FSEZ1016A （ EZSWITCH
TM
） - 初级端调节PWM集成功率MOSFET
2009年6月
FSEZ1016A （ EZSWITCH ，
特点
恒定电压（ CV）和恒流（ CC ）
控制，无需次级反馈电路
精确的恒流飞兆半导体的取得
所有权
TRUECURRENT
技术
绿色模式：频率减少在轻载
固定PWM频率在43kHz与频率
跳频以降低EMI
低启动电流：最大10μA
低工作电流： 3.5毫安
峰值电流模式控制在CV模式
逐周期电流限制
过温保护（ OTP ）
与自动重启
欠压保护和自动重启
V
DD
过电压保护（ OVP ）与
自动重启
V
DD
欠压锁定（UVLO ）
SOIC- 7封装
)
描述
一次侧PWM集成功率MOSFET
（ EZSWITCH ） ， FSEZ1016A ，显著简化
需要CV和CC调节电源设计
的能力。 FSEZ1016A控制输出电压并
与仅在主服务器上的信息精确电流
电源侧，不仅除去输出
电流检测损耗，而且还消除了所有中学
反馈电路。
绿色模式功能具有低启动电流
（ 10μA ）最大化了轻负载效率这样的功率
供应可满足严格的待机功耗规范。
与传统的二次侧调节比较
方法;在FSEZ1016A可以降低总成本，
部件
算，
大小，
和
权重;
而
同时提高效率，生产率和
系统的可靠性。
FSEZ1016A可在7引脚SOIC封装。
典型的输出CV / CC特性的信封显示
在网络连接gure 1 。
初级端调节PWM集成功率MOSFET
应用
电池充电器为移动电话，无绳电话
手机，PDA ，数码相机，电动工具
替代线性变压器和RCC开关电源
离线高亮度（ HB ） LED驱动器
相关资源
AN- 6067设计指南FAN100 / 102和
FSEZ1016A/1216
图1 。
典型输出V-I特性
订购信息
产品型号
操作
温度
范围
-40°C至+ 125°C
MOSFET
BV
DSS
MOSFET
R
DS （ ON）
9.3Ω
（典型值）
ECO
状态
绿色
包
7引脚，小外形
集成电路
封装（ SOIC ）
填料
法
磁带&卷轴
FSEZ1016AMY
600V
对于生态地位飞兆半导体的定义，请访问：
http://www.fairchildsemi.com/company/green/rohs_green.html 。
2009仙童半导体公司
FSEZ1016A版本1.0.1
www.fairchildsemi.com
FSEZ1016A （ EZSWITCH
TM
） - 初级端调节PWM集成功率MOSFET
标识信息
F
- 飞兆半导体徽标
- 植物码
X - 1位数年份代码
- 1位周码
TT - 2位数模运行代码
牛逼 - 封装类型（M = SOIC ）
P - Y：绿色包装
米 - 制造流程守则
ZXYTT
EZ1016A
TPM
图4中。
顶标
引脚配置
图5中。
引脚配置
引脚德网络nitions
针＃
1
2
3
4
5
6
7
8
名字
CS
GND
COMI
COMV
VS
描述
电流检测。
该引脚连接的电流检测电阻器来感测MOSFET电流为
峰值电流模式控制在CV模式，并提供了输出电流调节的CC模式。
地面上。
恒流环路补偿。
该引脚连接一个电容和之间的电阻
COMI和GND的补偿电流环路增益。
恒定电压环路补偿。
该引脚连接一个电容和之间的电阻
COMV和GND的补偿电压环路增益。
电压检测。
这个引脚上检测输出电压的信息和放电时间基
电压的辅助绕组。该引脚连接的两个分压电阻器和一个电容器。
供应量。
电源引脚。集成电路的工作电流和MOSFET的驱动电流供给
使用该引脚。该引脚被连接到外部V
DD
电容器通常10μF的。该
阈值电压启动和关断的16V和5V分别。工作电流
比5毫安低。
无连接。
沥干。
该引脚为高电压功率MOSFET的漏极。
VDD
NC
漏
2009仙童半导体公司
FSEZ1016A版本1.0.1
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3
FSEZ1016A （ EZSWITCH
