FS6128-07
AMERICAN MICROSYSTEMS，INC 。
PLL时钟发生器IC与VCXO
2000年8月
1.0
特点
2.0
描述
比赛MK3727中心频率特性
锁相环（PLL）合成器输出
由晶体振荡器或外部基准时钟频率
erence时钟
片上的可调谐压控晶体振荡器
（ VCXO ），让精确的系统频率调谐
3.3V电源电压
极低的相位噪声PLL
使用带有“可牵引” 14pF的晶体 - 无需外部pad-
需要鼎电容
小电路板面积（ 8引脚0.150 “ SOIC ）
自定义频率可用的选项 - 请联系您
AMI当地销售代表了解更多信息
该FS6128是一款单芯片CMOS时钟发生器IC
为了尽量减少在数字成本和元件数
视频/音频系统。
在FS6128的核心是电路，该电路实现了一种
压控晶体振荡器（VCXO ），当一个EX-
ternal振荡器（标称13.5兆赫）附后。该
VCXO允许设备的频率被精确地调整
在有频率的匹配系统，再利用
quirements ，如数字卫星接收机。
高分辨率锁相环产生一输出
时钟（CLK）通过一个后分频器。 CLK频率为
按比例来自VCXO的频率。该
在CLK的频率向其他系统参考的锁定
频率可消除视频中的不可预知的假象
系统并降低电磁干扰（EMI）
由于频率谐波堆叠。
图1 ：引脚配置
XIN
VDD
XTUNE
VSS
1
2
3
4
8
7
6
5
表1 ：水晶/输出频率
XOUT
VSS
VDD
CLK
设备
FS6128-07
f
XIN
（兆赫）
13.500
CLK （兆赫）
27.000
8针（ 0.150 “ ） SOIC
图2 ：框图
FS6128-07
注：联系AMI定制PLL频率
XIN
VCXO
XOUT
XTUNE
PLL
分频器
CLK
FS6128-07
美国Microsystems公司保留更改的详细规格，可能需要以允许改进其产品的设计权。
ISO9001
8.8.00
FS6128-07
PLL时钟发生器IC与VCXO
AMERICAN MICROSYSTEMS，INC 。
2000年8月
表2 ：引脚说明
关键字： AI =模拟输入; AO =模拟输出; DI =数字输入; DI
U
=输入，带内部上拉; DI
D
=输入，带内部上拉下来; DIO =数字输入/输出; DI - 3 =三电平数字输入，
DO =数字输出; P =电源/接地; ＃ =低电平有效引脚
针
1
2
3
4
5
6
7
8
TYPE
AI
P
AI
P
DO
P
DO
AO
名字
XIN
VDD
XTUNE
VSS
CLK
VDD
VSS
XOUT
VCXO反馈
电源（ + 3.3V ）
VCXO调整
地
时钟输出
电源（ + 3.3V ）
地
VCXO驱动器
描述
3.0
3.1
功能块描述
压控晶体
振荡器（ VCXO ）
例：下列参数的晶体是
使用：C
1
= 0.025pF和C
0
=为6.0pF 。使用最小
和最大C
L1
= 10pF的，和C
L2
= 20pF的，调谐
范围（峰 - 峰值）为：
该VCXO提供了一个可调谐，低抖动频率指令
ENCE为FS6128系统的其余组件。
负载电容的晶体是内部的
FS6128 。无需外部元件（比其它谐振
nator本身）被要求用于VCXO的操作。
连续微调的VCXO频率为accom-
通过改变对XTUNE引脚上的电压plished 。该
该电压的值来控制的有效电容
呈现给晶体。的实际量，该负载
电容变化将改变振荡器频率DE-
暂时搁置在晶体的特性以及
振荡电路本身。
重要的是，该晶体的负载电容是试样
正确田间到“中心”的调整范围。见表5 。
一个简单的公式，获得了该“拉”的能力
晶体振荡器是：
6
C
1
×
(
C
L
2
C
L
1
)
×
10
f
(
PPM
)
=
2
×
(
C
0
+
C
L
2
)
×
(
C
0
+
C
L
1
)
f
=
0
.
