FSBB30CH60智能功率模块
2005年4月
FSBB30CH60
智能功率模块
特点
UL认证No.E209204 （ SPM27 - EA包）
由于采用DBC热阻非常低
600V - 30A三相IGBT逆变桥，包括控制IC
为栅极驱动和保护
逆变器电流检测分为负直流母线端子
应用
因单端接地电源内置HVIC
的2500Vrms的/ min的额定隔离电压。
SPM
概述
TM
应用
AC 100V 253V的三相逆变器驱动小功率
交流马达驱动器
家电像空调和耐洗的应用
荷兰国际集团的机器。
它是一种先进的智能功率模块（ SPM
TM
）的仙童
新开发和设计提供非常紧凑
和高性能交流马达驱动器主要针对低
像空调和耐洗电源逆变器驱动的应用程序
荷兰国际集团的机器。它结合了优化的保护电路和驱动
匹配低损耗IGBT的。系统的可靠性进一步
通过集成欠压锁定和短期强化
电路保护。高速内置HVIC中提供光耦
耦合器无单电源的进一IGBT栅极驱动能力
疗法减少的逆变器系统的整体大小。每
逆变器的相电流可分别监视由于
在分立的负端子。
顶视图
44mm
底部视图
26.8mm
图1 。
2005仙童半导体公司
1
www.fairchildsemi.com
FSBB30CH60版本C
FSBB30CH60智能功率模块
集成电源功能
600V -30A的IGBT逆变为三相DC / AC功率转换（请参考图3）
集成驱动，保护和系统控制功能
对于逆变器的高侧IGBT ：门极驱动电路，高压隔离的高速电平转换
控制电路欠压（UV）保护
注）可用的自举电路的例子中给出了图10和11 。
对于逆变器低压侧IGBT ：门极驱动电路，短路保护（ SC ）
控制电源电路欠压（ UV）保护
故障信号：对应于UV故障（低端电源）
输入接口： 3.3 / 5V CMOS / LSTTL兼容，施密特触发输入
引脚配置
顶视图
13.7
(1) V
CC （L）的
（ 2 ） COM
（3）在
（UL）的
（4）在
（ VL）的
（5）在
（ WL ）
(6) V
FO
(7) C
FOD
(8) C
SC
（9）在
（UH ）
(10) V
CC （ UH ）
(11) V
B（ U）
(12) V
S（ U）
（13）在
（V H）
(14) V
CC （V H）
(15) V
B（ V）
(16) V
S（ V）
（17）在
（ WH ）
(18) V
CC （ WH ）
(19) V
B（ W）
(20) V
S（ W）的
(21) N
U
(22) N
V
19.2
(23) N
W
(24) U
外壳温度（T ）
C
检测点
(25) V
(26) W
DBC基板
(27) P
图2中。
FSBB30CH60版本C
2
www.fairchildsemi.com
FSBB30CH60智能功率模块
内部等效电路和输入/输出引脚
P (27)
(19) V
B（ W）
(18) V
CC （ W H ）
VB
VCC
COM
IN
OU牛逼
VS
W (26)
（17）在
（ W H ）
(20) V
S（ W）的
(15) V
B（ V）
(14) V
CC （V H）
VB
VCC
COM
IN
OU牛逼
VS
V (25)
（13）在
（V H）
(16) V
S（ V）
(11) V
B（ U）
(10) V
CC （ UH ）
VB
VCC
COM
IN
VS
U (24)
OU牛逼
（9）在
（UH ）
(12) V
S（ U）
(8) C
SC
(7) C
FO
(6) V
FO
C（ SC ）
C（ FOD ）
VFO
OUT （ W L ）
N
W
(23)
（5）在
（W L）的
（4）在
（ VL）的
（3）在
（UL）的
（ 2 ） CO M
(1) V
CC （L）的
在（ W L ）输出（ VL）的
IN（ VL）的
IN （UL）的
COM
VCC
OUT （UL）的
V
SL
N
U
(21)
N
V
(22)
注意：
1.逆变器低端由三个IGBT ，续流二极管，每个IGBT和一个控制集成电路。它具有栅极驱动和保护功能。
2.逆变电源侧由四个逆变器直流母线输入端子和三个逆变器输出端。
3.逆变器的高侧是由三个IGBT ，续流二极管和每个IGBT的三个驱动器集成电路。
网络连接gure 3 。
FSBB30CH60版本C
4
www.fairchildsemi.com
