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FSCM0565R
特点
绿色模式飞兆功率开关（ FPS
TM
)
内部雪崩坚固的SenseFET
低启动电流（最大为40uA ）
在240VAC下1瓦功耗低，
0.4W负载
精确的固定工作频率（ 66kHz ）
频率调制的低EMI
通过脉冲电流限制脉冲（可调）
过电压保护（ OVP ）
过载保护（ OLP ）
热关断功能（ TSD ）
自动重启模式
欠压锁定（ UVLO ）与迟滞
内置软启动（ 15毫秒）
输出功率表
230VAC
±15%
(3)
产品
FSCM0565RJ
FSCM0765RJ
FSCM0565RI
FSCM0765RI
FSCM0565RG
FSCM0765RG
Adapt-
er
(1)
50W
65W
50W
65W
70W
85W
开放
FRAME
(2)
65W
70W
65W
70W
85W
95W
85-265VAC
Adapt-
er
(1)
40W
50W
40W
50W
60W
70W
开放
FRAME
(2)
50W
60W
50W
60W
70W
85W
表1.最大输出功率
注意事项：
1.典型的连续输出功率是在不通风的封闭
测定在50 ℃的环境适配器。
2.最大的实际持续输出功率是在开放式框架
设计在50 °C的环境。
3. 230 VAC或100/115 VAC与倍增。
应用
SMPS的VCR ， SVR ， STB ， DVD和DVCD
适配器
SMPS的液晶显示器
相关应用笔记
AN- 4137 ：
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AN- 4140 ：
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采用飞兆功率开关反激式转换器
AN- 4141 ：
故障排除和设计技巧飞兆半导体
电源开关反激应用
AN- 4148 ：
对于FPS有声降噪技术
应用
典型电路
DC
OUT
AC
IN
描述
该FSCM0565R是一个集成脉宽调制器
（PWM）和值SenseFET专门为高设计
高性能离线开关模式电源（ SMPS ）
以最少的外部元件。这个装置是一个
集成高电压功率开关调节器，它
结合了坚固的SenseFET的电流雪崩
模式PWM控制块。 PWM控制器包括
集成的固定频率振荡器，欠压锁定，
前沿消隐（ LEB ） ，优化的栅极驱动器，内部
软启动器，温度补偿精密电流源
一个环路补偿和自我保护电路。
与分立MOSFET和PWM控制器相比，
溶液，它可以减少总成本，元件数量，尺寸
,
和
重量的同时提高效率，生产力，
和系统的可靠性。该器件是一个基本的平台以及
适合用于反激转换器的成本有效的设计。
FPS
TM
是仙童半导体公司的商标。
PWM
I
极限
VFB
VCC
漏
GND
图1.典型的反激式应用
Rev.1.1.0
2005仙童半导体公司
FSCM0565R
引脚德网络nitions
引脚数
1
2
3
引脚名称
漏
GND
V
CC
引脚功能说明
该引脚为高电压功率值SenseFET排水。它被设计用来驱动
变压器直接。
此引脚是控制地面和值SenseFET源。
该引脚是正电源电压输入。最初，在启动时，功率为
通过从直流母线的启动电阻提供。当VCC达到12V时，
电力从辅助变压器绕组供电。
该引脚内部连接到PWM比较器的反相输入端。
光耦合器的集电极通常连接到该引脚。对于稳定的操作，
电容应放置在该引脚与GND之间。如果此引脚的电压
达到6.0V ，过负载保护动作造成的停机
FPS 。
该引脚没有连接。
该引脚为逐个脉冲电流限制级别的编程。通过使用一个
电阻到GND该引脚上的电流限制水平是可以改变的。如果该引脚为
悬空，典型电流限制将是2.5A 。
4
反馈（ FB ）
5
6
北卡罗来纳州
I
极限
引脚配置
FSCM0565RJ
D2-PAK-6L
FSCM0565RI
I2-PAK-6L
FSCM0565RJ
FSCM0565RI
6 ： I_limit
5 ：北卡罗来纳州
4 ： FB
3 ： Vcc的
2 ： GND
1 ：排水
6 ： I_limit
5 ：北卡罗来纳州
4 ： FB
3 ： Vcc的
2 ： GND
1 ：排水
FSCM0565RG
TO-220-6L
FSCM0565RG
6. I_limit
5.北卡罗来纳州
4. FB
3. Vcc的
2. GND
1.漏
