FSB50325T智能功率模块（ SPM ）
2007年5月
FSB50325T
智能功率模块（ SPM
)
特点
250V 3.0A 3相逆变器FRFET包括高压
集成电路（ HVIC）
3分负直流母线端子，变频器的电流sens-
ing应用
HVIC栅极驱动和欠压保护
3 / 5V CMOS / TTL兼容，高电平有效接口
优化了低电磁干扰
1500VRMS的隔离电压等级为1分钟。
扩展VB引脚PCB隔离
概述
FSB50325T是一个很小的智能功率模块（ SPM
）基于
FRFET技术作为小型紧凑型逆变器解决方案
功率电机驱动应用，如风扇电机和水
供应商。它由6个快速恢复MOSFET（ FRFET ）
3半桥的HVIC的FRFET栅极驱动。 FSB50325T
提供低电磁干扰（EMI）特性
具有优化的开关速度。此外，由于采用了
FRFET作为电源开关，它具有更好的耐用性和
较大的安全操作区（SOA）比的基于IGBT的
功率模块或单芯片解决方案。包进行了优化
用于在使用的热性能和紧凑性
内置电动机应用和任何其他应用程序，其中所述
装配间隙关注。 FSB50325T是最溶液
用于紧凑型逆变器提供的能量效率，
紧凑性和低电磁干扰。
绝对最大额定值
符号
V
PN
I
D25
I
D80
I
DP
P
D
V
CC
V
BS
V
IN
T
J
T
英镑
R
θJC
V
ISO
参数
DC连接输入电压，
每个FRFET的漏源电压
每个FRFET漏电流，连续
每个FRFET漏电流，连续
每个FRFET漏电流，峰值
最大功率耗散
控制电源电压
高侧偏置电压
输入信号电压
工作结温
储存温度
结到外壳热阻
隔离电压
T
C
= 25°C
T
C
= 80°C
条件
等级
250
1.5
1.0
3.0
10
20
20
-0.3 VCC + 0.3
-20 ~ 150
-50 ~ 150
单位
V
A
A
A
W
V
V
V
°C
°C
° C / W
V
RMS
T
C
= 25 ° C， PW <为100μs
T
C
= 25℃时，每FRFET
V的应用
CC
和COM
V的应用
B（ U）
-U ，V
B（ V）
-V, V
B（ W）
-W
IN和COM之间施加
根据变频器的运行CON-每个FRFET
条件（注1 ）
60Hz的正弦，1分钟后，连接销
散热器来
10.2
1500
2007仙童半导体公司
1
www.fairchildsemi.com
FSB50325T版本B
FSB50325T智能功率模块（ SPM ）
引脚说明
引脚数
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
引脚名称
COM
V
B（ U）
V
CC （ U）
IN
（UH ）
IN
（UL）的
NC
V
B（ V）
V
CC （ V）
IN
（V H）
IN
（ VL）的
NC
V
B（ W）
V
CC （W）的
IN
（ WH ）
IN
（ WL ）
NC
P
U，V
S（ U）
N
U
N
V
V, V
S（ V）
N
W
W，V
S（ W）的
IC供应商共同地
引脚说明
偏置电压为U相的高端FRFET驾驶
偏置电压为U相的IC和低端FRFET驾驶
输入信号U相高侧
信号输入U相的低端
无连接
偏置电压V相高边驱动FRFET
偏置电压V相位IC和低端FRFET驾驶
信号输入V相高边
信号输入V相低端
无连接
偏置电压为W相的高端FRFET驾驶
偏置电压为W相的IC和低端FRFET驾驶
信号输入W相的高端
信号输入W相的低端
无连接
正直流母线输入
输出U相&辅助供电的地高端FRFET驾驶
直流母线电压负输入U相
直流母线电压负输入为V相
输出V阶段&辅助供电的地高端FRFET驾驶
直流母线电压负输入W相
输出W相的&辅助供电的地高端FRFET驾驶
（1）的COM
(2) V
B（ U）
(3) V
CC （ U）
（4）在
（UH ）
（5）在
（UL）的
（6） NC
(7) V
B（ V）
(8) V
CC （ V）
（9）在
（V H）
（10）在
（ VL）的
（11）的NC
(12) V
B（ W）
(13) V
CC （W）的
（14）在
（ WH ）
（15）在
（ WL ）
（16）的NC
注意：
每个低侧MOSFET的源极端子连接不提供内部SPM的地面或偏压接地
。外部连接应在指示图 -
茜2和5 。
(17) P
VCC
HIN
LIN
COM
VB
HO
VS
LO
(19) N
U
VCC
HIN
LIN
COM
VB
HO
VS
LO
(21) V, V
S（ V）
(20) N
V