FSBB30CH60智能功率模块
绝对最大额定值
(T
J
= 25°C,
逆变部分
符号
V
PN
V
PN （浪涌）
V
CES
± I
C
± I
CP
P
C
T
J
注意：
除非另有规定编）
参数
电源电压
电源电压（浪涌）
集电极 - 发射极电压
集电极电流
集电极电流（峰值）
集电极耗散
工作结温
T
C
= 25°C
条件
P- n的应用
U
, N
V
, N
W
P- n的应用
U
, N
V
, N
W
等级
450
500
600
30
45
103
-20 ~ 125
单位
V
V
V
A
A
W
°C
T
C
= 25 ° C，在1毫秒脉冲宽度
T
C
每一片= 25°C
（注1 ）
1. SPM内部集成功率芯片的最高结温额定值为150 ° C（ @T
C
≤
100 ℃）。然而，为了保证在SPM的安全运行，平均
结温度应限制至T
J（下AVE ）
≤
125°C （ @T
C
≤
100°C)
控制部分
符号
V
CC
V
BS
V
IN
V
FO
I
FO
V
SC
参数
控制电源电压
高侧控制偏差
电压
输入信号电压
故障输出电源电压
故障输出电流
条件
V的应用
CC （ UH ）
, V
CC （V H）
, V
CC （ WH ）
, V
CC （L）的
-
COM
V的应用
B（ U）
- V
S（ U）
, V
B（ V）
- V
S（ V）
, V
B（ W）
-
V
S（ W）的
在应用之间
（UH ）
在
（V H）
在
（ WH ）
在
（UL）的
在
（ VL）的
,
IN
（ WL ）
- COM
V的应用
FO
- COM
吸收电流在V
FO
针
等级
20
20
-0.3~17
-0.3~V
CC
+0.3
5
-0.3~V
CC
+0.3
单位
V
V
V
V
mA
V
电流检测输入电压C的差别应用
SC
- COM
系统总
符号
V
PN （ PROT ）
T
C
T
英镑
V
ISO
参数
自我保护限制电压
（短路保护功能）
工作壳温
储存温度
隔离电压
条件
V
CC
= V
BS
= 13.5 ~ 16.5V
T
J
= 125 ℃，非重复，小于2μs的
-20 ° C≤牛逼
J
≤
125°C ，参见图2
60Hz的正弦，AC 1分钟，连接
引脚陶瓷基板
等级
400
-20 ~ 100
-40 ~ 125
2500
单位
V
°C
°C
V
RMS
热阻
符号
R
日（J -C ） Q
R
日（J -C ）F
注意：
2.对于壳体温度的测量点（T
C
） ，请参考图2 。
参数
结到外壳热
阻力
条件
IGBT逆变器部分（每1/6模块）
变频器FWD部分（每1/6模块）
分钟。
-
-
典型值。
-
-
MAX 。单位
0.97
1.77
° C / W
° C / W
FSBB30CH60版本C
5
www.fairchildsemi.com
FSBB30CH60智能功率模块
2005年4月
FSBB30CH60
智能功率模块
特点
UL认证No.E209204 （ SPM27 - EA包）
由于采用DBC热阻非常低
600V - 30A三相IGBT逆变桥，包括控制IC
为栅极驱动和保护
逆变器电流检测分为负直流母线端子
应用
因单端接地电源内置HVIC
的2500Vrms的/ min的额定隔离电压。
SPM
概述
TM
应用
AC 100V 253V的三相逆变器驱动小功率
交流马达驱动器
家电像空调和耐洗的应用
荷兰国际集团的机器。
它是一种先进的智能功率模块（ SPM
TM
）的仙童
新开发和设计提供非常紧凑
和高性能交流马达驱动器主要针对低
像空调和耐洗电源逆变器驱动的应用程序
荷兰国际集团的机器。它结合了优化的保护电路和驱动
匹配低损耗IGBT的。系统的可靠性进一步
通过集成欠压锁定和短期强化
电路保护。高速内置HVIC中提供光耦
耦合器无单电源的进一IGBT栅极驱动能力
疗法减少的逆变器系统的整体大小。每
逆变器的相电流可分别监视由于
在分立的负端子。
顶视图
44mm
底部视图
26.8mm
图1 。
2005仙童半导体公司
1
www.fairchildsemi.com
FSBB30CH60版本C
FSBB30CH60智能功率模块
集成电源功能
600V -30A的IGBT逆变为三相DC / AC功率转换（请参考图3）
集成驱动，保护和系统控制功能
