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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符F型号页 > 首字符F的型号第200页 > FS7KM-18A
三菱N沟道功率MOSFET
FS7KM-18A
高速开关使用
FS7KM-18A
外形绘图
10 ± 0.3
6.5 ± 0.3
3 ± 0.3
尺寸(mm)
2.8 ± 0.2
15 ± 0.3
φ
3.2 ± 0.2
14 ± 0.5
3.6 ± 0.3
1.1 ± 0.2
1.1 ± 0.2
0.75 ± 0.15
0.75 ± 0.15
2.54 ± 0.25
2.54 ± 0.25
4.5 ± 0.2
q
w
e
来源
1 2 3
2.6 ± 0.2
w
V
DSS ................................................. ..............................
900V
r
DS ( ON) ( MAX ) ........................................... .....................
2.0
I
D ...........................................................................................
7A
V
ISO ................................................. ...............................
2000V
q
e
TO-220FN
应用
开关电源, DC-DC转换器,电池充电器,电源
供应打印机,复印机,硬盘,软驱,电视,录像机, per-
SONAL电脑等。
最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
P
D
T
ch
T
英镑
V
ISO
( TC = 25 ° C)
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
漏电流(脉冲)
最大功率耗散
通道温度
储存温度
隔离电压
重量
V
GS
= 0V
V
DS
= 0V
条件
评级
900
±30
7
21
40
–55 ~ +150
单位
V
V
A
A
W
°C
°C
V
RMS
g
Feb.1999
交流时间1分钟,终端到外壳
典型的价值
–55 ~ +150
2000
2
三菱N沟道功率MOSFET
FS7KM-18A
高速开关使用
电气特性
符号
V
( BR ) DSS
V
( BR ) GSS
I
GSS
I
DSS
V
GS ( TH)
r
DS ( ON)
V
DS ( ON)
y
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
SD
R
TH( CH-C )
参数
(总胆固醇= 25 ℃)下
测试条件
I
D
= 1mA时, V
GS
= 0V
I
GS
=
±100A,
V
DS
= 0V
V
GS
=
±25V,
V
DS
= 0V
V
DS
= 900V, V
GS
= 0V
I
D
= 1mA时, V
DS
= 10V
I
D
= 3A ,V
GS
= 10V
I
D
= 3A ,V
GS
= 10V
I
D
= 3A ,V
DS
= 10V
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V , F = 1MHz的
范围
分钟。
900
±30
2
4.2
典型值。
3
1.54
4.62
7.0
1380
140
28
25
28
185
46
1.0
马克斯。
±10
1
4
2.00
6.00
1.5
3.13
单位
V
V
A
mA
V
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
° C / W
漏源击穿电压
栅源击穿电压
栅极 - 源极漏电流
漏极 - 源极漏电流
门源阈值电压
漏源导通电阻
漏源通态电压
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源 - 漏电压
热阻
V
DD
= 200V ,我
D
= 3A ,V
GS
= 10V,
R
= R
GS
= 50
I
S
= 3A ,V
GS
= 0V
渠道情况
性能曲线
功耗降额曲线
50
最大安全工作区
3
2
TW = 10毫秒
功耗P
D
(W)
40
漏电流I
D
(A)
30
10
1
7
5
3
2
10
0
7
5
3
2
10
–1
7
5
3
100ms
1ms
20
10ms
100ms
T
C
= 25°C
单脉冲
DC
10
0
0
50
100
150
200
3
5 7 10
1
2 3
5 7 10
2
2 3 5 7 10
3
2 3
案例温度T
C
(°C)
输出特性
(典型值)
20
T
C
= 25°C
脉冲测试
漏源电压V
DS
(V)
输出特性
(典型值)
5
T
C
= 25°C
脉冲测试
V
GS
= 20V
10V
5V
V
GS
= 20V
4.5V
漏电流I
D
(A)
16
P
D
= 40W
漏电流I
D
(A)
10V
4
P
D
= 40W
12
5V
3
8
2
4V
4
4V
1
3.5V
0
0
10
20
30
40
50
0
0
4
8
12
16
20
漏源电压V
DS
(V)
漏源电压V
DS
(V)
Feb.1999
三菱N沟道功率MOSFET
FS7KM-18A
高速开关使用
导通电压VS.