（ 18 ） U，V
S（ U）
VCC
HIN
LIN
COM
VB
HO
VS
LO
(22) N
W
（ 23 ） W，V
S（ W）的
图1.引脚配置和内部结构图（底视图）
2
FSB50325T版本B
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FSB50325T智能功率模块（ SPM ）
电气特性
(T
J
= 25 ° C，V
CC
=V
BS
= 15V除非另有说明）
逆变部分
（每FRFET除非另有说明）
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
/
ΔT
J
I
DSS
R
DS （ ON）
V
SD
t
ON
t
关闭
t
rr
E
ON
E
关闭
RBSOA
（注3）
V = 200V, V
CC
= V
BS
= 15V ，我
D
= I
DP
, V
DS
ΔBV
DSS
,
反向偏置安全能操作
PN
T
J
= 150°C
阿婷区
高边和低边FRFET开关（注4）
开关时间
参数
条件
最小典型最大单位
250
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.31
-
1.4
-
1076
660
108
47
3.1
-
-
250
1.8
1.2
-
-
-
-
-
V
V
μA
Ω
V
ns
ns
ns
μJ
μJ
漏源击穿
V
IN
= 0V时，我
D
= 250μA （注2）
电压
击穿电压温
I
D
= 250μA ，引用至25℃
漂移系数
零栅极电压
漏电流
静态漏源
导通电阻
漏源二极管
正向电压
V
IN
= 0V, V
DS
= 250V
V
CC
= V
BS
= 15V, V
IN
= 5V ，我
D
= 1.0A
V
CC
= V
BS
= 15V, V
IN
= 0V时，我
D
= -1.0A
V
PN
= 150V, V
CC
= V
BS
= 15V ，我
D
= 1.0A
V
IN
= 0V
5V
感性负载L = 3MH
高侧和低侧开关FRFET
完整的正方形
控制部分
（每HVIC除非另有说明）
符号
I
QCC
I
QBS
UV
CCD
UV
CCR
UV
BSD
UV
BSR
V
IH
V
IL
I
IH
I
IL
注意：
1.对于案例温度T的测量点
C
请参阅图3，在第4页。
2. BV
DSS
是每FRFET内的SPM的漏极和源极端子之间的绝对最大额定电压
. V
PN
应足够小于此值，考虑到
杂散电感，使得效果V
DS
应不超过BV
DSS
在任何情况下。
3. t
ON
和T
关闭
包括内部驱动IC的传输延迟时间。所列的值是在实验室测试条件下测得，并且它们可以根据不同
字段applcations由于不同的印刷电路板和布线的效果。请参阅图4与图5中的开关的测试电路的切换的时间定义。
4.峰值电流和开关操作过程中每个FRFET的电压应被包括在安全工作区（SOA ） 。请参阅图5为RBSOA测试税务局局长
扣器是相同的，作为开关的测试电路。
参数
静态V
CC
当前
静态V
BS
当前
低端欠压
保护（图6）
高侧欠压
保护（图7）
对阈值电压
断阈值电压
输入偏置电流
V
CC
=15V, V
IN
=0V
V
BS
=15V, V
IN
=0V
条件
V的应用
CC
和COM
V的应用
B（ U）
-U,
V
B（ V）
-V, V
B（ W）
-W
最小典型最大单位
-
-
7.4
8.0
7.4
8.0
2.9
-
-
-
-
-
8.0
8.9
8.0
8.9
-
-
10
-
160
100
9.4
9.8
9.4
9.8
-
0.8
20
2
μA
μA
V
V
V
V
V
V
μA
μA
V
CC
欠压保护检测水平
V
CC
欠压保护复位电平
V
BS
欠压保护检测水平
V
BS
欠压保护复位电平
逻辑高电平
逻辑低电平
V
IN
= 5V
V
IN
= 0V
IN和COM之间施加
IN和COM之间施加
包装标识&订购信息
器件标识
FSB50325T
设备
FSB50325T
包
SPM23AC
带尺寸
_
胶带宽度
_
QUANTITY
15
3
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推荐工作条件
符号
V
PN
V
CC
V
BS
V
IN（上）
V
中（关闭）
t
DEAD
f
PWM
T
C
参数
电源电压
控制电源电压
高侧偏置电压
输入阈值电压
OFF输入阈值电压
条件
P和N之间施加
V的应用
CC
和COM