对于逆变器的高侧IGBT ：门极驱动电路，高压隔离的高速电平转换
控制电路欠压（UV）保护
注）可用的自举电路的例子中给出了图10和11 。
对于逆变器低压侧IGBT ：门极驱动电路，短路保护（ SC ）
控制电源电路欠压（ UV）保护
故障信号：对应于UV故障（低端电源）
输入接口： 3.3 / 5V CMOS / LSTTL兼容，施密特触发输入
引脚配置
顶视图
13.7
(1) V
CC （L）的
（ 2 ） COM
（3）在
（UL）的
（4）在
（ VL）的
（5）在
（ WL ）
(6) V
FO
(7) C
FOD
(8) C
SC
（9）在
（UH ）
(10) V
CC （ UH ）
(11) V
B（ U）
(12) V
S（ U）
（13）在
（V H）
(14) V
CC （V H）
(15) V
B（ V）
(16) V
S（ V）
（17）在
（ WH ）
(18) V
CC （ WH ）
(19) V
B（ W）
(20) V
S（ W）的
(21) N
U
(22) N
V
19.2
(23) N
W
(24) U
外壳温度（T ）
C
检测点
(25) V
(26) W
DBC基板
(27) P
图2中。
FSBB30CH60版本C
2
www.fairchildsemi.com
FSBB30CH60智能功率模块
内部等效电路和输入/输出引脚
P (27)
(19) V
B（ W）
(18) V
CC （ W H ）
VB
VCC
COM
IN
OU牛逼
VS
W (26)
（17）在
（ W H ）
(20) V
S（ W）的
(15) V
B（ V）
(14) V
CC （V H）
VB
VCC
COM
IN
OU牛逼
VS
V (25)
（13）在
（V H）
(16) V
S（ V）
(11) V
B（ U）
(10) V
CC （ UH ）
VB
VCC
COM
IN
VS
U (24)
OU牛逼
（9）在
（UH ）
(12) V
S（ U）
(8) C
SC
(7) C
FO
(6) V
FO
C（ SC ）
C（ FOD ）
VFO
OUT （ W L ）
N
W
(23)
（5）在
（W L）的
（4）在
（ VL）的
（3）在
（UL）的
（ 2 ） CO M
(1) V
CC （L）的
在（ W L ）输出（ VL）的
IN（ VL）的
IN （UL）的
COM
VCC
OUT （UL）的
V
SL
N
U
(21)
N
V
(22)
注意：
1.逆变器低端由三个IGBT ，续流二极管，每个IGBT和一个控制集成电路。它具有栅极驱动和保护功能。
2.逆变电源侧由四个逆变器直流母线输入端子和三个逆变器输出端。
3.逆变器的高侧是由三个IGBT ，续流二极管和每个IGBT的三个驱动器集成电路。
网络连接gure 3 。
FSBB30CH60版本C
4
www.fairchildsemi.com
FSBB30CH60智能功率模块
绝对最大额定值
(T
J
= 25°C,
逆变部分
符号
V
PN
V
PN （浪涌）
V
CES
± I
C
± I
CP
P
C
T
J
注意：
除非另有规定编）
参数
电源电压
电源电压（浪涌）
集电极 - 发射极电压
集电极电流
集电极电流（峰值）
集电极耗散
工作结温
T
C
= 25°C
条件
P- n的应用
U
, N
V
, N
W
P- n的应用
U
, N
V
, N
W
等级
450
500
600
30
45
103
-20 ~ 125
单位
V
V
V
A
A
W
°C
T
C
= 25 ° C，在1毫秒脉冲宽度
T
C
每一片= 25°C
（注1 ）
1. SPM内部集成功率芯片的最高结温额定值为150 ° C（ @T
C
≤
100 ℃）。然而，为了保证在SPM的安全运行，平均
结温度应限制至T
J（下AVE ）
≤
125°C （ @T
C
≤
100°C)
控制部分
符号
V
CC
V
BS
V
IN
V
FO
I
FO
V
SC
参数
控制电源电压
高侧控制偏差
电压
输入信号电压
故障输出电源电压
故障输出电流
条件
V的应用
CC （ UH ）
, V
CC （V H）
, V
CC （ WH ）
, V
CC （L）的
-
COM
V的应用
B（ U）
- V
S（ U）
, V
B（ V）
- V
S（ V）
, V
B（ W）
-
V
S（ W）的