栅源电压
(典型值)
50
漏极 - 源极导通状态
电压V
DS ( ON)
(V)
T
C
= 25°C
脉冲测试
通态电阻VS.
漏电流
(典型值)
5.0
漏极 - 源极导通状态
电阻R
DS ( ON)
()
T
C
= 25°C
脉冲测试
40
I
D
= 14A
4.0
V
GS
= 10V
30
3.0
20V
20
7A
2.0
10
3A
1.0
0
10
–1
2 3 5 7 10
0
2 3 5 7 10
1
2 3 5 7 10
2
漏电流I
D
(A)
0
0
4
8
12
16
20
栅极 - 源极电压V
GS
(V)
传输特性
(典型值)
20
T
C
= 25°C
V
DS
= 50V
脉冲测试
正向转移导纳
VS.DRAIN CURRENT
(典型值)
10
1
V
DS
= 10V
7
脉冲测试
5
正向传递
导纳
y
fs
(S)
T
C
= 25°C
75°C
125°C
漏电流I
D
(A)
16
3
2
10
0
7
5
3
2
12
8
4
0
0
4
8
12
16
20
10
–1 –1
10
2 3
5 7 10
0
2 3
5 7 10
1
栅极 - 源极电压V
GS
(V)
漏电流I
D
(A)
电容与
漏源电压
(典型值)
10
4
7
5
3
2
10
3
7
5
3
2
10
2
7
5
3
TCH = 25°C
2
F = 1MH
Z
10
1
V
GS
= 0V
科斯
开关特性
(典型值)
10
3
7
5
TCH = 25°C
V
DD
= 200V
V
GS
= 10V
R
= R
GS
= 50
t
D(关闭)
西塞
切换时间(纳秒)
电容
西塞,科斯,的Crss (PF )
3
2
10
2
7
5
3
2
10
1 –1
10
2 3
5 7 10
0
t
f
t
r
CRSS
t
D(上)
2 3 5 7 10
0
2 3 5 7 10
1
2 3 5 7 10
2
2
漏源电压V
DS
(V)
2 3
5 7 10
1
漏电流I
D
(A)
Feb.1999
三菱N沟道功率MOSFET
FS7KM-18A
高速开关使用
栅源电压
VS.GATE CHARGE
(典型值)
源极 - 漏极二极管
正向特性
(典型值)
20
V
GS
= 0V
脉冲测试
栅极 - 源极电压V
GS
(V)
20
TCH = 25°C
I
D
= 7A
16
V
DS
= 250V
400V
600V
源电流我
S
(A)
16
T
C
= 125°C
12
12
75°C
8
8
25°C
4
4
0
0
20
40
60
80
100
0
0
0.8
1.6
2.4
3.2
4.0
栅极电荷q
g
( NC )
源极 - 漏极电压V
SD
(V)
漏源通态电阻R
DS ( ON)
(25°C)
漏源通态电阻R
DS ( ON)
(T ° C)
通态电阻VS.
通道温度
(典型值)
10
1
7
5
3
2
10
0
7
5
3
2
10
–1
–50
0
50
100
150
V
GS
= 10V
I
D
= 1/2I
D
脉冲测试
阈值电压 -
通道温度
(典型值)
5.0
V
DS
= 10V
I
D
= 1毫安
门极 - 源
电压V
GS ( TH)
(V)
4.0
3.0
2.0
1.0
0
–50
0
50
100
150
沟道温度Tch ( ° C)
沟道温度Tch ( ° C)
漏源击穿电压V
( BR ) DSS
(25°C)
瞬态热阻抗Z
TH( CH-C )
( ° C / W)
漏源击穿电压V
( BR ) DSS
(T ° C)
击穿电压VS.