V的应用
B
和输出（ U，V， W）的
IN和COM之间施加
价值
分钟。
-
13.5
13.5
3.0
0
1.0
-
-20
典型值。
150
15
15
-
-
-
15
-
马克斯。
200
16.5
16.5
V
CC
0.6
-
-
125
单位
V
V
V
V
V
μs
千赫
°C
消隐时间避
V
CC
=V
BS
= 13.5 16.5V ，T
J
≤
150°C
臂短
PWM开关频率
外壳温度
T
J
≤
150°C
T
J
≤
150°C
这些值取决于PWM
控制算法
15 -V的线
R
1
D
1
VCC
HIN
LIN
C
5
COM
VB
HO
VS
LO
N
C
2
SPM的一腿图
*引导外观和数据的实施例：
C
1
= C
2
= 1μF的陶瓷电容，
R
1
= 56Ω,
R
3
C
1
P
V
DC
HIN
0
LIN
0
1
0
1
开放
产量
Z
0
V
DC
被禁止
Z
记
无论FRFET关
低端FRFET在
高端FRFET在
SHOOT - THROUGH
同样作为（0， 0）
R
5
逆变器
产量
C
3
0
1
1
开放
MICOM
10μF
注意：
（ 1 ）建议自举二极管D
1
拥有400 -V评级柔软，快速恢复特性
（ 2） bootsrap电路元件的参数都依赖于PWM算法。对于15 kHz的开关频率，参数典型的例子就是如上图所示。
（ 3 ） RC耦合（R
5
和C
5
）在每个输入端（表示为虚线），也可以用于防止不正当的输入信号由于浪涌噪声。 SPM的信号输入
与兼容
标准CMOS或LSTTL outptus 。
（4）粗体线应短而厚的印刷电路板图案，以具有电路的小寄生电感，这导致浪涌电压的降低。旁路电容如C
1
, C
2
和C
3
应具有良好的高频特性来吸收高频纹波电流。
图2.推荐的CPU接口和自举电路参数
14.50mm
3.80mm
MOSFET
注意：
外壳温度（TC ）
检测点
装上热电偶上的SPM的散热器侧的顶
（ SPM之间
如果施加的散热器），以获得正确的温度测量。
图3.外壳温度测量
4
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FSB50325T智能功率模块（ SPM ）
V
IN
I
rr
V
DS
我100 ％
D
我120 ％
D
V
IN
I
D
我10 ％
D
I
D
V
DS
t
ON
t
rr
t
关闭
（一）开通
（二）关断
图4.开关时间的定义
C
BS
V
CC
R
BS
VCC
HIN
LIN
COM
VB
HO
VS
LO
+
V
DS
-
L
V
DC
I
D
SPM的一腿图
图5.切换和RBSOA （单脉冲）测试电路（低压侧）
输入信号
紫外线防护
状态
RESET
发现
RESET
低端电源，V
CC
UV
CCR
UV
CCD
MOSFET电流
图6.欠压保护（低端）
输入信号
紫外线防护
状态
RESET
发现
RESET
高端电源，V
BS
UV
BSR
UV
BSD
MOSFET电流
图7.欠压保护（高端）
5
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FSB50325T智能功率模块（ SPM ）
2006年2月
FSB50325T
智能功率模块（ SPM ）
特点
250V 3.0A 3相逆变器FRFET包括高压
集成电路（ HVIC）
3分负直流母线端子，变频器的电流sens-
ing应用
HVIC栅极驱动和欠压保护
3 / 5V CMOS / TTL兼容，高电平有效接口
优化了低电磁干扰
1500VRMS的隔离电压等级为1分钟。
扩展VB引脚PCB隔离
概述
FSB50325T是基于一个微小的智能功率模块（ SPM）的
FRFET技术作为小型紧凑型逆变器解决方案
功率电机驱动应用，如风扇电机和水
供应商。它由6个快速恢复MOSFET（ FRFET ）
3半桥的HVIC的FRFET栅极驱动。 FSB50325T
提供低电磁干扰（EMI）特性
具有优化的开关速度。此外，由于采用了
FRFET作为电源开关，它具有更好的耐用性和
较大的安全操作区（SOA）比的基于IGBT的
功率模块或单芯片解决方案。包进行了优化
用于在使用的热性能和紧凑性
内置电动机应用和任何其他应用程序，其中所述
装配间隙关注。 FSB50325T是最溶液
用于紧凑型逆变器提供的能量效率，
紧凑性和低电磁干扰。
绝对最大额定值
符号
V
PN
I
D25
I
D80
I
DP
P
D
V
CC
V
BS
V
IN
T
J
T
英镑
R
θJC
V