在应用之间
（UH ）
在
（V H）
在
（ WH ）
在
（UL）的
在
（ VL）的
,
IN
（ WL ）
- COM
V的应用
FO
- COM
吸收电流在V
FO
针
等级
20
20
-0.3~17
-0.3~V
CC
+0.3
5
-0.3~V
CC
+0.3
单位
V
V
V
V
mA
V
电流检测输入电压C的差别应用
SC
- COM
系统总
符号
V
PN （ PROT ）
T
C
T
英镑
V
ISO
参数
自我保护限制电压
（短路保护功能）
工作壳温
储存温度
隔离电压
条件
V
CC
= V
BS
= 13.5 ~ 16.5V
T
J
= 125 ℃，非重复，小于2μs的
-20 ° C≤牛逼
J
≤
125°C ，参见图2
60Hz的正弦，AC 1分钟，连接
引脚陶瓷基板
等级
400
-20 ~ 100
-40 ~ 125
2500
单位
V
°C
°C
V
RMS
热阻
符号
R
日（J -C ） Q
R
日（J -C ）F
注意：
2.对于壳体温度的测量点（T
C
） ，请参考图2 。
参数
结到外壳热
阻力
条件
IGBT逆变器部分（每1/6模块）
变频器FWD部分（每1/6模块）
分钟。
-
-
典型值。
-
-
MAX 。单位
0.97
1.77
° C / W
° C / W
FSBB30CH60版本C
5
www.fairchildsemi.com
FSBB30CH60智能功率模块
2005年3月
FSBB30CH60
智能功率模块
特点
UL认证No.E209204 （ SPM27 - EA包）
由于采用DBC热阻非常低
600V - 30A三相IGBT逆变桥，包括控制IC
为栅极驱动和保护
逆变器电流检测分为负直流母线端子
应用
因单端接地电源内置HVIC
的2500Vrms的/ min的额定隔离电压。
SPM
概述
TM
应用
AC 100V 253V的三相逆变器驱动小功率
交流马达驱动器
家电像空调和耐洗的应用
荷兰国际集团的机器。
它是一种先进的智能功率模块（ SPM
TM
）的仙童
新开发和设计提供非常紧凑
和高性能交流马达驱动器主要针对低
像空调和耐洗电源逆变器驱动的应用程序
荷兰国际集团的机器。它结合了优化的保护电路和驱动
匹配低损耗IGBT的。系统的可靠性进一步
通过集成欠压锁定和短期强化
电路保护。高速内置HVIC中提供光耦
耦合器无单电源的进一IGBT栅极驱动能力
疗法减少的逆变器系统的整体大小。每
逆变器的相电流可分别监视由于
在分立的负端子。
顶视图
44mm
底部视图
26.8mm
图1 。
2005仙童半导体公司
1
www.fairchildsemi.com
FSBB30CH60版本B
FSBB30CH60智能功率模块
集成电源功能
600V -30A的IGBT逆变为三相DC / AC功率转换（请参考图3）
集成驱动，保护和系统控制功能
对于逆变器的高侧IGBT ：门极驱动电路，高压隔离的高速电平转换
控制电路欠压（UV）保护
注）可用的自举电路的例子中给出了图10和11 。
对于逆变器低压侧IGBT ：门极驱动电路，短路保护（ SC ）
控制电源电路欠压（ UV）保护
故障信号：对应于UV故障（低端电源）
输入接口： 3.3 / 5V CMOS / LSTTL兼容，施密特触发输入
引脚配置
顶视图
13.7
(1) V
CC （L）的
（ 2 ） COM
（3）在
（UL）的
（4）在
（ VL）的
（5）在
（ WL ）
(6) V
FO
(7) C
FOD
(8) C
SC
（9）在
（UH ）
(10) V
CC （ UH ）
(11) V
B（ U）
(12) V
S（ U）
（13）在
（V H）
(14) V
CC （V H）
(15) V
B（ V）
(16) V
S（ V）
（17）在
（ WH ）
(18) V
CC （ WH ）
(19) V
B（ W）
(20) V
S（ W）的
(21) N
U
(22) N
V
19.2
(23) N
W
(24) U
外壳温度（T ）
C
检测点
(25) V
(26) W
DBC基板
(27) P
图2中。
FSBB30CH60版本B
2
www.fairchildsemi.com
FSBB30CH60智能功率模块
内部等效电路和输入/输出引脚
P (27)
(19) V
B（ W）
(18) V
CC （ W H ）
