栅极电压(R
GS
= 20kΩ的) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DGR
连续漏电流
T
C
= 25
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
T
C
= 100
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
漏电流脉冲。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
DM
门源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GS
最大功率耗散
T
C
= 25
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
T
T
C
= 100
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
T
线性降额因子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
单脉冲雪崩电流, L = 100μH , (见测试图) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
AS
连续源电流(体二极管) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
S
脉冲源电流(体二极管) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
SM
工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J
, T
英镑
焊接温度(焊接时) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
L
(距离& GT ; 0.063in ( 1.6毫米)从表壳, 10秒最大)
重量(典型)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注:目前受封装。
电气规格
参数
T
C
= 25
o
C,除非另有规定编
符号
BV
DSS
V
GS ( TH)
测试条件
I
D
= 1mA时, V
GS
= 0V
V
GS
= V
DS
,
I
D
= 1毫安
T
C
= -55
o
C
T
C
= 25
o
C
T
C
= 125
o
C
T
C
= 25
o
C
T
C
= 125
o
C
T
C
= 25
o
C
T
C
= 125
o
C
T
C
= 25
o
C
T
C
= 125
o
C
30
-
2.0
1.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
GS
= 0V至12V
V
DD
= 15V,
I
D
= 16A
-
-
-
V
GS
= 0V至20V
V
GS
= 0V至2V
I
D
= 16A ,V
DS
= 15V
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.018
-
-
-
-
-
35
11
8
60
4
5.5
1850
1120
35
-
最大
-
5.5
4.5
-
25
250
100
200
0.320
0.020
0.030
20
65
30
15
38
14
10
-
-
-
-
-
-
2.2
单位
V
V
V
V
A
A
nA
nA
V
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
nC
V
pF
pF
pF
o
C / W
漏源击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
I
DSS
I
GSS
V
DS ( ON)
r
DS(ON)12
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
g(12)
Q
gs
Q
gd
Q
g(20)
Q
G( TH )
V
(高原)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
θ
JC
V
DS
= 24V,
V
GS
= 0V
V
GS
=
±24V
V
GS
= 12V,我
D
= 16A
I
D
= 16A,
V
GS
= 12V
门源漏电流
漏极至源极通态电压
漏极至源极导通电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极电荷源
门电荷泄漏
栅极电荷,在20V
阈值的栅极电荷
高原电压
输入电容
输出电容
反向传输电容
热阻结到外壳
V
DD
= 15V ,我
D
= 16A,
R
L
= 0.94, V
GS
= 12V,
R
GS
= 7.5
2001仙童半导体公司
FSGS033R版本B
FSGS033R
源极到漏极二极管特定网络阳离子
参数
正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
V
SD
t
rr
Q
RR
T
C
= 25
o
C,除非另有规定编
符号
(注3)
(注3)
(注2,3)
(注3)
(注1,3)
(注1,3)
BV
DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
V
DS ( ON)
r
DS(ON)12
测试条件
V
GS
= 0, I
D
= 1毫安
V
GS
= V
DS
, I
D
= 1毫安
V
GS
=
±24V,
V
DS
= 0V
V
GS
= 0, V
DS
= 24V
V
GS
= 12V,我
D
= 16A
V
GS
= 12V,我
D
= 16A
30
2.0
-
-
-
-
最大
-
4.5
100
25
0.320
0.020
单位
V
V
nA
A
V
I
SD
= 16A
I
SD
= 16A ,二
SD
/ DT = 100A / μs的
测试条件
-
-
-
典型值
-
-
90
最大
1.2
70
-
单位
V
ns
nC
电气特定网络连接的阳离子高达100拉德
参数
漏极至源极击穿电压
门源阈值电压
门到车身泄漏
零栅漏
漏极至源极导通状态电压
漏极至源极导通电阻
注意事项:
1.脉冲测试, 300μS最大。
2.绝对价值。
3.原位伽玛偏见必须被采样为V
GS
= 12V, V
DS
= 0V和V
GS
= 0V, V
DS
= 80% BV
DSS
.
单粒子效应( SEB , SEGR )
注4
环境
(注5 )
(注6 )
典型LET
(兆电子伏/毫克/平方厘米)
37
60
60
82
82
注意事项:
4.测试在布鲁克海文国家实验室或德克萨斯州A&M进行。
5.通量= 1E5离子/ cm
2
(典型值) ,T = 25
o
C.
