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FSB50250A智能功率模块（ SPM ）

2011年12月

FSB50250A

智能功率模块（ SPM

)

特点

500V

DS （ ON）

= 3.8W （最大） 3相FRFET逆变器包括

高压集成电路（ HVIC）

3分负直流母线端子，变频器的电流sens-

ing应用

HVIC栅极驱动和欠压保护

3 / 5V CMOS / TTL兼容，高电平有效接口

优化了低电磁干扰

1500VRMS的隔离电压等级为1分钟。

HVIC温度传感

内置自举二极管的封装

符合RoHS

运动-SPM

应用

小功率交流电机驱动三相逆变器驱动

概述

FSB50250A是一个很小的智能功率模块（ SPM

）基于

FRFET技术作为小型紧凑型逆变器解决方案

功率电机驱动应用，如风扇电机和水

供应商。它由6个快速恢复MOSFET（ FRFET ）

3半桥的HVIC的FRFET栅极驱动。 FSB50250A

提供低电磁干扰（EMI）特性

具有优化的开关速度。此外，由于采用了

FRFET作为电源开关，它具有更好的耐用性和

较大的安全操作区（SOA）比的基于IGBT的

功率模块或单芯片解决方案。包进行了优化

用于在使用的热性能和紧凑性

内置电动机应用和任何其他应用程序，其中所述

装配间隙关注。 FSB50250A是最好的解决办法

用于紧凑型逆变器提供的能量效率，

紧凑性和低电磁干扰。

2011仙童半导体公司

www.fairchildsemi.com

FSB50250A版本A

FSB50250A智能功率模块（ SPM ）

绝对最大额定值

逆变部分

（每FRFET除非另有说明）

符号

D25

D80

DRMS

参数

DC连接输入电压，

每个FRFET的漏源电压

每个FRFET漏电流，连续

每个FRFET漏电流，峰值

每个FRFET漏电流，有效值

最大功率耗散

= 25°C

= 80°C

条件

等级

500

1.2

0.9

3.1

0.6

13.4

单位

RMS

= 25 ° C， PW < 100毫秒

= 80 ° C，F

PWM

<为20KHz

= 25℃时，对于每个FRFET

控制部分

（每HVIC除非另有说明）

符号

参数

控制电源电压

高侧偏置电压

输入信号电压

条件

V的应用

和COM

V的应用

和V

IN和COM之间施加

等级

-0.3 ~ V

+0.3

单位

自举二极管部分

（每一个自举二极管除非另有说明）

符号

RRMB

* I

FPB

参数

Maixmum重复反向电压

正向电流

正向电流（峰值）

= 25°C

条件

等级

500

0.5

1.5

单位

= 25 ° C，在1毫秒脉冲宽度

热阻

符号

QJC

参数

结到外壳热阻

条件

逆变器operat-在每个FRFET

荷兰国际集团的条件（注1 ）

等级

9.3

单位

° C / W

系统总

符号

英镑

ISO

参数

工作结温

储存温度

隔离电压

条件

等级

-40 ~ 150

-40 ~ 125

单位

°C

RMS

60Hz的正弦，1分钟后，连续的

nection销到散热器

1500

注意：

1.对于案例温度T的测量点

请参阅图4 。

2.标“*”为计算值或设计因素。

FSB50250A版本A

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FSB50250A智能功率模块（ SPM ）

引脚说明

引脚数

引脚名称

COM

B（ U）

CC （ U）

（UH ）

（UL）的

N.C

B（ V）

CC （ V）

（V H）

（ VL）的

B（ W）

CC （W）的

（ WH ）

（ WL ）

N.C

U，V

S（ U）

V, V

S（ V）

W，V

S（ W）的

IC供应商共同地

引脚说明

偏置电压为U相的高端FRFET驾驶

偏置电压为U相的IC和低端FRFET驾驶

输入信号U相高侧

信号输入U相的低端

N.C

偏置电压V相高边驱动FRFET

偏置电压V相位IC和低端FRFET驾驶

信号输入V相高边

信号输入V相低端

输出HVIC温度传感

偏置电压为W相的高端FRFET驾驶

偏置电压为W相的IC和低端FRFET驾驶

信号输入W相的高端

信号输入W相的低端

N.C

正直流母线输入

输出U相&辅助供电的地高端FRFET驾驶

直流母线电压负输入U相

直流母线电压负输入为V相

输出V阶段&辅助供电的地高端FRFET驾驶

直流母线电压负输入W相

输出W相的&辅助供电的地高端FRFET驾驶

（1）的COM

(2) V

B（ U）

(3) V

CC （ U）

（4）在

（UH ）

（5）在

（UL）的

（6） N.C

(7) V

B（ V）

(8) V

CC （ V）

（9）在

（V H）

（10）在

（ VL）的

（ 11 ） VTS

(12) V

B（ W）

(13) V

CC （W）的

（14）在

（ WH ）