TM
） - 初级端调节PWM集成功率MOSFET
绝对最大额定值
应力超过绝对最大额定值可能会损坏设备。该设备可能不能正常运行或
操作上面推荐的工作条件，并强调部分这些级别是不推荐的。
此外，过度暴露在高于推荐的工作条件下，会影响器件的可靠性。
绝对最大额定值仅为应力额定值。
符号
V
DD
V
VS
V
CS
V
COMV
V
COMI
V
DS
I
D
I
DM
E
AS
I
AR
P
D
Θ
JA
Θ
JC
T
J
T
英镑
T
L
ESD
直流电源电压
(1,2)
参数
VS引脚输入电压
CS引脚输入电压
电压误差放大器的输出电压
电压误差放大器的输出电压
漏源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
功率耗散（T
A
＜50°C)
热阻（结到空气）
热阻（结到外壳）
工作结温
存储温度范围
焊接温度（波峰焊或IR ， 10秒）
静电放电能力
人体模型，
JEDEC ： JESD22- A114
带电器件模型，
JEDEC ： JESD22- C101
T
C
=25°C
T
C
=100°C
分钟。
-0.3
-0.3
-0.3
-0.3
马克斯。
30
7.0
7.0
7.0
7.0
600
1.0
0.6
4
33
1
660
153
39
单位
V
V
V
V
V
V
A
A
A
mJ
A
mW
° C / W
° C / W
°C
°C
°C
kV
-40
-55
+150
+150
+260
2
2
注意事项：
1.强调超出上述绝对最大额定值可能会导致器件永久性损坏。
2.所有的电压值，除了差分电压，给出相对于GND管脚。
推荐工作条件
推荐的操作条件表德网络网元设备的实际运行情况。推荐
工作条件规定，以确保最佳性能达到数据表规格。飞兆半导体不
建议超过或设计，以绝对最大额定值。
符号
T
A
参数
工作环境温度
条件
分钟。
-40
典型值。
马克斯。
+125
单位
°C
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FSEZ1016A版本1.0.1
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4
FSEZ1016A - 初级端调节PWM集成功率MOSFET
2010年1月
FSEZ1016A
初级端调节PWM集成功率MOSFET
特点
恒定电压（ CV）和恒流（ CC ）
控制，无需次级反馈电路
精确的恒流飞兆半导体的取得
所有权
TRUECURRENT
技术
绿色模式：频率减少在轻载
固定PWM频率在43kHz与频率
跳频以降低EMI
低启动电流：最大10μA
低工作电流： 3.5毫安
峰值电流模式控制在CV模式
逐周期电流限制
过温保护（ OTP ）
与自动重启
欠压保护和自动重启
V
DD
过电压保护（ OVP ）与
自动重启
V
DD
欠压锁定（UVLO ）
SOIC- 7封装
描述
这一次侧PWM集成功率MOSFET
显著简化了需要的电源设计
CV和CC调控能力。 FSEZ1016A控制
的输出电压，并与仅精确电流
在电源的初级侧的信息，而不是
仅除去输出电流检测损耗，而且还
消除所有次级反馈电路。
绿色模式功能具有低启动电流
（ 10μA ）最大化了轻负载效率这样的功率
供应可满足严格的待机功耗规范。
与传统的二次侧调节比较
方法;在FSEZ1016A可以降低总成本，
部件
算，
大小，
和
权重;
而
同时提高效率，生产率和
系统的可靠性。
FSEZ1016A可在7引脚SOIC封装。
典型的输出CV / CC特性的信封显示
在网络连接gure 1 。
应用
电池充电器为移动电话，无绳电话
手机，PDA ，数码相机，电动工具
替代线性变压器和RCC开关电源
离线高亮度（ HB ） LED驱动器
相关资源
AN- 6067设计指南FAN100 / 102和
FSEZ1016A/1216
图1 。
典型输出V-I特性
订购信息
产品型号
操作
温度
范围
-40°C至+ 125°C
MOSFET
BV
DSS
MOSFET
