FSB50825AS智能功率模块（ SPM ）
2012年7月
FSB50825AS
智能功率模块（ SPM
)
特点
250V
DS （ ON）
= 0.45W （最大） 3相FRFET逆变器包括
高压集成电路（ HVIC）
3分负直流母线端子，变频器的电流sens-
ing应用
HVIC栅极驱动和欠压保护
优化了低电磁干扰
1500VRMS的隔离电压等级为1分钟。
HVIC温度传感
内置自举二极管的封装
湿度敏感等级（MSL ） 3
符合RoHS
运动-SPM
应用
TM
小功率交流电机驱动三相逆变器驱动
概述
FSB50825AS是一个很小的智能功率模块（ SPM
）基于
FRFET技术作为小型紧凑型逆变器解决方案
功率电机驱动应用，如风扇电机和水
供应商。它由6个快速恢复MOSFET（ FRFET ）
3半桥的HVIC的FRFET栅极驱动。 FSB50825AS
提供低电磁干扰（EMI）特性
具有优化的开关速度。此外，由于采用了
FRFET作为电源开关，它具有更好的耐用性和
较大的安全操作区（SOA）比的基于IGBT的
功率模块或单芯片解决方案。包进行了优化
用于在使用的热性能和紧凑性
内置电动机应用和任何其他应用程序，其中所述
装配间隙关注。 FSB50825AS是最好的
溶液对紧密变频器提供的能量效率，
紧凑性和低电磁干扰。
2012仙童半导体公司
1
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FSB50825AS版本A
FSB50825AS智能功率模块（ SPM ）
引脚说明
引脚数
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
引脚名称
COM
V
B（ U）
V
CC （ U）
IN
（UH ）
IN
（UL）的
N.C
V
B（ V）
V
CC （ V）
IN
（V H）
IN
（ VL）的
V
ts
V
B（ W）
V
CC （W）的
IN
（ WH ）
IN
（ WL ）
N.C
P
U，V
S（ U）
N
U
N
V
V, V
S（ V）
N
W
W，V
S（ W）的
IC供应商共同地
引脚说明
偏置电压为U相的高端FRFET驾驶
偏置电压为U相的IC和低端FRFET驾驶
输入信号U相高侧
信号输入U相的低端
N.C
偏置电压V相高边驱动FRFET
偏置电压V相位IC和低端FRFET驾驶
信号输入V相高边
信号输入V相低端
输出HVIC温度传感
偏置电压为W相的高端FRFET驾驶
偏置电压为W相的IC和低端FRFET驾驶
信号输入W相的高端
信号输入W相的低端
N.C
正直流母线输入
输出U相&辅助供电的地高端FRFET驾驶
直流母线电压负输入U相
直流母线电压负输入为V相
输出V阶段&辅助供电的地高端FRFET驾驶
直流母线电压负输入W相
输出W相的&辅助供电的地高端FRFET驾驶
（1）的COM
(2) V
B（ U）
(3) V
CC （ U）
（4）在
（UH ）
（5）在
（UL）的
（6） N.C
(7) V
B（ V）
(8) V
CC （ V）
（9）在
（V H）
（10）在
（ VL）的
（ 11 ） VTS
(12) V
B（ W）
(13) V
CC （W）的
（14）在
（ WH ）
（15）在
（ WL ）
（ 16 ） N.C
VCC
HIN
LIN
COM
VB
HO
VS
LO
（ 23 ） W，V
S（ W）的
(22) N
W
VCC
HIN
LIN
COM
VTS
VB
HO
VS
LO
(21) V, V
S（ V）
(19) N
U
(20) N
V
VCC
HIN
LIN
COM
VB
HO
VS
LO
（ 18 ） U，V
S（ U）
(17) P
注意：
每个低侧MOSFET的源极端子连接不提供内部SPM的地面或偏压接地
。外部的连接应使如在图3中所示
图1.引脚配置和内部结构图（底视图）
3
FSB50825AS版本A
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FSB50825AS智能功率模块（ SPM ）