（15）在

（ WL ）

（ 16 ） N.C

VCC

HIN

LIN

COM

（ 23 ） W，V

S（ W）的

(22) N

VCC

HIN

LIN

COM

VTS

(21) V, V

S（ V）

(19) N

(20) N

VCC

HIN

LIN

COM

（ 18 ） U，V

S（ U）

(17) P

注意：

每个低侧MOSFET的源极端子连接不提供内部SPM的地面或偏压接地

。外部的连接应使如在图3中所示

图1.引脚配置和内部结构图（底视图）

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FSB50250A智能功率模块（ SPM ）

电气特性

= 25 ° C，V

= 15V除非另有说明）

逆变部分

（每FRFET除非另有说明）

符号

DSS

DS （ ON）

关闭

RBSOA

V = 400V, V

= V

= 15V ，我

= I

, V

ΔBV

DSS

反向偏置安全能操作

= 150°C

阿婷区

高边和低边FRFET开关（注3）

开关时间

= 300V, V

= V

= 15V ，我

= 0.5A

= 0V

5V ，感性负载L = 3MH

高侧和低侧开关FRFET

（注2 ）

参数

条件

最小典型最大单位

500

2.5

1150

950

190

3.8

1.2

漏源击穿

= 0V时，我

= 1毫安（注1 ）

电压

零栅极电压

漏电流

静态漏源

导通电阻

漏源二极管

正向电压

= 0V, V

= 500V

= V

= 15V, V

= 5V ，我

= 0.5A

= V

= 15V, V

= 0V时，我

= -0.5A

完整的正方形

控制部分

（每HVIC除非另有说明）

符号

QCC

QBS

CCD

CCR

BSD

BSR

参数

静态V

当前

静态V

当前

低端欠压

保护（图8）

高侧欠压

保护（图9）

HVIC温度sens-

ING电压输出

对阈值电压

断阈值电压

=15V, V

=0V

=15V, V

=0V

条件

V的应用

和COM

V的应用

B（ U）

-U,

B（ V）

-V, V

B（ W）

-W

最小典型最大单位

7.4

8.0

7.4

8.0

600

2.9

8.0

8.9

8.0

8.9

790

200

100

9.4

9.8

9.4

9.8

980

0.8

欠压保护检测水平

欠压保护复位电平

欠压保护检测水平

欠压保护复位电平

= 15V ，T

HVIC

= 25 ° C（注4 ）

逻辑高电平

逻辑低电平

IN和COM之间施加

自举二极管部分

（每一个自举二极管除非另有说明）

符号

RRB

注意：

1. BV

DSS

是每FRFET内的SPM的漏极和源极端子之间的绝对最大额定电压

. V

应足够小于此值，考虑到

杂散电感，使得效果V

应不超过BV

DSS

在任何情况下。

2. t

和T

关闭

包括内部驱动IC的传输延迟时间。所列的值是在实验室测试条件下测得，并且它们可以根据不同

字段applcations由于不同的印刷电路板和布线的效果。请参阅图6与图7中的开关的测试电路的切换的时间定义。

3.峰值电流和开关操作过程中每个FRFET的电压应被包括在安全工作区（SOA ）。请参见图7为RBSOA测试税务局局长

扣器是相同的，作为开关的测试电路。

4. V

只对传感模块的温度，不能自动关机的MOSFET 。

5.内置自举二极管，包括约15

电阻特性。请参考图2 。

参数

正向电压

反向恢复时间

条件

= 0.1A ，T

= 25 （注5 ）

= 0.1A ，T

= 25°C

最小典型最大单位

2.5

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FSB50250A智能功率模块（ SPM ）

推荐运行条件

符号

IN（上）

中（关闭）

DEAD

PWM

参数

电源电压

控制电源电压

高侧偏置电压

输入阈值电压

OFF输入阈值电压

条件

P和N之间施加

V的应用

和COM

V的应用

和V

IN和COM之间施加

价值

分钟。

13.5

3.0

1.0

典型值。

300

马克斯。

400

16.5

0.6

单位

千赫

消隐时间避

= 13.5 16.5V ，T

150°C

臂短

PWM开关频率

150°C

包装标识&订购信息

器件标识

FSB50250A

设备

FSB50250A

包

SPM23-FD

带尺寸

包装类型

QUANTITY

1.0

0.9

0.8

0.7

0.6

内置自举二极管V

-I

特征

[A]

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

0.0

[V]

Tc=25°C

图2.内置自举二极管特性（典型值）。

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