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FS8S0965RCB
特点
飞兆功率开关( FPS )
描述
FS8S0965RCB是飞兆功率开关( FPS )即
专门用于离线开关电源设计的CRT显示器的同
最少的外部元件。此设备是电流模式
PWM控制器结合一个高电压功率
SENSEFET在单个封装中。 PWM控制器功能
集成振荡器与外部同步
同步信号,欠压闭锁,优化的栅极驱动器和
温度补偿的精确电流源的
环路补偿。该器件还包括各种故障
保护电路,如过电压保护,过负载
保护,过电流保护,过温异常
perature保护。与分立MOSFET比较,
PWM控制器解决方案, FPS可以降低总成本,康波
新界东北计数,尺寸和重量同时提高艾菲
效率,生产率和系统的可靠性。此设备是井
适合于高性价比显示器的电源。
TO-220-5L
突发模式工作,以降低功耗
在待机模式
外部引脚用于同步和软启动
宽工作频率范围为150KHz
低启动电流(最大: 80uA )
低工作电流(最大: 15毫安)
逐个脉冲电流限制
过电压保护(自动重新启动模式)
过负载保护(自动重新启动模式)
异常过电流保护(自动重新启动模式)
内部热关断(自动重新启动模式)
欠压锁定
内部高压值SenseFET
应用
监控SMPS
1
1.漏2. GND 3. V
CC
4.反馈5.同步
内部框图
VREF
VCC
3
VCC好
1
软启动5
&同步
突发模式探测器
Vfb<=1V
Vss>3V
不同步
VREF
突发模式
调节器
9V/15V
SYNC
探测器
VREF
OSC
国内
BIAS
VCC
I
延迟
VREF
I
FB
PWM
2.5R
R
S
R
Q
Q
FB
4
司机
LEB
V
SD
VCC
S
Q
VOVP
TSD
UVLO复位
(Vcc<9V)
R
Q
2 GND
AOCP
Vocl
Rev.1.0.1
2003仙童半导体公司
FS8S0965RCB
引脚德网络nitions
引脚数
1
2
3
引脚名称
GND
VCC
引脚功能说明
高压功率值SenseFET的漏极连接。此引脚用来驱动
直接的变压器。
此引脚是控制地面和值SenseFET源。
该引脚是正电源输入。该引脚提供内部操作电流
为启动和稳态运行。
该引脚内部连接到PWM比较器的反相输入端。
对于稳定运行,电容应放置在该引脚与GND之间。如果
该引脚的电压达到7.5V时,过载保护被激活
导致FPS关机。
该引脚用于软启动和同步到外部同步信号。
4
反馈
软启动&
SYNC
5
2
FS8S0965RCB
绝对最大额定值
( TA = 25℃ ,除非另有规定)
参数
漏,栅极电压(R
GS
=1M)
门源( GND )电压
漏电流脉冲
(1)
单脉冲雪崩能量
(2)
单脉冲雪崩电流
(3)
连续漏电流(TC = 25 ° C)
连续漏电流(T
C
=100°C)
电源电压
输入电压范围
总功耗
工作结温
工作环境温度
存储温度范围
符号
V
DGR
V
GS
I
DM
E
AS
I
AS
I
D
I
D
V
CC
V
FB
V
S_S
P
D
(瓦特H / S)
降额
T
j
T
A
T
英镑
价值
650
±30
32.4
515
25
8.1
5.1
40
-0.3到Vcc
-0.3至10
155
1.243
+150
-25至+85
-55到+150
单位
V
V
A
DC
mJ
A
A
DC
A
DC
V
V
V
W
W / ℃,
°C
°C
°C
注意事项:
1.重复评价:脉冲宽度有限的最高结温
2, L = 14mH ,开始TJ = 25°C
3, L = 13uH ,开始TJ = 25°C
3
FS8S0965RCB
电气特性(值SenseFET部分)
( TA = 25 ° C除非另有说明)
参数
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
静态漏源导通电阻
(1)
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
打开延迟时间
上升时间
关闭延迟时间
下降时间
总栅极电荷
(栅极 - 源+栅极 - 漏极)
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极(米勒)电荷
注意:
( 1 )脉冲测试:脉冲宽度
300μS ,占空比2 %
符号
BV
DSS
I
DSS
R
DS ( ON)
政府飞行服务队
西塞
科斯
CRSS
TD (上)
tr
TD (关闭)
tf
Qg
QGS
QGD
条件
V
GS
= 0V时,我
D
=250A
V
DS
=650V, V
GS
=0V
V
DS
=520V
V
GS
= 0V ,T
C
=125°C
V
GS
= 10V ,我
D
=1.8A
V
DS
= 50V ,我
D
=1.8A
V
GS
=0V, V
DS
=25V,
F = 1MHz的
V
DD
= 325V ,我
D
=6.5A
( MOSFET开关
时间基本上是
独立
工作温度)
V
GS
= 10V ,我
D
=6.5A,
V
DS
= 520V ( MOSFET
切换时间是基本上
独立运营的
温度)
分钟。
650
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
1.0
8
1300
135
25
25
75
130
70
45
8
21
马克斯。
-
200
300
1.2
-
-
-
-
-
-
-
-
60
-
-
单位
V
A
A
姆欧
pF
nS
nC
4
FS8S0965RCB
电气特性
(续)
( TA = 25 ° C除非另有说明)
参数
UVLO节
启动阈值电压
停止阈值电压
振荡器部分
初始频率
电压稳定
温度稳定性( 1 )
最大占空比
最小占空比
反馈部分
反馈源电流
反馈灌电流
关机反馈电压
关机延迟电流
保护科
过电压保护
过电流闭锁电压( 2 )
热关断温度( 1 )
SYNC &软启动部分
软启动Vortage
软启动电流
同步高阈值电压
同步低阈值电压
V
SS
I
SS
V
SH
V
SL
Vfb=2
Vss=0V
Vcc=16V,Vfb=5V
Vcc=16V,Vfb=5V
4.7
0.8
6.7
5.4
5.0
1.0
7.2
5.8
5.3
1.2
7.9
6.2
V
mA
V
V
V
OVP
V
OCL
T
SD
VCC
27V
-
-
34
0.95
140
37
1.0
160
-
1.05
-
V
V
°C
I
FBSO
I
FBSI
V
SD
IDELAY
V
FB
= GND
V
FB =
4V,V
CC
=19V
VFB
6.9V
V
FB
=5V
0.7
2.4
6.9
1.6
0.9
3.0
7.5
2.0
1.1
3.6
8.1
2.4
mA
mA
V
A
F
OSC
F
稳定
F
OSC
D
最大
D
-
12V
VCC
23V
-25°C
Ta
85°C
-
-
18
0
0
92
-
20
1
±5
95
-
22
3
±10
98
0
千赫
%
%
%
%
V
开始
V
停止
V
FB
= GND
V
FB
= GND
14
8
15
9
16
10
V
V
符号
条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
注意:
1.这些参数,虽然保证在设计,没有大规模生产测试。
2.这些参数,虽然保证,在EDS (晶圆测试)过程中进行测试。
5
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