图3.引脚CON组fi guration （顶视图）
3
FSCM0565R
绝对最大额定值
（TA = 25℃ ，除非另有说明）。
参数
漏源极（ GND ）的电压
(1)
漏，栅极电压（R
GS
=1MΩ)
门源（ GND ）电压
漏电流脉冲
(2)
连续漏电流（ D2 - PAK ， I2 -PAK ）
@ TC = 25°C
@ T = 100℃
连续漏电流（ TO- 220 ）
@ TC = 25°C
@ T = 100℃
电源电压
模拟输入电压范围
总功率耗散（ D2 - PAK ， I2 -PAK ）
总功率耗散（ TO- 220 ）
工作结温
工作环境温度
存储温度范围
ESD能力， HBM型号
（除Vfb的所有引脚）
ESD能力，机器型号
（除Vfb的所有引脚）
I
D
I
D
V
CC
V
FB
P
D
P
D
T
J
T
A
T
英镑
-
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
I
DM
I
D
I
D
价值
650
650
±30
20
3.9
2.5
5
3.2
20
-0.3到V
CC
75
120
内部限制
-25至+85
-55到+150
2.0
（ GND - VFB = 1.5KV ）
（VCC - VFB =在1.0kV ）
300
（ GND - VFB = 250V ）
（VCC - VFB = 100V ）
单位
V
V
V
A
DC
A
DC
A
DC
A
DC
A
DC
V
V
W
W
°C
°C
°C
kV
-
V
注意事项：
1. T
j
= 25 ℃至150 ℃的
2.重复评价：脉冲宽度有限的最高结温
.
热阻抗
参数
结到环境的热
结至外壳热（ D2 - PAK ， I2 -PAK ）
结至外壳热（ TO- 220 ）
注意：
1.免费标准下自然对流无散热器
2.无限冷却条件 - 参考SEMI G30-88 。
符号
价值
-
1.7
1.0
单位
° C / W
° C / W
° C / W
θ
JA
(1)
θ
JC
(2)
θ
JC
(2)
4
FSCM0565R
电气特性
（ TA = 25 ℃，除非另有规定。 ）
参数
SENSEFET节
漏源击穿电压
零栅极电压电流
静态漏源导通电阻
(1)
输出电容
打开延迟时间
上升时间
关闭延迟时间
下降时间
控制部分
初始频率
调制频率范围
频率调制周期
电压稳定
温度稳定性
(2)
最大占空比
最小占空比
启动阈值电压
停止阈值电压
反馈源电流
软启动时间
突发模式部分
突发模式电压
(2)
V
BH
VB
L
V
CC
=14V
V
CC
= 14V
0.4
0.24
0.5
0.3
0.6
0.36
V
V
F
OSC
ΔF
MOD
T
MOD
F
稳定
ΔF
OSC
D
最大
D
民
V
开始
V
停止
I
FB
T
SS
V
CC
= 14V, V
FB
= 5V
-
-
10V
≤
V
CC
≤
17V
25°C ≤
Ta
≤
+85°C
-
-
V
FB
= GND
V
FB
= GND
V
FB
= GND
-
60
-
-
0
-
75
-
11
7
0.7
10
66
±3
4
1
±5
80
-
12
8
0.9
15
72
-
-
3
±10
85
0
13
9
1.1
20
千赫
千赫
ms
%
%
%
%
V
V
mA
ms
BV
DSS
I
DSS
R
DS （ ON）
C
OSS
T
D（上）
T
R
T
D（关闭）
T
F
V
GS
= 0V时，我
D
= 250μA
V
DS
=最大，等级
V
GS
= 0V
V
GS
= 10V ，我
D
= 2.3A
V
GS
= 0V, V
DS
= 25V,
F = 1MHz的
V
DD
= 325V ，我
D
= 5A
（ MOSFET开关
时间基本上是
独立
工作温度）
650
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1.76
78
22
52
95
50
-
500
2.2
-
-
-
ns
-
-
V
μA
Ω
符号
条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
pF
注意事项：
1.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2%
2.这些参数，虽然保证在该设计中，不是在大量生产测试。
5
QQ：2880707522 复制
