FSB67508智能功率模块（ SPM ）
2009年10月
FSB67508
智能功率模块（ SPM
)
特点
R
DS （ ON）的.max
= 11MΩ @我
D
=38A,T
J
= 25 ℃的半桥FRFET
反相器包括高压集成电路（ HVIC）
逆变器电流检测应用程序直流母线电压负端
阳离子
HVIC栅极驱动和保护功能
3 / 5V CMOS / TTL兼容，高电平有效接口
1500VRMS的隔离电压等级为1分钟。
内置自举二极管的封装
SPM
概述
TM
FSB67508是智能功率模块（ SPM
），为紧凑
小功率电机驱动应用，如E-解决方案
骑自行车。它是由2个MOSFET和1半桥式HVIC为
栅极驱动。这提供了一个非常紧凑的，高
性能半桥逆变器中的单个分离的包装。
该包装的热性能进行了优化，并
紧凑在内置电机应用中的使用和
任何其他应用程序，其中装配空间而言。
绝对最大额定值
符号
V
PN
I
D25
I
D80
I
DP
P
D
V
CC
V
BS
V
IN
T
J
T
英镑
R
θJC
参数
DC连接输入电压，
每个FET的漏极 - 源极电压
每个FET的漏极电流，连续
每个FET的漏极电流，连续
每个FET的漏极电流，峰值
最大功率耗散
控制电源电压
高侧偏置电压
输入信号电压
工作结温
储存温度
结到外壳热阻
T
C
= 25°C
T
C
= 80°C
条件
等级
75
38
28
95
32
20
20
-0.3 - Vcc的
-40 ~ 150
-50 ~ 150
单位
V
A
A
A
W
V
V
V
°C
°C
° C / W
T
C
= 25 ° C，脉冲*
T
C
= 25℃时，每
V的应用
CC
和COM
V的应用
B
和U
IN和COM之间施加
每个逆变器的操作条件下
（注1 ）
3.9
*重复评价：脉冲宽度有限的最高结温
2009仙童半导体公司
1
www.fairchildsemi.com
FSB67508版本A
FSB67508智能功率模块（ SPM ）
引脚说明
引脚数
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
引脚名称
P
VS
VB
VCC
HIN
LIN
COM
NC
N
U
正直流母线输入
引脚说明
辅助供电的地高边MOSFET驱动
高侧偏置电压MOSFET驱动
偏置电压IC和低侧MOSFET驱动
用于高侧信号输入
对于低端信号输入
公共电源地
无连接
直流母线电压负输入
产量
（2） VS
（3） VB的
（4） VCC
（ 5 ） HIN
（6） ，LIN
（8）数控
（ 7 ） COM
VB
VCC
HIN
LIN
NC
COM
HO
VS
LO
(9) N
(10) U
(1) P
注意：
每个低侧MOSFET的源极端子连接不提供内部SPM的地面或偏压接地
。外部的连接应使如所示
Figure2.
图1.内部框图
2
FSB67508版本A
www.fairchildsemi.com
FSB67508智能功率模块（ SPM ）
电气特性
(T
J
= 25 ° C，V
CC
=V
BS
= 15V除非另有说明）
逆变部分
（每个MOSFET除非另有说明）
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
/
ΔT
J
I
DSS
R
DS （ ON）
V
SD
t
ON
t
关闭
t
rr
E
ON
E
关闭
RBSOA
（注3）
V = 55V, V
CC
= V
BS
= 15V ，我
D
= I
DP ，
V
DS
ΔBV
DSS
,
反向偏置安全能操作
PN
T
J
= 150°C
阿婷区
高边和低边FET开关（注3 ）
开关时间
参数
条件
民
75
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
0.6
-
9.4
-
550
2000
100
40
190
最大单位
-
-
250
11
1.2
-
-
-
-
-
V
V
μA
mΩ
V
ns
ns
ns
μJ
μJ
漏源击穿
V
IN
= 0V时，我
D
= 250μA （注2）
电压
击穿电压温
I
D
= 250μA ，引用至25℃
漂移系数
零栅极电压
漏电流
静态漏源
导通电阻
漏源二极管
正向电压
V
IN
= 0V, V
DS
= 75V
V
CC
= V
BS
= 15V, V
IN
= 5V ，我
D
= 15A
V
CC
= V
BS
= 15V, V
IN
= 0V时，我
D
= 15A
V
PN
= 48V, V
CC
= V
BS
= 15V ，我
D
= 15A
V
IN
= 0V
5V
感性负载L = 3MH
高边和低边FET开关
完整的正方形
控制部分
（每HVIC除非另有说明）
符号
I
QCC
I
QBS
UV
CCD
UV
CCR
UV
BSD
UV
BSR
V
IH
V
IL
I
IH
I
IL
参数
静态V
CC
当前
静态V
BS
当前
低端欠压
保护（图6）
高侧欠压
保护（图7）
对阈值电压
断阈值电压
输入偏置电流
V
CC
=15V, V
IN
=0V
V
BS
=15V, V
IN
=0V
条件
V的应用
CC
和COM