6.离子种类: LET = 37 , Br或氪; LET = 60 , I或氙; LET = 82金。
7.不会出现单粒子烧毁( SEB )和单粒子栅穿( SEGR ) 。
应用的
V
GS
BIAS
(V)
-5
-2
-5
0
-2
(注7 )
最大
V
DS
BIAS
(V)
30
30
22.5
24
22.5
TEST
单粒子效应的安全工作区
符号
SEESOA
典型范围( μ )
36
32
32
28
28
性能曲线
除非另有说明
40
LET = 37
30
LET = 37MeV /毫克/平方厘米
2
,范围= 36μ
LET = 60MeV /毫克/平方厘米
2
,范围= 32μ
LET = 82MeV /毫克/平方厘米
2
,范围= 28μ
40
TEMP = 25
o
C
30
V
DS
(V)
V
DS
(V)
20
20
10
10
LET = 82
LET = 60
0
0
-1
-2
-3
-4
V
GS
(V)
-5
-6
-7
0
0
4
8
12
V
GS
(V)
16
20
24
图1.单粒子效应的安全工作区
图2.典型的见签名曲线
2001仙童半导体公司
FSGS033R版本B
FSGS033R
性能曲线
1E-3
LIMITING电感( HENRY )
20
1E-4
除非另有说明
(续)
30A
1E-5
100A
300A
1E-6
I
D
,漏极( A)
ILM = 10A
16
12
8
4
1E-7
10
30
100
漏极电压(V)
300
1000
0
-50
0
50
100
150
T
C
,外壳温度(
o
C)
图3.典型漏极电感REQUIRED TO
LIMIT GAMMA DOT电流为I
AS
图4.最大连续漏极电流VS
温度
300
T
C
= 25
o
C
100
I
D
,漏电流( A)
100s
12V
1ms
10
10ms
操作在此
区域可以
限于由R
DS ( ON)
1
0.1
1
10
100
收费
V
G
Q
GS
Q
GD
Q
G
V
DS
,漏源极电压( V)
图5.正向偏置安全工作区
图6.基本门充电波形
2.5
I
D
,漏源电流(A)
脉冲持续时间= 250毫秒,V
GS
= 12V,我
D
= 16A
2.0
归一化
DS ( ON)
50
40
V
GS
= 6V
30
1.5
1.0
20
0.5
10
V
GS
= 4V
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
,漏源极电压( V)
0.0
-80
-40
0
40
80
120
160
T
J
,结温(
o
C)
图7.典型的归一化
DS ( ON)
VS结
温度
图8.典型输出特性
2001仙童半导体公司
FSGS033R版本B
FSGS033R
性能曲线
归一化热响应(Z
QJC
)
10
1
除非另有说明
(续)
10
0
0.5
10
-1
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
P
DM
注意事项:
DUTY因子:D = T
1
/t
2
PEAK牛逼
J
= P
DM
X Z
θJC
+ T
C
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
t
1
10
-2
t
2
10
1
10
-3 -5
10
吨,矩形脉冲持续时间( S)
图9.归一化最大瞬态热响应
I
AS
,雪崩电流( A)
100
起始物为
J
= 25
o
C
起始物为
J
= 150
o
C
10
如果R = 0
t
AV
= (L)(我
AS
) / ( 1.3额定BV
DSS
- V
DD
)
若R
0
t
AV
= ( L / R) LN [(我
AS
* R ) / ( 1.3额定BV
DSS
- V
DD
) + 1]
1
0.1
1
t
AV
,一次雪崩(毫秒)
10
图10.松开电感式开关
测试电路和波形
电子开关打开
当我
AS
到达
V
DS
L
+
电流I
变压器
AS
BV
DSS
t
P
I
AS
50
+
V
DD
V
DS
V
DD
-
异吨
P
获得
所需的峰值I
AS
V
GS
20V
-
DUT
50V-150V
50
t
AV
0V
t
P
图11.松开能源利用检测电路
图12.松开能源波形
2001仙童半导体公司
FSGS033R版本B
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    FSGS033R4
    -
    -
    -
    -
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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