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FSB649
FSB649
C
E
B
SuperSOT
TM
-3
NPN低饱和晶体管
这些器件的设计具有高电流增益,低饱和电压与集电极电流高达3A
连续的。从工艺NC采购。
绝对最大额定值*
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
T
J,
T
英镑
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
T
A = 25 ° C除非另有说明
FSB649
25
35
5
3
-55到+150
单位
V
V
V
A
°C
工作和存储结温范围
*这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
注意事项:
1 )这些评级是基于150 ° C的最高结温。
2 )这些都是稳定状态的限制。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。
热特性
符号
T
A = 25 ° C除非另有说明
最大
特征
FSB649
P
D
R
θJA
器件总功耗
热阻,结到环境
500
250
mW
° C / W
单位
1999仙童半导体公司
fsb649.lwpPrNC REVA
FSB649
NPN低饱和晶体管
(续)
电气特性
符号
参数
T
A = 25 ° C除非另有说明
测试条件
最大
单位
开关特性
BV
首席执行官
BV
CBO
BV
EBO
I
CBO
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
I
C
= 10毫安
I
C
= 100
A
I
E
= 100
A
V
CB
= 30 V
V
CB
= 30 V ,T
A
=100°C
I
EBO
发射Cuto FF电流
V
EB
= 4V
25
35
5
100
10
100
V
V
V
nA
uA
nA
基本特征*
h
FE
直流电流增益
I
C
= 50 mA时, V
CE
= 2 V
I
C
= 1 A,V
CE
= 2 V
I
C
= 2 A,V
CE
= 2 V
I
C
= 6 A,V
CE
= 2 V
V
CE ( SAT )
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 1 A,I
B
= 100毫安
I
C
= 3 A,I
B
= 300毫安
V
BE ( SAT )
V
BE(上)
基射极饱和电压
基射极电压上
I
C
= 1 A,I
B
= 100毫安
I
C
= 1 A,V
CE
= 2 V
70
100
75
15
300
600
1.25
1
V
V
mV
300
-
小信号特性
C
敖包
f
T
输出电容
跃迁频率
V
CB
= 10 V,I
E
= 0中,f = 1MHz的
I
C
= 100毫安, V
CE
= 5 V , F = 100MHz的
150
50
pF
-
*脉冲测试:脉冲宽度
300
s,
占空比
2.0%
1999仙童半导体公司
fsb649.lwpPrNC REVA
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
深不见底
CoolFET
CROSSVOLT
DenseTrench
DOME
EcoSPARK
E
2
CMOS
TM
EnSigna
TM
FACT
FACT静音系列
放弃
FASTr
FRFET
GlobalOptoisolator
GTO
HiSeC
等平面
LittleFET
的MicroFET
MICROWIRE
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
Power247
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
SILENT SWITCHER
SMART START
* STAR POWER
隐形
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
TruTranslation
UHC
UltraFET
VCX
STAR *电源根据许可证使用
飞兆半导体公司保留随时修改而不进一步RIGHT
注意以下所有产品在提高可靠性,功能或设计。 FAIRCHILD
不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的
或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利
权利,也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用:
2.关键部件是在生命的任何组件
1.生命支持设备或系统的设备或
支持设备或系统,其故障执行能
其中, ( a)打算通过外科手术移植到系统中
可以合理预期造成的生命的失败
人体,或(b )支持或维持生命,或(c ),其
支持设备或系统,或影响其安全性或
不履行时,按照正确使用
与标示中的使用说明,可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据,和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候,恕不另行通知,以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知,以便随时改进设计。
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
牧师H3
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    FSB649
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:0755-23612326
联系人:唐
地址:福田区振兴路华康大厦1栋519室
FSB649
FSC
2019
79600
SOT-3
原装正品 钻石品质 假一赔十
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电话:0755-22655674/15099917285
联系人:小邹
地址:深圳市福田区上步工业区201栋西座228室
FSB649
Fairchild
22+
8047
原厂封装
原装正品★真实库存★价格优势★欢迎洽谈
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电话:0755- 82519391 0755-83209630
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FSB649
ON
24+
16320
SOT-23
全新原装现货热卖
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联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
FSB649
FAIRCHILD
20+
7790
SOT23-3
全新原装正品/质量有保证
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电话:0755-/83218466/83200833
联系人:销售部
地址:深圳市罗湖区北站路1号中贸大厦402
FSB649
HAMOS/汉姆
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22000
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原装正品假一赔百!
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联系人:何小姐
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FSB649
FAIRCHILD
22+
32570
SOT23
全新原装正品/质量有保证
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电话:0755-83515980
联系人:陈先生
地址:深圳市福田区中航路都会大厦B座23X
FSB649
ON/安森美
21+
6000
SMD
原装正品
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院
FSB649
Fairchild Semiconductor
㊣10/11+
9838
贴◆插
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院
FSB649
欧美编号 510
㊣10/11+
9839
贴◆插
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联系人:刘先生
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FSB649
Freescale Semiconductor
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