ISO
参数
DC连接输入电压，
每个FRFET的漏源电压
每个FRFET漏电流，连续
每个FRFET漏电流，连续
每个FRFET漏电流，峰值
最大功率耗散
控制电源电压
高侧偏置电压
输入信号电压
工作结温
储存温度
结到外壳热阻
隔离电压
T
C
= 25°C
T
C
= 80°C
条件
等级
250
1.5
1.0
3.0
10
20
20
-0.3 VCC + 0.3
-20 ~ 125
-50 ~ 150
单位
V
A
A
A
W
V
V
V
°C
°C
° C / W
V
RMS
T
C
= 25 ° C， PW <为100μs
T
C
= 25℃时，每FRFET
V的应用
CC
和COM
V的应用
B（ U）
-U ，V
B（ V）
-V, V
B（ W）
-W
IN和COM之间施加
根据变频器的运行CON-每个FRFET
条件（注1 ）
60Hz的正弦，1分钟后，连接销
散热器来
10.2
1500
2005仙童半导体公司
1
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FSB50325T智能功率模块（ SPM ）
引脚说明
引脚数
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
引脚名称
COM
V
B（ U）
V
CC （ U）
IN
（UH ）
IN
（UL）的
NC
V
B（ V）
V
CC （ V）
IN
（V H）
IN
（ VL）的
NC
V
B（ W）
V
CC （W）的
IN
（ WH ）
IN
（ WL ）
NC
P
U，V
S（ U）
N
U
N
V
V, V
S（ V）
N
W
W，V
S（ W）的
IC供应商共同地
引脚说明
偏置电压为U相的高端FRFET驾驶
偏置电压为U相的IC和低端FRFET驾驶
输入信号U相高侧
信号输入U相的低端
无连接
偏置电压V相高边驱动FRFET
偏置电压V相位IC和低端FRFET驾驶
信号输入V相高边
信号输入V相低端
无连接
偏置电压为W相的高端FRFET驾驶
偏置电压为W相的IC和低端FRFET驾驶
信号输入W相的高端
信号输入W相的低端
无连接
正直流母线输入
输出U相&辅助供电的地高端FRFET驾驶
直流母线电压负输入U相
直流母线电压负输入为V相
输出V阶段&辅助供电的地高端FRFET驾驶
直流母线电压负输入W相
输出W相的&辅助供电的地高端FRFET驾驶
（1）的COM
(2) V
B（ U）
(3) V
CC （ U）
（4）在
（UH ）
（5）在
（UL）的
（6） NC
(7) V
B（ V）
(8) V
CC （ V）
（9）在
（V H）
（10）在
（ VL）的
（11）的NC
(12) V
B（ W）
(13) V
CC （W）的
（14）在
（ WH ）
（15）在
（ WL ）
（16）的NC
注意：
每个低边MOSFET的源端没有连接到电源内部SPM地面或偏置电压地面。外部的连接应被制成如图所示
2和5 。
(17) P
VCC
HIN
LIN
COM
VB
HO
VS
LO
(19) N
U
VCC
HIN
LIN
COM
VB
HO
VS
LO
(21) V, V
S（ V）
(20) N
V
（ 18 ） U，V
S（ U）
VCC
HIN
LIN
COM
VB
HO
VS
LO
(22) N
W
（ 23 ） W，V
S（ W）的
图1.引脚配置和内部结构图（底视图）
2
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电气特性
(T
J
= 25 ° C，V
CC
=V
BS
= 15V除非另有说明）
逆变部分
（每FRFET除非另有说明）
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
/
T
J
I
DSS
R
DS （ ON）
V
SD
t
ON
t
关闭
t
rr
E
ON
E
关闭
RBSOA
（注3）
V = 200V, V
CC
= V
BS
= 15V ，我
D
= I
DP
, V
DS
ΔBV
DSS
,
反向偏置安全能操作
PN
T
J
= 125°C
阿婷区
高边和低边FRFET开关（注4）
开关时间
参数
条件
最小典型最大单位
250
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.31
-
1.4
-
1076
660
108
47
3.1
-
-
250
1.8
1.2
-
-
-
-
-
V
V
A
V
ns
