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FSB50450AS运动SPM 5系列

2014年1月

FSB50450AS

运动SPM

5系列

特点

UL认证号E209204 （ UL1557 ）

500 V R

DS （ ON）

= 2.4

7 （最大）

FRFET MOSFET的3相

逆变器栅极驱动器和保护

内置自举二极管简化了PCB布局

独立的开放式源极引脚从低端MOSFET

对于三相电流检测

高电平有效接口，工程与3.3 / 5 V逻辑，

施密特触发输入

优化了低电磁干扰

HVIC温度检测内置的温度

监测

为HVIC栅极驱动和欠压保护

额定隔离电压： 1500 V

RMS

/分钟。

湿度敏感等级（MSL ） 3

符合RoHS

相关来源

RD - FSB50450A - 参考设计运动SPM 5

系列第2版

AN- 9082 - 运动SPM5系列热性能

通过接触压力

AN- 9080 - 用户指南运动SPM 5系列V2

概述

该FSB50450AS是一种先进的运动SPM

模块提供了一个全功能，高性能

逆变器输出级的交流感应，无刷直流电机和永磁同步电机

电机。这些模块集成优化的栅极驱动

内置的MOSFET （ FRFET

技术），以尽量减少

EMI和损失，同时还提供多个模块上

保护功能包括欠压锁定和

热

监测。

该

内建的

快速

HVIC只需要单电源电压和

转换传入的逻辑电平栅极输入到

高电压时，需要大电流驱动信号

正确驱动模块内部的MOSFET。

独立的开源MOSFET终端都可以

对于每个阶段，以支持广泛各种控制

算法。

应用

3相逆变器驱动小功率交流电机

驱动器

包装标识&订购信息

器件标识

FSB50450AS

设备

FSB50450AS

包

SPM5Q-023

带尺寸

330mm

包装类型

磁带卷

QUANTITY

450

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FSB50450AS运动SPM 5系列

绝对最大额定值

逆变部分

（每个MOSFET ，除非另有规定）。

符号

DSS

D 25

D 80

DRMS

参数

漏源每个MOSFET的电压

每个MOSFET的漏电流，连续T

= 25°C

每个MOSFET的漏电流，连续T

= 80°C

每个MOSFET的漏极电流，峰值

每个MOSFET的漏极电流，有效值

最大功率耗散

条件

等级

500

1.5

1.1

3.9

0.8

单位

RMS

= 25 ° C， PW < 100

= 80 ° C，F

PWM

< 20千赫

= 25 ° C，对于每个MOSFET

控制部分

（各HVIC除非另有规定）。

符号

参数

控制电源电压

高侧偏置电压

输入信号电压

条件

V的应用

和COM

V的应用

和V

V的应用

和COM

等级

-0.3 ~ V

+ 0.3

单位

自举二极管部分

（各举二极管，除非另有规定）。

符号

RRMB

* I

FPB

参数

最高重复反向电压

正向电流

正向电流（峰值）

= 25°C

条件

等级

500

0.5

1.5

单位

= 25 ° C，在1毫秒脉冲宽度

热阻

符号

θJC

参数

结到外壳热阻

条件

在逆变器能操作每个MOSFET

阿婷条件（第1注1 ）

等级

8.9

单位

° C / W

系统总

符号

英镑

ISO

参数

工作结温

储存温度

隔离电压

条件

等级

-40 ~ 150

-40 ~ 125

单位

°C

RMS

60赫兹正弦， 1分钟，连续的

NECT销到散热板

1500

第一个注意事项：

1.对于案例温度T的测量点

请参阅图4 。

2.标“*”为计算值或设计因素。

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FSB50450AS运动SPM 5系列

引脚说明

引脚数

引脚名称

COM

B（ U）

CC （ U）

（UH ）

（UL）的

N.C

B（ V）

CC （ V）

（V H）

（ VL）的

B（ W）

CC （W）的

（ WH ）

（ WL ）

N.C

U，V

S（ U）

V, V

S（ V）

W，V

S（ W）的

IC供应商共同地

引脚说明

偏置电压为U相高边MOSFET驱动

偏置电压为U相IC侧和低侧MOSFET驱动

信号输入U相高边

信号输入U相低边

无连接

偏置电压为V-相高边MOSFET驱动

偏置电压V相IC和低侧MOSFET驱动

信号输入V相高边

信号输入V相低边

输出HVIC温度传感

偏置电压为W相高边MOSFET驱动

偏置电压为W相IC侧和低侧MOSFET驱动

信号输入W相高边

信号输入W相低边

无连接

正直流母线输入

输出U相&辅助供电的地高边MOSFET驱动

直流母线电压负输入U相

直流母线电压负输入为V相

输出V相&辅助供电的地高边MOSFET驱动

直流母线电压负输入为W相

输出W相的&辅助供电的地高边MOSFET驱动

（1）的COM

(2) V

B（ U）

(3) V

CC （ U）

（4）在

（UH ）

（5）在

（UL）的

（6） N.C

(7) V