R
DS （ ON）
9.3Ω
（典型值）
ECO
状态
绿色
包
7引脚，小外形
集成电路
封装（ SOIC ）
填料
法
磁带&卷轴
FSEZ1016AMY
600V
对于生态地位飞兆半导体的定义，请访问：
http://www.fairchildsemi.com/company/green/rohs_green.html 。
2009仙童半导体公司
FSEZ1016A 版本1.0.2
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FSEZ1016A - 初级端调节PWM集成功率MOSFET
应用框图
C
SN2
桥
整流器器
二极管
C
DL
R
SN2
V
O
V
DL
+
-
R
开始
D
SN
D
DD
AC线路
R
CS
1
R
SN1
C
SN1
N
P
N
S
D
R
C
O
I
O
FSEZ1016A
CS
漏
8
C
DD
N
A
2 GND
3 COMI
4 COMV
VDD 6
5 VS
R
S1
R
S2
C
COMI
R
COMI
C
COMV
R
COMV
C
S
图2中。
典型用途
内部框图
网络连接gure 3 。
2009仙童半导体公司
FSEZ1016A 版本1.0.2
功能框图
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2
FSEZ1016A - 初级端调节PWM集成功率MOSFET
标识信息
F
- 飞兆半导体徽标
- 植物码
X - 1位数年份代码
- 1位周码
TT - 2位数模运行代码
牛逼 - 封装类型（M = SOIC ）
P - Y：绿色包装
米 - 制造流程守则
ZXYTT
EZ1016A
TPM
图4中。
顶标
引脚配置
图5中。
引脚配置
引脚德网络nitions
针＃
1
2
3
4
5
6
7
8
名字
CS
GND
COMI
COMV
VS
描述
电流检测。
该引脚连接的电流检测电阻器来感测MOSFET电流为
峰值电流模式控制在CV模式，并提供了输出电流调节的CC模式。
地面上。
恒流环路补偿。
该引脚连接一个电容和之间的电阻
COMI和GND的补偿电流环路增益。
恒定电压环路补偿。
该引脚连接一个电容和之间的电阻
COMV和GND的补偿电压环路增益。
电压检测。
这个引脚上检测输出电压的信息和放电时间基
电压的辅助绕组。该引脚连接的两个分压电阻器和一个电容器。
供应量。
电源引脚。集成电路的工作电流和MOSFET的驱动电流供给
使用该引脚。该引脚被连接到外部V
DD
电容器通常10μF的。该
阈值电压启动和关断的16V和5V分别。工作电流
比5毫安低。
无连接。
沥干。
该引脚为高电压功率MOSFET的漏极。
VDD
NC
漏
2009仙童半导体公司
FSEZ1016A 版本1.0.2
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FSEZ1016A - 初级端调节PWM集成功率MOSFET
绝对最大额定值
应力超过绝对最大额定值可能会损坏设备。该设备可能不能正常运行或
操作上面推荐的工作条件，并强调部分这些级别是不推荐的。
此外，过度暴露在高于推荐的工作条件下，会影响器件的可靠性。
绝对最大额定值仅为应力额定值。
符号
V
DD
V
VS
V
CS
V
COMV
V
COMI
V
DS
I
D
I
DM
E
AS
I
AR
P
D
Θ
JA
Θ
JC
T
J
T
英镑
T
L
ESD
直流电源电压
(1,2)
参数
VS引脚输入电压
CS引脚输入电压
电压误差放大器的输出电压
电压误差放大器的输出电压
漏源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
功率耗散（T
A
＜50°C)
热阻（结到空气）
热阻（结到外壳）
工作结温
存储温度范围
焊接温度（波峰焊或IR ， 10秒）
静电放电能力
人体模型，
JEDEC ： JESD22- A114
带电器件模型，
JEDEC ： JESD22- C101
T
C
=25°C