ns
ns
J
J
漏源击穿
V
IN
= 0V时，我
D
= 250μA （注2）
电压
击穿电压温
I
D
= 250μA ，引用至25℃
漂移系数
零栅极电压
漏电流
静态漏源
导通电阻
漏源二极管
正向电压
V
IN
= 0V, V
DS
= 250V
V
CC
= V
BS
= 15V, V
IN
= 5V ，我
D
= 1.0A
V
CC
= V
BS
= 15V, V
IN
= 0V时，我
D
= -1.0A
V
PN
= 150V, V
CC
= V
BS
= 15V ，我
D
= 1.0A
V
IN
= 0V
5V
感性负载L = 3MH
高侧和低侧开关FRFET
完整的正方形
控制部分
（每HVIC除非另有说明）
符号
I
QCC
I
QBS
UV
CCD
UV
CCR
UV
BSD
UV
BSR
V
IH
V
IL
I
IH
I
IL
注意：
1.对于案例温度T的测量点
C
请参阅图3，在第4页。
2. BV
DSS
是漏极和各FRFET内SPM的源端之间的绝对最大电压额定值。 V
PN
应足够小于此值，考虑到
杂散电感，使得效果V
DS
应不超过BV
DSS
在任何情况下。
3. t
ON
和T
关闭
包括内部驱动IC的传输延迟时间。所列的值是在实验室测试条件下测得，并且它们可以根据不同
字段applcations由于不同的印刷电路板和布线的效果。请参阅图4与图5中的开关的测试电路的切换的时间定义。
4.峰值电流和开关操作过程中每个FRFET的电压应被包括在安全工作区（SOA ） 。请参阅图5为RBSOA测试税务局局长
扣器是相同的，作为开关的测试电路。
参数
静态V
CC
当前
静态V
BS
当前
低端欠压
保护（图6）
高侧欠压
保护（图7）
对阈值电压
断阈值电压
输入偏置电流
V
CC
=15V, V
IN
=0V
V
BS
=15V, V
IN
=0V
条件
V的应用
CC
和COM
V的应用
B（ U）
-U,
V
B（ V）
-V, V
B（ W）
-W
最小典型最大单位
-
-
7.4
8.0
7.4
8.0
2.9
-
-
-
-
-
8.0
8.9
8.0
8.9
-
-
10
-
160
100
9.4
9.8
9.4
9.8
-
0.8
20
2
A
A
V
V
V
V
V
V
A
A
V
CC
欠压保护检测水平
V
CC
欠压保护复位电平
V
BS
欠压保护检测水平
V
BS
欠压保护复位电平
逻辑高电平
逻辑低电平
V
IN
= 5V
V
IN
= 0V
IN和COM之间施加
IN和COM之间施加
3
FSB50325T版本A
www.fairchildsemi.com
FSB50325T智能功率模块（ SPM ）
推荐工作条件
符号
V
PN
V
CC
V
BS
V
IN（上）
V
中（关闭）
t
DEAD
f
PWM
T
C
参数
电源电压
控制电源电压
高侧偏置电压
输入阈值电压
OFF输入阈值电压
条件
P和N之间施加
V的应用
CC
和COM
V的应用
B
和输出（ U，V， W）的
IN和COM之间施加
价值
分钟。
-
13.5
13.5
3.0
0
1.0
-
-20
典型值。
150
15
15
-
-
-
15
-
马克斯。
200
16.5
16.5
V
CC
0.6
-
-
100
单位
V
V
V
V
V
s
千赫
°C
消隐时间避
V
CC
=V
BS
= 13.5 16.5V ，T
J
≤
125°C
臂短
PWM开关频率
外壳温度
T
J
≤
125°C
T
J
≤
125°C
这些值取决于PWM
控制算法
15 -V的线
R
1
D
1
VCC
HIN
LIN
C
5
COM
VB
HO
VS
LO
N
C
2
SPM的一腿图
*引导外观和数据的实施例：
C
1
= C
2
= 1μF的陶瓷电容，
R
1
= 56,
R
3
C
1
P
V
DC
HIN
0
LIN
0
1
0
1
开放
产量
Z
0
V
DC
被禁止
Z
记
无论FRFET关
低端FRFET在
高端FRFET在
SHOOT - THROUGH
同样作为（0， 0）
R
5
逆变器
产量
C
3
0
1
1
开放
MICOM
10F
注意：
（ 1 ）建议自举二极管D
1
拥有400 -V评级柔软，快速恢复特性
（ 2） bootsrap电路元件的参数都依赖于PWM算法。对于15 kHz的开关频率，参数典型的例子就是如上图所示。
（ 3 ） RC耦合（R
5
和C
5
）在每个输入端（表示为虚线），也可以用于防止不正当的输入信号由于浪涌噪声。 SPM的信号输入是用标准的兼容
准CMOS或LSTTL outptus 。