025
×
(
20
10
)
×
106
=
300
PPM
.
(
6
+
20
)
×
(
6
+
10
)
2
×
3.2
锁相环（PLL）的
片上的PLL是一个标准的频率和相位
锁相环结构。 PLL倍频参考
振荡器的频率，以所期望的输出频率由一个
比整数。倍频是精确
具有零合成误差（除非另有规定） 。
其中：
C
0 =
晶体的分流（或保持器）电容
C
1 =
晶体的动态电容
C
L1
和C
L2
=两个极端（最小值和最大值）
所施加的负载电容所呈现的
FS6128.
ISO9001
2
8.8.00
FS6128-07
AMERICAN MICROSYSTEMS，INC 。
PLL时钟发生器IC与VCXO
2000年8月
4.0
电气规格
表3 ：绝对最大额定值
注意，超出上述绝对最大额定值可能会导致器件永久性损坏。这些条件代表了一个压力等级的设备而已，并运行在
这些或超过本规范中提到的操作限制等条件是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，其条件可能会影响设备的性能，
功能性和可靠性。
参数
电源电压（V
SS
=接地）
输入电压， DC
输出电压，直流
输入钳位电流，直流电压（V
I
＆ LT ; 0或V
I
＆ GT ; V
DD
)
输出钳位电流，直流电压（V
I
＆ LT ; 0或V
I
＆ GT ; V
DD
)
存储温度范围（无冷凝）
环境温度范围，在偏置
结温
焊接温度（焊接， 10秒）
输入的静电放电电压保护（ MIL- STD 883E ，方法3015.7 ）
符号
V
DD
V
I
V
O
I
IK
I
OK
T
S
T
A
T
J
分钟。
V
SS
-0.5
V
SS
-0.5
V
SS
-0.5
-50
-50
-65
-55
马克斯。
7
V
DD
+0.5
V
DD
+0.5
50
50
150
125
125
260
2
单位
V
V
V
mA
mA
°C
°C
°C
°C
kV
注意：静电敏感设备
如果该设备进行了高能量，可能会发生导致的功能或性能损失永久性损坏elec-
trostatic放电。
表4 ：工作条件
参数
电源电压
工作温度范围
晶体谐振器频率
符号
V
DD
T
A
f
XTAL
基本模式
条件/描述
3.3V ± 10%
分钟。
3.0
0
12
13.5
典型值。
3.3
马克斯。
3.6
70
18
单位
V
°C
兆赫
ISO9001
3
8.8.00
FS6128-07
PLL时钟发生器IC与VCXO
AMERICAN MICROSYSTEMS，INC 。
2000年8月
表5 ：直流电气规格
除非另有说明，V
DD
= 3.3V ±10％ ，对任何输出端无负载和环境温度范围T
A
= 0℃至70℃。带星号（ * ）的参数代表的名义表征
数据并没有生产测试，以任何特定的限制。其中，给予， MIN和MAX特征数据
±
3σ的典型。负电流表示电流流出的装置。
参数
整体
电源电流，动态，与加载
输出
电源电流，静态
符号
条件/描述
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
I
DD
I
DD
f
XTAL
= 13.5兆赫;
L
= 10pF的，V
DD
= 3.6V
XIN = 0V ，V
DD
= 3.6V
30
3
mA
mA
压控晶体振荡器（联系工厂认可晶源或其它应用程序帮助）
晶体负载电容为中心
调谐电压
晶体谐振器动态电容
XTUNE有效范围
合成的负载电容最小。
合成的负载电容最大。
VCXO的调谐范围
VCXO的调谐特性
晶振驱动电平
输出时钟（CLK ）
高电平输出源电流*
低电平输出灌电流*
输出阻抗*
短路电流源*
短路灌电流*
I
OH
I
OL
z
OH
z
OL
I
职业安全与卫生
I
OSL
V
O
= 2.0V
V
O
= 0.4V
V
O
= 0.1V
DD
;输出驱动高
V
O
= 0.1V
DD
;输出驱动低
V
O
= 0V ;短路的30岁，最大
V
O
= 3.3V ;短路的30岁，最大
-40
17
25
25