通道温度
(典型值)
1.4
V
GS
= 0V
I
D
= 1毫安
瞬态热阻抗
特征
10
1
7
5
3
2
10
0
7
5
3
2
10
–1
7
5
3
2
D = 1.0
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
–50
0
50
100
150
10
–2 –4
10 2 3 5710
–3
2 3 5710
–2
2 3 5710
–1
2 3 5710
0
2 3 5710
1
2 3 5710
2
脉冲宽度t
w
(s)
Feb.1999
沟道温度Tch ( ° C)
三菱N沟道功率MOSFET
FS7KM-18A
高速开关使用
FS7KM-18A
外形绘图
10 ± 0.3
6.5 ± 0.3
3 ± 0.3
尺寸(mm)
2.8 ± 0.2
15 ± 0.3
φ
3.2 ± 0.2
14 ± 0.5
3.6 ± 0.3
1.1 ± 0.2
1.1 ± 0.2
0.75 ± 0.15
0.75 ± 0.15
2.54 ± 0.25
2.54 ± 0.25
4.5 ± 0.2
q
w
e
来源
1 2 3
2.6 ± 0.2
w
V
DSS ................................................. ..............................
900V
r
DS ( ON) ( MAX ) ........................................... .....................
2.0
I
D ...........................................................................................
7A
V
ISO ................................................. ...............................
2000V
q
e
TO-220FN
应用
开关电源, DC-DC转换器,电池充电器,电源
供应打印机,复印机,硬盘,软驱,电视,录像机, per-
SONAL电脑等。
最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
P
D
T
ch
T
英镑
V
ISO
( TC = 25 ° C)
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
漏电流(脉冲)
最大功率耗散
通道温度
储存温度
隔离电压
重量
V
GS
= 0V
V
DS
= 0V
条件
评级
900
±30
7
21
40
–55 ~ +150
单位
V
V
A
A
W
°C
°C
V
RMS
g
Feb.1999
交流时间1分钟,终端到外壳
典型的价值
–55 ~ +150
2000
2
三菱N沟道功率MOSFET
FS7KM-18A
高速开关使用
电气特性
符号
V
( BR ) DSS
V
( BR ) GSS
I
GSS
I
DSS
V
GS ( TH)
r
DS ( ON)
V
DS ( ON)
y
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
SD
R
TH( CH-C )
参数
(总胆固醇= 25 ℃)下
测试条件
I
D
= 1mA时, V
GS
= 0V
I
GS
=
±100A,
V
DS
= 0V
V
GS
=
±25V,
V
DS
= 0V
V
DS
= 900V, V
GS
= 0V
I
D
= 1mA时, V
DS
= 10V
I
D
= 3A ,V
GS
= 10V
I
D
= 3A ,V
GS
= 10V
I
D
= 3A ,V
DS
= 10V
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V , F = 1MHz的
范围
分钟。
900
±30
2
4.2
典型值。
3
1.54
4.62
7.0
1380
140
28
25
28
185
46
1.0
马克斯。
±10
1
4
2.00
6.00
1.5
3.13
单位
V
V
A
mA
V
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
° C / W
漏源击穿电压
栅源击穿电压
栅极 - 源极漏电流
漏极 - 源极漏电流
门源阈值电压
漏源导通电阻
漏源通态电压
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源 - 漏电压
热阻
V
DD
= 200V ,我
D
= 3A ,V
GS
= 10V,
R
= R
GS
= 50
I
S
= 3A ,V
GS
= 0V
渠道情况
性能曲线
功耗降额曲线
50
最大安全工作区
3
2
TW = 10毫秒
功耗P
D
(W)
40
漏电流I
D
(A)
30
10
1
7
5
3
2
10
0
7
5
3
2
10
–1
7
5
3
100ms
1ms
20
10ms
100ms
T
C
= 25°C
单脉冲
DC
10
0
0
50
100
150
200
3
5 7 10
1
2 3
5 7 10
2
2 3 5 7 10
3
2 3
案例温度T
C
(°C)
输出特性
(典型值)
20
T
C
= 25°C
脉冲测试
漏源电压V
DS
(V)
输出特性
(典型值)
5
T
C
= 25°C
脉冲测试
V
GS
= 20V
10V
5V
V
GS
= 20V
4.5V
漏电流I
D
(A)
16
P
D
= 40W
漏电流I
D
(A)
10V
4
P
D
= 40W
12
5V
3
8
2
4V
4
4V
1
3.5V
0
0
10
20
30
40
50
0
0
4
8
12
16
20
漏源电压V
DS
(V)
漏源电压V
DS
(V)
Feb.1999
三菱N沟道功率MOSFET
FS7KM-18A
高速开关使用
导通电压VS.