B（ V）

(8) V

CC （ V）

（9）在

（V H）

（10）在

（ VL）的

(11) V

(12) V

B（ W）

(13) V

CC （W）的

（14）在

（ WH ）

（15）在

（ WL ）

（ 16 ） N.C

VCC

HIN

LIN

COM

（ 23 ） W，V

S（ W）的

(22) N

VCC

HIN

LIN

COM

(21) V, V

S（ V）

(19) N

(20) N

VCC

HIN

LIN

COM

（ 18 ） U，V

S（ U）

(17) P

图1.引脚配置和内部结构图（底视图）

第一个注意事项：

每个低侧MOSFET的3源终端未连接到电源内运动的SPM地面或偏压接地

5产品。外部的连接应被制成

在图3中所示。

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电气特性

= 25 ° C，V

= V

= 15v ，除非另有规定）。

逆变部分

（每个MOSFET ，除非另有规定）。

符号

DSS

DS （ ON）

关闭

RBSOA

V = 400 V, V

= V

= 15 V，I

= I

, V

= BV

DSS

反向偏压安全能操作

= 150°C

阿婷区

高侧和低侧MOSFET的开关（第2注3 ）

开关时间

= 300 V, V

= V

= 15 V，I

= 1.0 A

= 0 V

5 V ，感性负载L = 3 mH的

高侧和低侧MOSFET的开关

（第二注2）

参数

漏 - 源

击穿电压

零栅极电压

漏电流

静态漏 - 源

导通电阻

漏极 - 源极二极管

正向电压

条件

= 0 V，I

= 1 MA（第2注1 ）

= 0 V, V

= 500 V

= V

= 15 V, V

= 5 V，I

= 1.0 A

= V

= 15V, V

= 0 V，I

= -1.0 A

最小典型最大

500

1.9

1250

680

200

2.4

1.2

单位

完整的正方形

控制部分

（各HVIC除非另有规定）。

符号

QCC

QBS

CCD

CCR

BSD

BSR

参数

静态V

当前

静态V

当前

低端欠压

保护（图8）

高端欠压

保护（图9）

HVIC温度sens-

ING电压输出

对阈值电压

断阈值电压

= 15 V,

= 0 V

= 15 V,

= 0 V

条件

V的应用

和COM

V的应用

B（ U）

- U,

B（ V）

- V, V

B（ W）

- W

最小典型最大

7.4

8.0

7.4

8.0

600

0.8

8.0

8.9

8.0

8.9

790

200

100

9.4

9.8

9.4

9.8

980

2.9

单位

欠压保护检测水平

欠压保护复位电平

欠压保护检测水平

欠压保护复位电平

= 15 V ，T

HVIC

= 25 ° C（第2注4 ）

逻辑高电平

逻辑低电平

V的应用

和COM

自举二极管部分

（各举二极管，除非另有规定）。

符号

RRB

第二个注意事项：

1. BV

DSS

是各MOSFET的内部运动的SPM的漏极和源极端子之间的绝对最大额定电压

5产品。 V

应该比这充分地少

值考虑杂散电感的作用使V

应不超过BV

DSS

在任何情况下。

2. t

和T

关闭

包括内部驱动IC的传输延迟。所列的值是在实验室测试条件根据现场测得的，并且它们可以是不同的

应用程序由于不同的印刷电路板和布线的效果。请参阅图6与图7中的开关的测试电路的切换的时间定义。

3.在切换操作过程中的峰值电流与每个MOSFET的电压应该被包括在安全工作区（SOA）。请参见图7为RBSOA测试

电路是相同的，作为开关的测试电路。

4. V

只对模块的检测温度，不能自动关机的MOSFET 。

5.内置自举二极管，包括约15

电阻特性。请参考图2 。

参数

正向电压

反向恢复时间

条件

= 0.1 A，T

= 25 ° C（第2注5 ）

= 0.1 A，T

= 25°C

最小典型最大

2.5

单位

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FSB50450AS运动SPM 5系列

推荐运行条件

符号

IN（上）

中（关闭）

DEAD

PWM

参数

电源电压

控制电源电压

高侧偏置电压

输入阈值电压

OFF输入阈值电压

条件

P和N之间施加

V的应用

和COM

V的应用

和V

V的应用

和COM

分钟。

13.5

3.0

1.0

典型值。

300

15.0

马克斯。

400

16.5

0.6

单位

千赫

消隐时间避

= V

= 13.5 16.5 V ，T

150°C

臂短

PWM开关频率

150°C

1.0

0.9

0.8

0.7

0.6

内置自举二极管V

-I

特征

[A]

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

0.0

[V]

= 25°C

图2.内置自举二极管特性（典型）

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