-55
55
mA
mA
mA
mA
C
L1
C
L2
@V （ XTUNE ）=最小值
@V （ XTUNE ）=最大值
f
XTAL
= 13.5兆赫;
L（ XTAL ）
= 14pF ;
1(xtal)
= 25fF
（峰 - 峰值）
C
L（ XTAL ）
C
1
为了水晶此电容（并联
负载）时所需的中心频率
指定的动态电容
水晶会影响pullability （见正文）
0
14
25
3
10
20
300
150
200
pF
fF
V
pF
pF
PPM
PPM / V
uW
注： XTUNE的积极变化=
VCXO频率的积极变化
R
XTAL
=20; C
L
= 20pF的
ISO9001
4
8.8.00
FS6128-07
AMERICAN MICROSYSTEMS，INC 。
PLL时钟发生器IC与VCXO
2000年8月
表6 ：AC时序规范
除非另有说明，V
DD
= 3.3V ±10％ ，对任何输出端无负载和环境温度范围T
A
= 0℃至70℃。带星号（ * ）的参数代表的名义表征
数据并没有生产测试，以任何特定的限制。其中，给予， MIN和MAX特征数据
±
3σ的典型。
参数
整体
VCXO稳定时间*
PLL稳定时间*
综合误差
输出时钟（CLK ）
占空比*
抖动，周期（峰 - 峰值） *
抖动，长期（ σ
y
(τ)) *
上升时间*
下降时间*
符号
条件/描述
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
t
VCXOSTB
t
PLLSTB
从电源有效
从VCXO稳定
（除非在频率表另有说明）
10
100
0
ms
us
PPM
高脉冲宽度（从测得的上升比例
缘来在V下一个下降沿
DD
/ 2），一个时钟周期
t
J（下ΔP ）
t
J（下LT ）
t
r
t
f
从上升沿到下一个上升沿在V
DD
/2, C
L
=
10pF
从0-500μs在V
DD
/2, C
L
= 10pF的
比较理想的时钟源
V
DD
= 3.3V; V
O
= 0.3V至3.0V ;
L
= 10pF的
V
DD
= 3.3V; V
O
= 3.0V至0.3V ;
L
= 10pF的
45
200
100
1.7
1.7
55
%
ps
ps
ns
ns
ISO9001
5
8.8.00
FS6128-07
PLL时钟发生器IC与VXCO
1.0主要特点
比赛MK3727中心频率特性
锁相环（PLL）合成器输出的时钟频率由晶体振荡器或外部参考时钟
片上的可调谐电压控制晶体振荡器（VCXO ），允许精确的系统频率调谐
3.3V电源电压
极低的相位噪声PLL
使用带有“可牵引” 14pF的晶体 - 无需外部垫鼎电容
小电路板面积（ 8引脚0.150 “ SOIC ）
自定义频率可用的选项 - 请联系您当地的安森美半导体销售代表了解更多信息
2.0说明
的FS6128是单片CMOS时钟发生器集成电路设计为最小化在数字视频/音频系统的成本和部件的数量。
在FS6128的核心是电路，该电路实现了一种压控晶体振荡器（VCXO ） ，当外部共振器
（名义上是13.5兆赫）附后。该VCXO允许器件工作频率可精确在具有频率调整系统的使用
匹配的要求，如数字卫星接收机。
高分辨率锁相环生成通过后分频器的输出时钟（CLK） 。 CLK频率是按比例
来自VCXO的频率。 CLK频率为其它系统的参考频率的锁定可以消除不可预测
在视频系统中的工件和降低电磁干扰（EMI）是由于频率谐波堆叠。
XIN
VDD
XTUNE
VSS
1
2
3
4
8
7
6
5
XOUT
VSS
VDD
CLK
图1 ：引脚配置 - 8针（ 0.150 “ ） SOIC
FS6128-07
表1 ：水晶/输出频率
设备
f
XIN
（兆赫）
FS128-07
13.500
CLK （兆赫）
27.000
注意：请联系安森美半导体定制PLL频率。
2008 SCILLC 。版权所有。
2008年5月 - 第2版
出版订单号：
FS6128-07/D
FS6128-07
XIN
VCXO
XOUT
XTUNE
PLL
分频器