T
C
=100°C
分钟。
-0.3
-0.3
-0.3
-0.3
马克斯。
30
7.0
7.0
7.0
7.0
600
1.0
0.6
4
33
1
660
153
39
单位
V
V
V
V
V
V
A
A
A
mJ
A
mW
° C / W
° C / W
°C
°C
°C
kV
-40
-55
+150
+150
+260
2
2
注意事项：
1.强调超出上述绝对最大额定值可能会导致器件永久性损坏。
2.所有的电压值，除了差分电压，给出相对于GND管脚。
推荐工作条件
推荐的操作条件表德网络网元设备的实际运行情况。推荐
工作条件规定，以确保最佳性能达到数据表规格。飞兆半导体不
建议超过或设计，以绝对最大额定值。
符号
T
A
参数
工作环境温度
条件
分钟。
-40
典型值。
马克斯。
+125
单位
°C
2009仙童半导体公司
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FSEZ1016A - 初级端调节PWM集成功率MOSFET
电气特性
V
DD
= 15V和T
A
= -40 ° C + 125°C （T
A
=T
J
）中，除非另有说明。
符号
V
DD
部分
V
OP
V
DD -ON
V
DD -OFF
I
DD -ST
I
DD -OP
参数
连续工作电压
导通阈值电压
关断阈值电压
启动电流
工作电流
条件
分钟。
典型值。
MAX 。单位
25
V
V
V
μA
mA
15
4.5
0<V
DD
＆ LT ; V
DD -ON
-0.16V
V
DD
= 20V ，女
S
= f
OSC
V
VS
=2V, V
CS
=3V
C
L
=1nF
V
DD
=20V, V
VS
=2.7V
C
L
= 1nF的，V
COMV
=0V
f
S
=f
OSC -N -MIN
, V
CS
=0V
V
CS
=3V, V
VS
=2.3V
f
S
=f
OSC
, V
VS
=2.3V
T
A
=25°C
T
A
=25°C
T
A
=25°C
V
VS
=2.7V, V
COMV
=0V
V
VS
=2.3V, V
CS
=0.5V
T
A
= 25 ° C，V
DD
-10V TO
25V
T
A
= -40 ° C至+ 125°C
27
100
40
±1.8
16
5.0
3.7
3.5
17
5.5
10.0
5.0
I
DD- GREEN
V
DD- OVP
t
D- VDDOVP
绿色模式工作电源电流
V
DD
OVP电平
V
DD
OVP去抖时间
中心频率
跳频范围
1.0
28
250
43
±2.6
3
550
20
2.5
29
400
46
±3.6
mA
V
μs
振荡器部分
f
OSC
f
FHR
f
OSC -N -MIN
f
OSC -CM -MIN
f
DV
f
DT
频率
千赫
ms
Hz
千赫
5
20
%
%
跳频周期
最小频率空载
最小频率CCM
频率变化与V
DD
偏差
频率变化与温度的关系
偏差
灌电流欠压保护
IC补偿偏置电流
自适应偏置电压为V为主
COMV
电压检测科
I
VS- UVP
I
tc
V
BIAS - COMV
R
VS
=20k
V
COMV
= 0V ，T
A
=25°C,
R
VS
=20K
180
9.5
1.4
μA
μA
V
电流检测科
t
PD
t
MIN -N
t
MINCC
V
TH
V
IR
I
I- SINK
I
I- SOURCE
V
I- HGH
传播延迟到GATE输出
最小导通时间，在无负载
最小导通时间在CC模式
阈值电压电流限制
参考电压
输出灌电流
输出源电流
输出高电压
V
CS
=3V, V
COMI
=2.5V
V
CS
=0V, V
COMI
=2.5V
V
CS
=0V
4.5
2.475
V
VS
= -0.8V ，R
CS
=2k
V
COMV
=1V
V
VS
=0V, V
COMV
=2V
100
1100
300
1.3
2.500
55
55
2.525
200
ns
ns
ns
V
V
μA
μA
V
电流误差放大器部分
续下页...