栅源电压
(典型值)
50
漏极 - 源极导通状态
电压V
DS ( ON)
(V)
T
C
= 25°C
脉冲测试
通态电阻VS.
漏电流
(典型值)
5.0
漏极 - 源极导通状态
电阻R
DS ( ON)
()
T
C
= 25°C
脉冲测试
40
I
D
= 14A
4.0
V
GS
= 10V
30
3.0
20V
20
7A
2.0
10
3A
1.0
0
10
–1
2 3 5 7 10
0
2 3 5 7 10
1
2 3 5 7 10
2
漏电流I
D
(A)
0
0
4
8
12
16
20
栅极 - 源极电压V
GS
(V)
传输特性
(典型值)
20
T
C
= 25°C
V
DS
= 50V
脉冲测试
正向转移导纳
VS.DRAIN CURRENT
(典型值)
10
1
V
DS
= 10V
7
脉冲测试
5
正向传递
导纳
y
fs
(S)
T
C
= 25°C
75°C
125°C
漏电流I
D
(A)
16
3
2
10
0
7
5
3
2
12
8
4
0
0
4
8
12
16
20
10
–1 –1
10
2 3
5 7 10
0
2 3
5 7 10
1
栅极 - 源极电压V
GS
(V)
漏电流I
D
(A)
电容与
漏源电压
(典型值)
10
4
7
5
3
2
10
3
7
5
3
2
10
2
7
5
3
TCH = 25°C
2
F = 1MH
Z
10
1
V
GS
= 0V
科斯
开关特性
(典型值)
10
3
7
5
TCH = 25°C
V
DD
= 200V
V
GS
= 10V
R
= R
GS
= 50
t
D(关闭)
西塞
切换时间(纳秒)
电容
西塞,科斯,的Crss (PF )
3
2
10
2
7
5
3
2
10
1 –1
10
2 3
5 7 10
0
t
f
t
r
CRSS
t
D(上)
2 3 5 7 10
0
2 3 5 7 10
1
2 3 5 7 10
2
2
漏源电压V
DS
(V)
2 3
5 7 10
1
漏电流I
D
(A)
Feb.1999
三菱N沟道功率MOSFET
FS7KM-18A
高速开关使用
栅源电压
VS.GATE CHARGE
(典型值)
源极 - 漏极二极管
正向特性
(典型值)
20
V
GS
= 0V
脉冲测试
栅极 - 源极电压V
GS
(V)
20
TCH = 25°C
I
D
= 7A
16
V
DS
= 250V
400V
600V
源电流我
S
(A)
16
T
C
= 125°C
12
12
75°C
8
8
25°C
4
4
0
0
20
40
60
80
100
0
0
0.8
1.6
2.4
3.2
4.0
栅极电荷q
g
( NC )
源极 - 漏极电压V
SD
(V)
漏源通态电阻R
DS ( ON)
(25°C)
漏源通态电阻R
DS ( ON)
(T ° C)
通态电阻VS.
通道温度
(典型值)
10
1
7
5
3
2
10
0
7
5
3
2
10
–1
–50
0
50
100
150
V
GS
= 10V
I
D
= 1/2I
D
脉冲测试
阈值电压 -
通道温度
(典型值)
5.0
V
DS
= 10V
I
D
= 1毫安
门极 - 源
电压V
GS ( TH)
(V)
4.0
3.0
2.0
1.0
0
–50
0
50
100
150
沟道温度Tch ( ° C)
沟道温度Tch ( ° C)
漏源击穿电压V
( BR ) DSS
(25°C)
瞬态热阻抗Z
TH( CH-C )
( ° C / W)
漏源击穿电压V
( BR ) DSS
(T ° C)
击穿电压VS.
通道温度
(典型值)
1.4
V
GS
= 0V
I
D
= 1毫安
瞬态热阻抗
特征
10
1
7
5
3
2
10
0
7
5
3
2
10
–1
7
5
3
2
D = 1.0
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
–50
0
50
100
150
10
–2 –4
10 2 3 5710
–3
2 3 5710
–2
2 3 5710
–1
2 3 5710
0
2 3 5710
1
2 3 5710
2
脉冲宽度t
w
(s)
Feb.1999
沟道温度Tch ( ° C)
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