V的应用
B（ U）
-U,
V
B（ V）
-V, V
B（ W）
-W
最小典型最大单位
-
-
7.4
8.0
7.4
8.0
3.0
-
-
-
-
-
8.0
8.9
8.0
8.9
-
-
10
-
160
100
9.4
9.8
9.4
9.8
-
0.8
20
2
μA
μA
V
V
V
V
V
V
μA
μA
V
CC
欠压保护检测水平
V
CC
欠压保护复位电平
V
BS
欠压保护检测水平
V
BS
欠压保护复位电平
逻辑高电平
逻辑低电平
V
IN
= 5V
V
IN
= 0V
IN和COM之间施加
IN和COM之间施加
注意：
1. BV
DSS
是各FET内的SPM的漏极和源极端子之间的绝对最大额定电压
. V
PN
应足够小于此值，考虑到
杂散电感，使得效果V
DS
应不超过BV
DSS
在任何情况下。
2. t
ON
和T
关闭
包括内部驱动IC的传输延迟时间。所列的值是在实验室测试条件下测得，并且它们可以根据不同
字段applcations由于不同的印刷电路板和布线的效果。请参照图3与图4中的开关的测试电路的切换的时间定义。
3.峰值电流和开关操作过程中各FET的电压应被包括在安全工作区（SOA ） 。请参阅图4为RBSOA测试电路
这是相同的开关的测试电路。
包装标识&订购信息
器件标识
FSB67508
设备
FSB67508
包
SPM10-AA
带尺寸
_
胶带宽度
_
QUANTITY
19
3
FSB67508版本A
www.fairchildsemi.com
FSB67508智能功率模块（ SPM ）
推荐工作条件
符号
V
PN
V
CC
V
BS
V
IN（上）
V
中（关闭）
t
DEAD
f
PWM
参数
电源电压
控制电源电压
高侧偏置电压
输入阈值电压
OFF输入阈值电压
条件
P和N之间施加
V的应用
CC
和COM
V的应用
B
和输出
IN和COM之间施加
价值
分钟。
-
13.5
13
3.0
0
1.0
-
典型值。
48
15
15
-
-
-
15
马克斯。
60
16.5
16.5
V
CC
0.6
-
-
单位
V
V
V
V
V
μs
千赫
消隐时间避
V
CC
=V
BS
= 13.5 20V ，T
J
≤
150°C
臂短
PWM开关频率
T
J
≤
150°C
这些值依赖于
PWM控制算法
15-V
LINE
C
1
VS
P
VB
R
5
VCC
HIN
LIN
NC
C
5
COM
LO
N
n个R
3
HO
VS
U
逆变器
产量
C
3
P
V
DC
FO
1
1
1
1
1
HIN
0
0
1
1
开放
x
LIN
0
1
0
1
开放
x
产量
Z
0
V
DC
被禁止
Z
Z
记
这两个FET关
低侧FET导通
高侧FET导通
SHOOT - THROUGH
同样作为（0， 0）
同样作为（0， 0）
MICOM
10μF
C
2
*引导外观和数据的实施例：
C
1
= C
2
= 1μF的陶瓷电容，
0
注意：
（ 1）缓冲电容， C3 ，应放置在靠近SPM
（ 2） bootsrap电路元件的参数都依赖于PWM算法。对于15 kHz的开关频率，参数典型的例子就是如上图所示。
（ 3 ） RC耦合（R
5
和C
5
）在每个输入端（表示为虚线），也可以用于防止不正当的输入信号由于浪涌噪声。 SPM的信号输入
与兼容
标准CMOS或LSTTL outptus 。
（4）粗体线应短而厚的印刷电路板图案，以具有电路的小寄生电感，这导致浪涌电压的降低。旁路电容如C
1
, C
2
和C
3
应具有良好的高频特性来吸收高频纹波电流。
图2.推荐的CPU接口和自举电路参数
自举二极管部分
符号
V
RRM
I
F
I
FP
T
J
R
B
参数
Maixmum重复反向电压
正向电流
正向电流（峰值）
工作结温
等效电阻引导
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
条件
等级
75
0.5
2
-40 ~ 150
15
单位
V
A
A
°C
Ω
T
C
= 25 ° C，在1毫秒脉冲宽度
4
FSB67508版本A
www.fairchildsemi.com
FSB67508智能功率模块（ SPM ）
V
IN
I
rr
V
DS
我100 ％
D
我120 ％
D
V
IN
I
D
我10 ％
D
I
D
V
DS
t
ON
t
rr
t
关闭
（一）开通
（二）关断
图3.开关时间的定义
V
CC
C
B·S
VS
P
VB
VCC
h的
LIN
NC
COM
为S P M 0：N的电子乐克 iagra米
LO
N
HO
VS
U
+
V
DS
-
L
I
D
V
DC
图4.开关和RBSOA （单脉冲）测试电路（低压侧）
输入信号
紫外线防护
状态
RESET
发现
RESET
低端电源，V
CC
UV
CCR
UV
CCD
MOSFET电流
图5.欠压保护（低端）
输入信号
紫外线防护
状态
RESET
发现
RESET
高端电源，V
BS
UV
BSR
UV
BSD
MOSFET电流
图6.欠压保护（高端）
5
FSB67508版本A
www.fairchildsemi.com
QQ：2881677436 复制