（4）粗体线应短而厚的印刷电路板图案，以具有电路的小寄生电感，这导致浪涌电压的降低。旁路电容如C
1
, C
2
和C
3
应具有良好的高频特性来吸收高频纹波电流。
图2.推荐的CPU接口和自举电路参数
14.50mm
3.80mm
MOSFET
注意：
外壳温度（TC ）
检测点
附加上的SPM的散热器侧的顶部的热电偶（SPM和散热器之间，如果施加）来获得正确的温度测量。
图3.外壳温度测量
4
FSB50325T版本A
www.fairchildsemi.com
FSB50325T智能功率模块（ SPM ）
V
IN
I
rr
V
DS
我100 ％
D
我120 ％
D
V
IN
I
D
我10 ％
D
I
D
V
DS
t
ON
t
rr
t
关闭
（一）开通
（二）关断
图4.开关时间的定义
C
BS
V
CC
R
BS
VCC
HIN
LIN
COM
VB
HO
VS
LO
+
V
DS
-
L
V
DC
I
D
SPM的一腿图
图5.切换和RBSOA （单脉冲）测试电路（低压侧）
输入信号
紫外线防护
状态
RESET
发现
RESET
低端电源，V
CC
UV
CCR
UV
CCD
MOSFET电流
图6.欠压保护（低端）
输入信号
紫外线防护
状态
RESET
发现
RESET
高端电源，V
BS
UV
BSR
UV
BSD
MOSFET电流
图7.欠压保护（高端）
5
FSB50325T版本A
www.fairchildsemi.com
FSB50325T智能功率模块（ SPM ）
2006年2月
FSB50325T
智能功率模块（ SPM ）
特点
250V 3.0A 3相逆变器FRFET包括高压
集成电路（ HVIC）
3分负直流母线端子，变频器的电流sens-
ing应用
HVIC栅极驱动和欠压保护
3 / 5V CMOS / TTL兼容，高电平有效接口
优化了低电磁干扰
1500VRMS的隔离电压等级为1分钟。
扩展VB引脚PCB隔离
概述
FSB50325T是基于一个微小的智能功率模块（ SPM）的
FRFET技术作为小型紧凑型逆变器解决方案
功率电机驱动应用，如风扇电机和水
供应商。它由6个快速恢复MOSFET（ FRFET ）
3半桥的HVIC的FRFET栅极驱动。 FSB50325T
提供低电磁干扰（EMI）特性
具有优化的开关速度。此外，由于采用了
FRFET作为电源开关，它具有更好的耐用性和
较大的安全操作区（SOA）比的基于IGBT的
功率模块或单芯片解决方案。包进行了优化
用于在使用的热性能和紧凑性
内置电动机应用和任何其他应用程序，其中所述
装配间隙关注。 FSB50325T是最溶液
用于紧凑型逆变器提供的能量效率，
紧凑性和低电磁干扰。
绝对最大额定值
符号
V
PN
I
D25
I
D80
I
DP
P
D
V
CC
V
BS
V
IN
T
J
T
英镑
R
θJC
V
ISO
参数
DC连接输入电压，
每个FRFET的漏源电压
每个FRFET漏电流，连续
每个FRFET漏电流，连续
每个FRFET漏电流，峰值
最大功率耗散
控制电源电压
高侧偏置电压
输入信号电压
工作结温
储存温度
结到外壳热阻
隔离电压
T
C
= 25°C
T
C
= 80°C
条件
等级
250
1.5
1.0
3.0
10
20
20
-0.3 VCC + 0.3
-20 ~ 125
-50 ~ 150
单位
V
A
A
A
W
V
V
V
°C
°C
° C / W
V
RMS
T
C
= 25 ° C， PW <为100μs
T
C
= 25℃时，每FRFET
V的应用
CC
和COM
V的应用
B（ U）
-U ，V
B（ V）
-V, V
B（ W）
-W
IN和COM之间施加
根据变频器的运行CON-每个FRFET
条件（注1 ）
60Hz的正弦，1分钟后，连接销
散热器来
10.2
1500
2005仙童半导体公司
1
www.fairchildsemi.com
FSB50325T版本A
FSB50325T智能功率模块（ SPM ）
引脚说明
引脚数
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
引脚名称
COM
V
B（ U）
V
CC （ U）
IN
（UH ）
IN
（UL）的
NC
V
B（ V）
V
CC （ V）
IN
（V H）
IN
（ VL）的
NC
V
B（ W）
V
CC （W）的
IN
（ WH ）
IN
（ WL ）
NC
P
U，V
S（ U）
N
U
N
V
V, V
S（ V）
N
W
W，V
S（ W）的