2009仙童半导体公司
FSEZ1016A 版本1.0.2
www.fairchildsemi.com
5
www.fairchildsemi.com
AN-6067
设计和原边调节中的应用（ PSR ）
PWM控制器
FAN100 / FAN102 / FSEZ1016A / FSEZ1216
抽象
本应用笔记介绍了使用一个典型的充电器
PSR控制器。该控制器的两个特征，以及
作为电源适配器的操作，现介绍
的细节。基础上，提出设计准则，设计
例如有详细的参数给出证明
控制器的性能优越。
特点
恒定电压（ CV）和恒流（ CC ）
控制，无需次级反馈电路
精确的恒流飞兆半导体的取得
所有权
TRUECURRENT
技术
绿色模式功能： PWM频率降低
线性
固定PWM频率在42kHz与频率
跳频解决EMI问题
低启动电流： 10μA （典型值）
低工作电流： 3.5毫安（典型值）
峰值电流模式控制
逐周期电流限制
V
DD
过电压保护（ OVP ）
V
DD
欠压锁定（UVLO ）
GATE输出最大电压钳位在18V
修正过温保护（ OTP ）
电缆补偿CV紧调控
（ FAN102 / FSEZ1216 ）
应用
电池充电器为移动电话，无绳电话，
PDA，数码相机，电动工具
用于更换线性的最优选择
变压器和RCC开关电源
PSR PWM控制器
FAN100
FAN102
FSEZ1016A
FSEZ1216
PSR PWM控制器
FAN100 +电缆补偿
FAN100 + MOSFET（ 1A / 600V ）
FAN102 + MOSFET（ 1A / 600V ）
销刀豆网络gurations
图1. FAN100
2008飞兆半导体公司
修订版1.0.1 10年1月26日
图2. FAN102
图3. FSEZ1016A
图4. FSEZ1216
www.fairchildsemi.com
AN-6067
应用说明
典型应用
VBUS
7
VDD
VS
5
门
7
VDD
3
COMI
4
COMV
VS
5
门
3
COMI
4
COMV
6
SGND
8
8
CS
保护地
1
2
CS
1
6
GND
库玛
2
FAN100
图5. FAN100
图6. FAN102 （ FAN100 +电缆补偿）
VBUS
VBUS
6
VDD
3
COMI
4
COMV
VS
5
6
VDD
3
COMI
VS
5
漏
漏
CS
8
8
1
1
4
COMV
7
GND
CS
2
GND
北卡罗来纳州
7
库玛
2
FSEZ1016A
图7. FSEZ1016A （ FAN100 + MOSFET ）
FSEZ1216
图8. FSEZ1216 （ FAN102 + MOSEFET ）
2008飞兆半导体公司
修订版1.0.1 10年1月26日
www.fairchildsemi.com
2
AN-6067
应用说明
方框图
图9. FSEZ1016A （ FAN100 + MOSFET ）
2008飞兆半导体公司
修订版1.0.1 10年1月26日
www.fairchildsemi.com
3
AN-6067
应用说明
方框图
（续）
图10. FSEZ1216 （ FAN102 + MOSFET ）
2008飞兆半导体公司
修订版1.0.1 10年1月26日
www.fairchildsemi.com
4
FSEZ1016A - 初级端调节PWM集成功率MOSFET
2010年1月
FSEZ1016A
初级端调节PWM集成功率MOSFET
特点
恒定电压（ CV）和恒流（ CC ）
控制，无需次级反馈电路
精确的恒流飞兆半导体的取得
所有权
TRUECURRENT
技术
绿色模式：频率减少在轻载
固定PWM频率在43kHz与频率
跳频以降低EMI
低启动电流：最大10μA
低工作电流： 3.5毫安
峰值电流模式控制在CV模式
逐周期电流限制
过温保护（ OTP ）
与自动重启
欠压保护和自动重启
V
DD
过电压保护（ OVP ）与
自动重启
V
DD
欠压锁定（UVLO ）
SOIC- 7封装
描述
这一次侧PWM集成功率MOSFET
显著简化了需要的电源设计
CV和CC调控能力。 FSEZ1016A控制
的输出电压，并与仅精确电流
在电源的初级侧的信息，而不是
仅除去输出电流检测损耗，而且还
消除所有次级反馈电路。
绿色模式功能具有低启动电流
（ 10μA ）最大化了轻负载效率这样的功率
供应可满足严格的待机功耗规范。
与传统的二次侧调节比较