CLK
FS6128-07
图2 ：框图
表2 ：引脚说明
针
TYPE
名字
描述
1
AI
XIN
VCXO反馈
2
P
VDD
电源（ + 3.3V ）
3
AI
XTUNE
VCXO调整
4
P
VSS
地
5
DO
CLK
时钟输出
6
-
VDD
电源（ + 3.3V ）
7
DO
VSS
地
8
AO
XOUT
VCXO驱动器
关键字： AI =模拟输入; AO =模拟输出; DI =数字输入; DI
U
=输入，带内部上拉; DI
D
=输入，带内部上拉下来; DIO =数字
输入/输出; DI - 3 =三电平数字输入， DO =数字输出; P =电源/接地; ＃ =低电平有效引脚
3.0功能框图
3.1压控晶体振荡器（ VCXO ）
VCXO的规定FS6128系统的其余组件的可调的低抖动频率参考。负载电容为
该晶体是内部的FS6128 。任何外部元件（比谐振器本身以外）被要求用于VCXO的操作。
连续微调VCXO频率的是通过改变在XTUNE引脚上的电压来实现的。该电压的值
控制的有效电容呈现给晶体。这个负载电容的变化将改变振荡器的实际量
频率取决于晶体的特性以及振荡器电路本身。
重要的是正确地指定为“中心”的调谐范围的晶体的负载电容。见表5 。
一个简单的公式来获得“揪”能力的晶体振荡器是：
其中：
C
0
=晶体的分流（或保持器）电容
C
1
=晶体的动态电容
C
L1
和C
L2
=两个极端（最小值和最大值）所施加的负载电容所呈现的FS6128
修订版2 |第6 2 | www.onsemi.com
FS6128-07
示例：使用以下参数晶体用于：C
1
= 0.025pF和C
0
=为6.0pF 。使用的最小和最大
C
L1
= 10pF的，和C
L2
= 20pF的，调谐范围（峰 - 峰值）为：
3.2锁相环（PLL）的
片上的PLL是一个标准的频率和锁相环架构。 PLL倍频基准振荡器频率来
所期望的输出频率由一个整数的比值。倍频是确切具有零合成误差（除非另有
指定）。
4.0电气特性
表3 ：绝对最大额定值
参数
符号
分钟。
马克斯。
单位
电源电压（V
ss
=接地）
V
DD
V
SS
– 0.5
7
V
输入电压， DC
V
I
V
SS
– 0.5
V
DD
+ 0.5
V
输出电压，直流
V
O
V
SS
– 0.5
V
DD
+ 0.5
V
输入钳位电流，直流电压（V
I
＆ LT ; 0或V
I
＆ GT ; V
DD
)
I
IK
-50
50
mA
输出钳位电流，直流电压（V
I
＆ LT ; 0或V
I
＆ GT ; V
DD
)
I
OK
-50
50
mA
存储温度范围（无冷凝）
T
S
-65
150
°C
环境温度范围，在偏置
T
A
-55
125
°C
结温
T
J
125
°C
焊接温度（焊接， 10秒）
260
根据IPC / JEDEC J -STD- 020B
输入静电放电电压保护（ MLD - STD 883E ，方法3015.7 ）
2
kv
注：超出上述绝对最大额定值可能会导致器件永久性损坏。这些条件表示压力
不仅使器件在这些或以上在本说明书中提到的运行限值的任何其他条件的功能操作的评价暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下，其条件可能会影响设备的性能，功能和可靠性。
注意：静电敏感设备
如果该装置经受高能量，可能会发生导致的功能或性能损失永久性损坏
静电放电。
表4 ：工作条件
参数
电源电压
工作温度范围
晶体谐振器频率
符号
V
DD
T
A
f
XTAL
条件/说明
3.3V ± 10%
功能模式
分钟。
3.0
0
12
典型值。
3.3
13.5
马克斯。
3.6
70
18
单位
V
°C
兆赫
表5 ：直流电气规格
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FS6128-07
参数
符号
条件/说明
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
整体
电源电流，动态的，随着负载输出