IC供应商共同地
引脚说明
偏置电压为U相的高端FRFET驾驶
偏置电压为U相的IC和低端FRFET驾驶
输入信号U相高侧
信号输入U相的低端
无连接
偏置电压V相高边驱动FRFET
偏置电压V相位IC和低端FRFET驾驶
信号输入V相高边
信号输入V相低端
无连接
偏置电压为W相的高端FRFET驾驶
偏置电压为W相的IC和低端FRFET驾驶
信号输入W相的高端
信号输入W相的低端
无连接
正直流母线输入
输出U相&辅助供电的地高端FRFET驾驶
直流母线电压负输入U相
直流母线电压负输入为V相
输出V阶段&辅助供电的地高端FRFET驾驶
直流母线电压负输入W相
输出W相的&辅助供电的地高端FRFET驾驶
（1）的COM
(2) V
B（ U）
(3) V
CC （ U）
（4）在
（UH ）
（5）在
（UL）的
（6） NC
(7) V
B（ V）
(8) V
CC （ V）
（9）在
（V H）
（10）在
（ VL）的
（11）的NC
(12) V
B（ W）
(13) V
CC （W）的
（14）在
（ WH ）
（15）在
（ WL ）
（16）的NC
注意：
每个低边MOSFET的源端没有连接到电源内部SPM地面或偏置电压地面。外部的连接应被制成如图所示
2和5 。
(17) P
VCC
HIN
LIN
COM
VB
HO
VS
LO
(19) N
U
VCC
HIN
LIN
COM
VB
HO
VS
LO
(21) V, V
S（ V）
(20) N
V
（ 18 ） U，V
S（ U）
VCC
HIN
LIN
COM
VB
HO
VS
LO
(22) N
W
（ 23 ） W，V
S（ W）的
图1.引脚配置和内部结构图（底视图）
2
FSB50325T版本A
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FSB50325T智能功率模块（ SPM ）
电气特性
(T
J
= 25 ° C，V
CC
=V
BS
= 15V除非另有说明）
逆变部分
（每FRFET除非另有说明）
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
/
T
J
I
DSS
R
DS （ ON）
V
SD
t
ON
t
关闭
t
rr
E
ON
E
关闭
RBSOA
（注3）
V = 200V, V
CC
= V
BS
= 15V ，我
D
= I
DP
, V
DS
ΔBV
DSS
,
反向偏置安全能操作
PN
T
J
= 125°C
阿婷区
高边和低边FRFET开关（注4）
开关时间
参数
条件
最小典型最大单位
250
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.31
-
1.4
-
1076
660
108
47
3.1
-
-
250
1.8
1.2
-
-
-
-
-
V
V
A
V
ns
ns
ns
J
J
漏源击穿
V
IN
= 0V时，我
D
= 250μA （注2）
电压
击穿电压温
I
D
= 250μA ，引用至25℃
漂移系数
零栅极电压
漏电流
静态漏源
导通电阻
漏源二极管
正向电压
V
IN
= 0V, V
DS
= 250V
V
CC
= V
BS
= 15V, V
IN
= 5V ，我
D
= 1.0A
V
CC
= V
BS
= 15V, V
IN
= 0V时，我
D
= -1.0A
V
PN
= 150V, V
CC
= V
BS
= 15V ，我
D
= 1.0A
V
IN
= 0V
5V
感性负载L = 3MH
高侧和低侧开关FRFET
完整的正方形
控制部分
（每HVIC除非另有说明）
符号
I
QCC
I
QBS
UV
CCD
UV
CCR
UV
BSD
UV
BSR
V
IH
V
IL
I
IH
I
IL
注意：
1.对于案例温度T的测量点
C
请参阅图3，在第4页。
2. BV
DSS
是漏极和各FRFET内SPM的源端之间的绝对最大电压额定值。 V
PN
应足够小于此值，考虑到
杂散电感，使得效果V
DS
应不超过BV
DSS
在任何情况下。
3. t
ON
和T
关闭
包括内部驱动IC的传输延迟时间。所列的值是在实验室测试条件下测得，并且它们可以根据不同
字段applcations由于不同的印刷电路板和布线的效果。请参阅图4与图5中的开关的测试电路的切换的时间定义。
4.峰值电流和开关操作过程中每个FRFET的电压应被包括在安全工作区（SOA ） 。请参阅图5为RBSOA测试税务局局长
扣器是相同的，作为开关的测试电路。
参数
静态V
CC