电气特性
(T
J
= 25 ° C，V
CC
=V
BS
= 15V除非另有说明）
逆变部分
（每FRFET除非另有说明）
符号
BV
DSS
I
DSS
R
DS （ ON）
V
SD
t
ON
t
关闭
t
rr
E
ON
E
关闭
RBSOA
V = 200V, V
CC
= V
BS
= 15V ，我
D
= I
DP
, V
DS
ΔBV
DSS
,
反向偏置安全能操作
PN
T
J
= 150°C
阿婷区
高边和低边FRFET开关（注3）
开关时间
V
PN
= 150V, V
CC
= V
BS
= 15V ，我
D
= 2A
V
IN
= 0V
5V ，感性负载L = 3MH
高侧和低侧开关FRFET
（注2 ）
参数
条件
最小典型最大单位
250
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.33
-
950
520
140
100
10
-
1
0.45
1.2
-
-
-
-
-
V
mA
W
V
ns
ns
ns
mJ
mJ
漏源击穿
V
IN
= 0V时，我
D
= 1毫安（注1 ）
电压
零栅极电压
漏电流
静态漏源
导通电阻
漏源二极管
正向电压
V
IN
= 0V, V
DS
= 250V
V
CC
= V
BS
= 15V, V
IN
= 5V ，我
D
= 2A
V
CC
= V
BS
= 15V, V
IN
= 0V时，我
D
= -2A
完整的正方形
控制部分
（每HVIC除非另有说明）
符号
I
QCC
I
QBS
UV
CCD
UV
CCR
UV
BSD
UV
BSR
V
ts
V
IH
V
IL
参数
静态V
CC
当前
静态V
BS
当前
低端欠压
保护（图8）
高侧欠压
保护（图9）
HVIC温度sens-
ING电压输出
对阈值电压
断阈值电压
V
CC
=15V, V
IN
=0V
V
BS
=15V, V
IN
=0V
条件
V的应用
CC
和COM
V的应用
B（ U）
-U,
V
B（ V）
-V, V
B（ W）
-W
最小典型最大单位
-
-
7.4
8.0
7.4
8.0
600
-
0.8
-
-
8.0
8.9
8.0
8.9
790
-
-
200
100
9.4
9.8
9.4
9.8
980
2.9
-
mA
mA
V
V
V
V
mV
V
V
V
CC
欠压保护检测水平
V
CC
欠压保护复位电平
V
BS
欠压保护检测水平
V
BS
欠压保护复位电平
V
CC
= 15V ，T
HVIC
= 25 ° C（注4 ）
逻辑高电平
逻辑低电平
IN和COM之间施加
自举二极管部分
（每一个自举二极管除非另有说明）
符号
V
FB
t
RRB
注意：
1. BV
DSS
是每FRFET内的SPM的漏极和源极端子之间的绝对最大额定电压
. V
PN
应足够小于此值，考虑到
杂散电感，使得效果V
DS
应不超过BV
DSS
在任何情况下。
2. t
ON
和T
关闭
包括内部驱动IC的传输延迟时间。所列的值是在实验室测试条件下测得，并且它们可以根据不同
字段applcations由于不同的印刷电路板和布线的效果。请参阅图6与图7中的开关的测试电路的切换的时间定义。
3.峰值电流和开关操作过程中每个FRFET的电压应被包括在安全工作区（SOA ） 。请参见图7为RBSOA测试税务局局长
扣器是相同的，作为开关的测试电路。
4. V
ts
只对传感模块的温度，不能自动关机的MOSFET 。
5.内置自举二极管，包括约15
电阻特性。请参考图2 。
参数
正向电压
反向恢复时间
条件
I
F
= 0.1A ，T
C
= 25 （注5 ）
I
F
= 0.1A ，T
C
= 25°C
最小典型最大单位
-
-
2.5
80
-
-
V
ns
4
FSB50825AS版本A
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QQ：2881677436 复制
