TECHNISCHE信息/技术信息
IGBT -模块
IGBT模块
FS75R12KE3摹
Vorlufige （千牛顿）
初步数据
Hchstzulssige Werte /最大额定值
ELEKTRISCHE Eigenschaften /电气特性
Kollektor发射Sperrspannung
集电极 - 发射极电压
Kollektor Dauergleichstrom
DC集电极电流
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
重复峰值集电极电流
Gesamt Verlustleistung
总功耗
门发射器Spitzenspannung
栅射极电压峰值
Dauergleichstrom
直流正向电流
Periodischer Spitzenstrom
重复峰值正向电流
Grenzlastintegral
I了价值
隔离Prüfspannung
绝缘测试电压
t
p
为1ms
T
c
= 80°C
T
c
= 25°C
t
p
为1ms ，T
c
= 80°C
V
CES
I
C， NOM
I
C
I
CRM
1200
75
100
150
V
A
A
A
T
c
= 25°C
P
合计
350
W
V
GES
+/- 20
V
I
F
75
A
I
FRM
150
A
V
R
= 0V ，T
p
= 10毫秒，T
vj
= 125°C
I了
1,19
KA的
RMS中，f = 50Hz时， T = 1分
V
ISOL
2,5
kV
Charakteristische Werte /特征值
晶体管Wechselrichter /晶体管逆变器
Kollektor发射Sttigungsspannung
集电极 - 发射极电压satration
门Schwellenspannung
栅极阈值电压
Gateladung
栅极电荷
Eingangskapazitt
输入电容
Rückwirkungskapazitt
反向传输电容
Kollektor发射Reststrom
集电极 - 发射极切断电流
门发射器Reststrom
栅射极漏电流
V
GE
= 15V ，T
vj
= 25 ° C，I
C
= I
C， NOM
V
GE
= 15V ，T
vj
≤ 125 ° C，I
C
= I
C， NOM
V
CE
= V
GE
, T
vj
= 25 ° C，I
C
= 3毫安
V
CESAT
分钟。
-
-
5
典型值。
1,7
2
5,8
马克斯。
2,1
T.B.D.
6,5
V
V
V
V
GE （日）
V
GE
= -15V...+15V
Q
G
-
-
-
0,7
-
-
-
C
F = 1MHz的，T
vj
= 25 ° C，V
CE
= 25V, V
GE
= 0V
C
IES
5,3
nF
F = 1MHz的，T
vj
= 25 ° C，V
CE
= 25V, V
GE
= 0V
C
水库
0,2
nF
V
CE
= 1200V, V
GE
= 0V ，T
vj
= 25°C
I
CES
-
-
5
mA
V
CE
= 0V, V
GE
= 20V ，T
vj
= 25°C
I
GES
-
-
400
nA
准备：马克·闵采尔
批准：马丁Hierholzer
发布日期： 2001-08-16
修订版： 2
1 (8)
Datenblatt_FS75R12KE3G_V2.xls
2001-08-16
TECHNISCHE信息/技术信息
IGBT -模块
IGBT模块
FS75R12KE3摹
Vorlufige （千牛顿）
初步数据
Charakteristische Werte /特征值
晶体管Wechselrichter /晶体管逆变器
I
C
= I
C， NOM
, V
CC
= 600V
Einschaltverzgerungszeit （ induktive上）
开机延迟时间（感性负载）
V
GE
= ± 15V ，R
G
= 4,7, T
vj
= 25°C
VGE = ± 15V ， RG = 4,7Ω ， TVJ = 125°C
I
C
= I
C， NOM
, V
CC
= 600V
Anstiegszeit （ induktive上）
上升时间（感性负载）
V
GE
= ± 15V ，R
G
= 4,7, T
vj
= 25°C
VGE = ± 15V ， RG = 4,7Ω ， TVJ = 125°C
I
C
= I
C， NOM
, V
CC
= 600V
Abschaltverzgerungszeit （ induktive上）
关闭延迟时间（感性负载）
VGE = ± 15V ， RG = 4,7Ω ， TVJ = 25°C
V
GE
= ± 15V ，R
G
= 4,7, T
vj
= 125°C
I
C
= I
C， NOM
, V
CC
= 600V
Fallzeit （ induktive上）
下降时间（感性负载）
Einschaltverlustenergie亲普尔斯
打开每个脉冲的能量损失
Ausschaltverlustenergie亲普尔斯
关闭每个脉冲的能量损失
Kurzschluverhalten
SC数据
Modulinduktivitt
杂散电感模块
Leitungswiderstand ，并吞芯片
引线电阻，终端芯片
T
c
= 25°C
V
GE
= ± 15V ，R
G
= 4,7, T
vj
= 25°C
V
GE
= ± 15V ，R
G
= 4,7, T
vj
= 125°C
I
C
= I
C， NOM
, V
CC
= 600V ，L
σ
= 70nH
V
GE
= ± 15V ，R
G
= 4,7, T
vj
= 125°C
I
C
= I
C， NOM
, V
CC
= 600V ，L
σ
= 70nH
V
GE
= ± 15V ，R
G
= 4,7, T
vj
= 125°C
t
P
≤
10微秒，V
GE
≤
15V ，T
vj
≤
125°C
V
CC
= 900V, V
CEmax
= V
CES
- L
σCE
· di / dt的
E
on
t
f
-
-
-
65
90
7
-
-
-
ns
ns
mJ
t
D，关
-
-
420
520
-
-
ns
ns
t
r
-
-
30
45
-
-
ns
ns
t
D，上
-
-
260
285
-
-
ns
ns
分钟。
典型值。
马克斯。
E
关闭
-
9,5
-
mJ
I
SC
-
300
-
A
L
σCE
-
21
-
nH
R
CC' / EE'
-
1,8
-
m
Charakteristische Werte /特征值
二极管Wechselrichter /二极管逆变器
Durchlaspannung
正向电压
Rückstromspitze
峰值反向恢复电流
I
F
= I
C， NOM
, V
GE
= 0V ，T
vj
= 25°C
I
F
= I
C， NOM
, V
GE
= 0V ，T
vj
= 125°C
I
F
=I
C， NOM
， - 二
F
/ DT = 2000A / μs的
V
R
= 600V, V
GE
= -10V ，T
vj
= 25°C
V
R
= 600V, V
GE
= -10V ，T
vj
= 125°C
Sperrverzgerungsladung
recoverred费
I
F
=I
C， NOM
， - 二
F
/ DT = 2000A / μs的
V
R
= 600V, V
GE
= -10V ，T
vj
= 25°C
V
R
= 600V, V
GE
= -10V ，T
vj
= 125°C
Ausschaltenergie亲普尔斯
反向恢复能量
I
F
=I
C， NOM
， - 二
F
/ DT = 2000A / μs的
V
R
= 600V, V
GE
= -10V ，T
vj
= 25°C
V
R
= 600V, V
GE
= -10V ，T
vj
= 125°C
E
REC
-
-
3
6
-
-
mJ
mJ
Q
r
-
-
7
14
-
-
C
C
I
RM
-
-
90
100
-
-
A
A
V
F
-
-
1,65
1,65
2,1
T.B.D.