当前
静态V
BS
当前
低端欠压
保护（图6）
高侧欠压
保护（图7）
对阈值电压
断阈值电压
输入偏置电流
V
CC
=15V, V
IN
=0V
V
BS
=15V, V
IN
=0V
条件
V的应用
CC
和COM
V的应用
B（ U）
-U,
V
B（ V）
-V, V
B（ W）
-W
最小典型最大单位
-
-
7.4
8.0
7.4
8.0
2.9
-
-
-
-
-
8.0
8.9
8.0
8.9
-
-
10
-
160
100
9.4
9.8
9.4
9.8
-
0.8
20
2
A
A
V
V
V
V
V
V
A
A
V
CC
欠压保护检测水平
V
CC
欠压保护复位电平
V
BS
欠压保护检测水平
V
BS
欠压保护复位电平
逻辑高电平
逻辑低电平
V
IN
= 5V
V
IN
= 0V
IN和COM之间施加
IN和COM之间施加
3
FSB50325T版本A
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FSB50325T智能功率模块（ SPM ）
推荐工作条件
符号
V
PN
V
CC
V
BS
V
IN（上）
V
中（关闭）
t
DEAD
f
PWM
T
C
参数
电源电压
控制电源电压
高侧偏置电压
输入阈值电压
OFF输入阈值电压
条件
P和N之间施加
V的应用
CC
和COM
V的应用
B
和输出（ U，V， W）的
IN和COM之间施加
价值
分钟。
-
13.5
13.5
3.0
0
1.0
-
-20
典型值。
150
15
15
-
-
-
15
-
马克斯。
200
16.5
16.5
V
CC
0.6
-
-
100
单位
V
V
V
V
V
s
千赫
°C
消隐时间避
V
CC
=V
BS
= 13.5 16.5V ，T
J
≤
125°C
臂短
PWM开关频率
外壳温度
T
J
≤
125°C
T
J
≤
125°C
这些值取决于PWM
控制算法
15 -V的线
R
1
D
1
VCC
HIN
LIN
C
5
COM
VB
HO
VS
LO
N
C
2
SPM的一腿图
*引导外观和数据的实施例：
C
1
= C
2
= 1μF的陶瓷电容，
R
1
= 56,
R
3
C
1
P
V
DC
HIN
0
LIN
0
1
0
1
开放
产量
Z
0
V
DC
被禁止
Z
记
无论FRFET关
低端FRFET在
高端FRFET在
SHOOT - THROUGH
同样作为（0， 0）
R
5
逆变器
产量
C
3
0
1
1
开放
MICOM
10F
注意：
（ 1 ）建议自举二极管D
1
拥有400 -V评级柔软，快速恢复特性
（ 2） bootsrap电路元件的参数都依赖于PWM算法。对于15 kHz的开关频率，参数典型的例子就是如上图所示。
（ 3 ） RC耦合（R
5
和C
5
）在每个输入端（表示为虚线），也可以用于防止不正当的输入信号由于浪涌噪声。 SPM的信号输入是用标准的兼容
准CMOS或LSTTL outptus 。
（4）粗体线应短而厚的印刷电路板图案，以具有电路的小寄生电感，这导致浪涌电压的降低。旁路电容如C
1
, C
2
和C
3
应具有良好的高频特性来吸收高频纹波电流。
图2.推荐的CPU接口和自举电路参数
14.50mm
3.80mm
MOSFET
注意：
外壳温度（TC ）
检测点
附加上的SPM的散热器侧的顶部的热电偶（SPM和散热器之间，如果施加）来获得正确的温度测量。
图3.外壳温度测量
4
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FSB50325T智能功率模块（ SPM ）
V
IN
I
rr
V
DS
我100 ％
D
我120 ％
D
V
IN
I
D
我10 ％
D
I
D
V
DS
t
ON
t
rr
t
关闭
（一）开通
（二）关断
图4.开关时间的定义
C
BS
V
CC
R
BS
VCC
HIN
LIN
COM
VB
HO
VS
LO
+
V
DS
-
L
V
DC
I
D
SPM的一腿图
图5.切换和RBSOA （单脉冲）测试电路（低压侧）
输入信号
紫外线防护
状态
RESET
发现
RESET
低端电源，V
CC
UV
CCR
UV
CCD
MOSFET电流
图6.欠压保护（低端）
输入信号
紫外线防护
状态
RESET
发现
RESET
高端电源，V
BS
UV
BSR
UV
BSD
MOSFET电流
图7.欠压保护（高端）
5
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