方法;在FSEZ1016A可以降低总成本，
部件
算，
大小，
和
权重;
而
同时提高效率，生产率和
系统的可靠性。
FSEZ1016A可在7引脚SOIC封装。
典型的输出CV / CC特性的信封显示
在网络连接gure 1 。
应用
电池充电器为移动电话，无绳电话
手机，PDA ，数码相机，电动工具
替代线性变压器和RCC开关电源
离线高亮度（ HB ） LED驱动器
相关资源
AN- 6067设计指南FAN100 / 102和
FSEZ1016A/1216
图1 。
典型输出V-I特性
订购信息
产品型号
操作
温度
范围
-40°C至+ 125°C
MOSFET
BV
DSS
MOSFET
R
DS （ ON）
9.3Ω
（典型值）
ECO
状态
绿色
包
7引脚，小外形
集成电路
封装（ SOIC ）
填料
法
磁带&卷轴
FSEZ1016AMY
600V
对于生态地位飞兆半导体的定义，请访问：
http://www.fairchildsemi.com/company/green/rohs_green.html 。
2009仙童半导体公司
FSEZ1016A 版本1.0.2
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FSEZ1016A - 初级端调节PWM集成功率MOSFET
应用框图
C
SN2
桥
整流器器
二极管
C
DL
R
SN2
V
O
V
DL
+
-
R
开始
D
SN
D
DD
AC线路
R
CS
1
R
SN1
C
SN1
N
P
N
S
D
R
C
O
I
O
FSEZ1016A
CS
漏
8
C
DD
N
A
2 GND
3 COMI
4 COMV
VDD 6
5 VS
R
S1
R
S2
C
COMI
R
COMI
C
COMV
R
COMV
C
S
图2中。
典型用途
内部框图
网络连接gure 3 。
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功能框图
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标识信息
F
- 飞兆半导体徽标
- 植物码
X - 1位数年份代码
- 1位周码
TT - 2位数模运行代码
牛逼 - 封装类型（M = SOIC ）
P - Y：绿色包装
米 - 制造流程守则
ZXYTT
EZ1016A
TPM
图4中。
顶标
引脚配置
图5中。
引脚配置
引脚德网络nitions
针＃
1
2
3
4
5
6
7
8
名字
CS
GND
COMI
COMV
VS
描述
电流检测。
该引脚连接的电流检测电阻器来感测MOSFET电流为
峰值电流模式控制在CV模式，并提供了输出电流调节的CC模式。
地面上。
恒流环路补偿。
该引脚连接一个电容和之间的电阻
COMI和GND的补偿电流环路增益。
恒定电压环路补偿。
该引脚连接一个电容和之间的电阻
COMV和GND的补偿电压环路增益。
电压检测。
这个引脚上检测输出电压的信息和放电时间基
电压的辅助绕组。该引脚连接的两个分压电阻器和一个电容器。
供应量。
电源引脚。集成电路的工作电流和MOSFET的驱动电流供给
使用该引脚。该引脚被连接到外部V
DD
电容器通常10μF的。该
阈值电压启动和关断的16V和5V分别。工作电流
比5毫安低。
无连接。
沥干。
该引脚为高电压功率MOSFET的漏极。
VDD
NC
漏
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FSEZ1016A - 初级端调节PWM集成功率MOSFET
绝对最大额定值
应力超过绝对最大额定值可能会损坏设备。该设备可能不能正常运行或
操作上面推荐的工作条件，并强调部分这些级别是不推荐的。
此外，过度暴露在高于推荐的工作条件下，会影响器件的可靠性。
绝对最大额定值仅为应力额定值。
符号
V
DD
V
VS
V
CS
V
COMV
V
COMI
V
DS
I
D
I
DM
E
AS
I
AR
P
D
Θ
JA
Θ
JC
T
J
T
英镑
T
L
ESD
直流电源电压
(1,2)
参数
VS引脚输入电压
CS引脚输入电压
电压误差放大器的输出电压
电压误差放大器的输出电压
漏源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
功率耗散（T
A
＜50°C)
热阻（结到空气）