V
V
2 (8)
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TECHNISCHE信息/技术信息
IGBT -模块
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Vorlufige （千牛顿）
初步数据
Charakteristische Werte /特征值
NTC - Widerstand / NTC热敏电阻
Nennwiderstand
额定电阻
Abweichung冯
100
的R偏差
100
Verlustleistung
功耗
B-范沃特
B值
T
c
= 25°C
R
25
R/R
分钟。
-
典型值。
5
马克斯。
-
k
T
c
= 100℃ ，R
100
= 493
-5
-
5
%
T
c
= 25°C
P
25
-
-
20
mW
R
2
= R
1
exp[B(1/T
2
- 1/T
1
)]
B
25/50
-
3375
-
K
Thermische Eigenschaften /热性能
Innerer Wrmewiderstand ; DC
热电阻， juncton以案; DC
bergangs Wrmewiderstand
热电阻，案件散热器
Hchstzulssige Sperrschichttemp 。
最高结温
Betriebstemperatur
工作温度
Lagertemperatur
储存温度
晶体管Wechelr 。 /晶体管逆变器
二极管Wechselrichter /二极管逆变器
亲MODUL /每个模块
λ
贴
= 1W / M * K /
λ
油脂
= 1W / M * K
R
thJC
-
-
-
-
-
0,009
0,35
0,58
-
K / W
K / W
K / W
R
thCK
T
vjmax
-
-
150
°C
T
vjop
-40
-
125
°C
T
英镑
-40
-
125
°C
Mechanische Eigenschaften /机械性能
Gehuse ，世赫原基
情况下，见附录
维也纳内隔离
内部绝缘
CTI
comperative漏电起痕指数
Anzugsdrehmoment ，机甲。 Befestigung
安装力矩
Gewicht
重量
Schraube M5
螺丝M5
M
3
Al
2
O
3
225
-
6
Nm
G
300
g
麻省理工学院dieser technischen信息werden Halbleiterbauelemente spezifiziert ， jedoch keine Eigenschaften
zugesichert 。在Verbindung SIE镀金麻省理工学院书房zugehrigen technischen Erluterungen 。
本技术信息指定半导体器件，但承诺没有的特点。它是有效的同
所属技术说明。
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TECHNISCHE信息/技术信息
IGBT -模块
IGBT模块
FS75R12KE3摹
Vorlufige （千牛顿）
初步数据
Ausgangskennlinie （ typisch ）
输出特性（典型值）
150
135
120
105
90
I
C
[A]
75
60
45
30
15
0
0,0
0,5
1,0
1,5
V
CE
[V]
2,0
TVJ = 25°C
TVJ = 125°C
I
C
= F（V
CE
)
V
GE
= 15V
2,5
3,0
3,5
Ausgangskennlinienfeld （ typisch ）
输出特性（典型值）
150
135
120
105
90
I
C
[A]
75
60
45
30
15
0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
V
CE
[V]
3,0
VGE=19V
VGE=17V
VGE=15V
VGE=13V
VGE=11V
VGE=9V
I
C
= F（V
CE
)
T
vj
= 125°C
3,5
4,0
4,5
5,0
4 (8)
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TECHNISCHE信息/技术信息
IGBT -模块
IGBT模块
FS75R12KE3摹
Vorlufige （千牛顿）
初步数据
bertragungscharakteristik （ typisch ）
传输特性（典型值）
150
135
120
105
90
I
C
[A]
75
60
45
30
15
0
5
6
7
8
9
V
GE
[V]
10
TVJ = 25°C
TVJ = 125°C
I
C
= F（V
GE
)
V
CE
= 20V
11
12
13
Durchlakennlinie德Inversdiode （ typisch ）
反向二极管的正向caracteristic （典型值）
150
135
120
105
90
I
F
[A]
75
60
45
30
15
0
0,0
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0
1,2
V
F
[V]
1,4
TVJ = 25°C
TVJ = 125°C
I
F
= F（V
F
)
1,6
1,8
2,0
2,2
2,4
5 (8)
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2001-08-16
QQ：2881677436 复制