VB
VCC
COM
IN
OU牛逼
VS
W (26)
（17）在
（ W H ）
(20) V
S（ W）的
(15) V
B（ V）
(14) V
CC （V H）
VB
VCC
COM
IN
OU牛逼
VS
V (25)
（13）在
（V H）
(16) V
S（ V）
(11) V
B（ U）
(10) V
CC （ UH ）
VB
VCC
COM
IN
VS
U (24)
OU牛逼
（9）在
（UH ）
(12) V
S（ U）
(8) C
SC
(7) C
FO
(6) V
FO
C（ SC ）
C（ FOD ）
VFO
OUT （ W L ）
N
W
(23)
（5）在
（W L）的
（4）在
（ VL）的
（3）在
（UL）的
（ 2 ） CO M
(1) V
CC （L）的
在（ W L ）输出（ VL）的
IN（ VL）的
IN （UL）的
COM
VCC
OUT （UL）的
V
SL
N
U
(21)
N
V
(22)
注意：
1.逆变器低端由三个IGBT ，包括续流二极管，每个IGBT和一个控制集成电路具有栅极驱动和保护功能。
2.逆变电源侧由四个逆变器直流母线输入端子和三个逆变器输出端。
3.逆变器高端由三个IGBT ，包括续流二极管（FWD）和为每个IGBT的三个驱动器集成电路。
网络连接gure 3 。
FSBB30CH60版本B
4
www.fairchildsemi.com
FSBB30CH60智能功率模块
绝对最大额定值
(T
J
= 25°C,
逆变部分
符号
V
PN
V
PN （浪涌）
V
CES
± I
C
± I
CP
P
C
T
J
注意：
除非另有规定编）
参数
电源电压
电源电压（浪涌）
集电极 - 发射极电压
集电极电流
集电极电流（峰值）
集电极耗散
工作结温
T
C
= 25°C
条件
P- n的应用
U
, N
V
, N
W
P- n的应用
U
, N
V
, N
W
等级
450
500
600
30
45
103
-20 ~ 125
单位
V
V
V
A
A
W
°C
T
C
= 25 ° C，在1毫秒脉冲宽度
T
C
每一片= 25°C
（注1 ）
1. SPM内部集成功率芯片的最高结温额定值为150 ° C（ @T
C
≤
100 ℃）。然而，为了保证在SPM的安全运行，平均
结温度应限制至T
J（下AVE ）
≤
125°C （ @T
C
≤
100°C)
控制部分
符号
V
CC
V
BS
V
IN
V
FO
I
FO
V
SC
参数
控制电源电压
高侧控制偏差
电压
输入信号电压
故障输出电源电压
故障输出电流
条件
V的应用
CC （ UH ）
, V
CC （V H）
, V
CC （ WH ）
, V
CC （L）的
-
COM
V的应用
B（ U）
- V
S（ U）
, V
B（ V）
- V
S（ V）
, V
B（ W）
-
V
S（ W）的
在应用之间
（UH ）
在
（V H）
在
（ WH ）
在
（UL）的
在
（ VL）的
,
IN
（ WL ）
- COM
V的应用
FO
- COM
吸收电流在V
FO
针
等级
20
20
-0.3~17
-0.3~V
CC
+0.3
5
-0.3~V
CC
+0.3
单位
V
V
V
V
mA
V
电流检测输入电压C的差别应用
SC
- COM
系统总
符号
V
PN （ PROT ）
T
C
T
英镑
V
ISO
参数
自我保护限制电压
（短路保护功能）
工作壳温
储存温度
隔离电压
条件
V
CC
= V
BS
= 13.5 ~ 16.5V
T
J
= 125 ℃，非重复，小于2μs的
-20 ° C≤牛逼
J
≤
125°C ，参见图2
60Hz的正弦，AC 1分钟，连接
引脚陶瓷基板
等级
400
-20 ~ 100
-40 ~ 125
2500
单位
V
°C
°C
V
RMS
热阻
符号
R
日（J -C ） Q
R
日（J -C ）F
注意：
2.对于壳体温度的测量点（T
C
） ，请参考图2 。
参数
结到外壳热
阻力
条件
IGBT逆变器部分（每1/6模块）
变频器FWD部分（每1/6模块）
分钟。
-
-
典型值。
-
-
MAX 。单位
0.97
1.77
° C / W
° C / W
FSBB30CH60版本B
5
www.fairchildsemi.com
QQ：2880707522 复制