热阻（结到外壳）
工作结温
存储温度范围
焊接温度（波峰焊或IR ， 10秒）
静电放电能力
人体模型，
JEDEC ： JESD22- A114
带电器件模型，
JEDEC ： JESD22- C101
T
C
=25°C
T
C
=100°C
分钟。
-0.3
-0.3
-0.3
-0.3
马克斯。
30
7.0
7.0
7.0
7.0
600
1.0
0.6
4
33
1
660
153
39
单位
V
V
V
V
V
V
A
A
A
mJ
A
mW
° C / W
° C / W
°C
°C
°C
kV
-40
-55
+150
+150
+260
2
2
注意事项：
1.强调超出上述绝对最大额定值可能会导致器件永久性损坏。
2.所有的电压值，除了差分电压，给出相对于GND管脚。
推荐工作条件
推荐的操作条件表德网络网元设备的实际运行情况。推荐
工作条件规定，以确保最佳性能达到数据表规格。飞兆半导体不
建议超过或设计，以绝对最大额定值。
符号
T
A
参数
工作环境温度
条件
分钟。
-40
典型值。
马克斯。
+125
单位
°C
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FSEZ1016A - 初级端调节PWM集成功率MOSFET
电气特性
V
DD
= 15V和T
A
= -40 ° C + 125°C （T
A
=T
J
）中，除非另有说明。
符号
V
DD
部分
V
OP
V
DD -ON
V
DD -OFF
I
DD -ST
I
DD -OP
参数
连续工作电压
导通阈值电压
关断阈值电压
启动电流
工作电流
条件
分钟。
典型值。
MAX 。单位
25
V
V
V
μA
mA
15
4.5
0<V
DD
＆ LT ; V
DD -ON
-0.16V
V
DD
= 20V ，女
S
= f
OSC
V
VS
=2V, V
CS
=3V
C
L
=1nF
V
DD
=20V, V
VS
=2.7V
C
L
= 1nF的，V
COMV
=0V
f
S
=f
OSC -N -MIN
, V
CS
=0V
V
CS
=3V, V
VS
=2.3V
f
S
=f
OSC
, V
VS
=2.3V
T
A
=25°C
T
A
=25°C
T
A
=25°C
V
VS
=2.7V, V
COMV
=0V
V
VS
=2.3V, V
CS
=0.5V
T
A
= 25 ° C，V
DD
-10V TO
25V
T
A
= -40 ° C至+ 125°C
27
100
40
±1.8
16
5.0
3.7
3.5
17
5.5
10.0
5.0
I
DD- GREEN
V
DD- OVP
t
D- VDDOVP
绿色模式工作电源电流
V
DD
OVP电平
V
DD
OVP去抖时间
中心频率
跳频范围
1.0
28
250
43
±2.6
3
550
20
2.5
29
400
46
±3.6
mA
V
μs
振荡器部分
f
OSC
f
FHR
f
OSC -N -MIN
f
OSC -CM -MIN
f
DV
f
DT
频率
千赫
ms
Hz
千赫
5
20
%
%
跳频周期
最小频率空载
最小频率CCM
频率变化与V
DD
偏差
频率变化与温度的关系
偏差
灌电流欠压保护
IC补偿偏置电流
自适应偏置电压为V为主
COMV
电压检测科
I
VS- UVP
I
tc
V
BIAS - COMV
R
VS
=20k
V
COMV
= 0V ，T
A
=25°C,
R
VS
=20K
180
9.5
1.4
μA
μA
V
电流检测科
t
PD
t
MIN -N
t
MINCC
V
TH
V
IR
I
I- SINK
I
I- SOURCE
V
I- HGH
传播延迟到GATE输出
最小导通时间，在无负载
最小导通时间在CC模式
阈值电压电流限制
参考电压
输出灌电流
输出源电流
输出高电压
V
CS
=3V, V
COMI
=2.5V
V
CS
=0V, V
COMI
=2.5V
V
CS
=0V
4.5
2.475
V
VS
= -0.8V ，R
CS
=2k
V
COMV
=1V
V
VS
=0V, V
COMV
=2V
100
1100
300
1.3
2.500
55
55
2.525
200
ns
ns
ns
V
V
μA
μA
V
电流误差放大器部分
续下页...
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