I
DD
f
XAL
= 13.5兆赫; CL = 10pF的; VDD = 3.6V
30
mA
电源电流，静态
I
DD
XIN = 0V ; VDD = 3.6V
3
mA
压控晶体振荡器（联系工厂认可晶源或其它应用程序帮助）
为了晶体这种电容
晶体负载电容为中心调整
14
pF
C
L（ XTAL ）
（并行加载）在期望中心
电压
频率
指定的动态电容
晶体谐振器动态电容
C
1
25
fF
水晶会影响pullability （见正文）
XTUNE有效范围
0
3
V
合成的负载电容最小。
C
L1
@V （ XTUNE ）=最小值
10
pF
合成的负载电容最大。
C
L2
@V （ XTUNE ）=最大值
20
pF
f
XTAL
= 13.5兆赫;
L（ XTAL ）
= 14pF ;
1
（ XTAL ）
VCXO的调谐范围
300
PPM
= 25fF （峰 - 峰）
注： XTUNE的积极变化=
VCXO的调谐特性
150
PPM / V
VCXO频率的积极变化
晶振驱动电平
R
XTAL
= 20; C
L
= 20pF的
200
μW
输出时钟（CLK ）
高电平输出源电流*
I
OH
V
O
= 2.0V
-40
mA
低电平输出灌电流*
I
OL
V
O
= 0.4V
17
mA
Z
OH
V
O
= 0.1V
DD
;输出驱动高
25
输出阻抗*
V
O
= 0.1V
DD
;输出驱动低
Z
OL
25
短路电流源*
I
职业安全与卫生
V
O
= 0V ;短路的30岁，最大
-55
mA
短路灌电流*
I
OSL
V
O
= 3.3V ;短路的30岁，最大
55
mA
注意：除非另有说明V
DD
= 3.3V ± 10％，无负载上的任何输出和环境温度范围T
A
= 0℃至70℃。参数表示用
星号（ * ）表示标称特性数据，并且不生产测试，以任何特定的限制。其中，给予， MIN和MAX表征
数据±3σ的典型。负电流表示电流流出的装置。
表6 ：AC时序规范
参数
符号
整体
VCXO稳定时间*
t
VCXOSTB
PLL稳定时间*
t
PLLSTB
综合误差
输出时钟（CLK ）
占空比*
条件/说明
从电源有效
从VCXO稳定
（除非在频率表另有说明）
分钟。
典型值。
10
100
马克斯。
单位
ms
μs
PPM
0
高脉冲宽度的比值（从上升沿测量到明年
45
55
%
下降沿在V
DD
/ 2），一个时钟周期
抖动，周期（峰 - 峰值） *
从上升沿到下一个上升沿在V
DD
/ 2 ， CL = 10pF的
200
ps
t
J（下ΔP ）
从0-500μs在V
DD
/ 2 ， CL = 10pF的比较理想的时钟源
100
ps
t
J（下LT ）
抖动，长期（ σγ （ τ ） ） *
上升时间*
t
r
V
DD
= 3.3V; V
O
= 0.3V至3.0V ;
L
= 10pF的
1.7
ns
下降时间*
t
f
V
DD
= 3.3V; V
O
= 3.0V至0.3V ;
L
= 10pF的
1.7
ns
注意：除非另有说明，V
DD
= 3.3V ±10％ ，对任何输出端无负载和环境温度范围T
A
= 0℃至70℃。参数表示用
星号（ * ）表示标称特性数据，并且不生产测试，以任何特定的限制。其中，给予， MIN和MAX表征
数据±3σ的典型。
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FS6128-07
5.0封装信息
表7 ： 8引脚SOIC （ 0.150" ）包装尺寸
尺寸
英寸
MILLIMETERS
分钟。
马克斯。
分钟。
马克斯。
A
0.061
0.068
1.55
1.73
A1
0.004
0.0098
0.102
0.249
A2
0.055
0.061
1.40
1.55
B
0.013
0.019
0.33
0.49
C
0.0075
0.0098
0.191
0.249
D
0.189
0.196
4.80
4.98
E
0.150
0.157
3.81
3.99
e
0.050 BSC
1.27 BSC
H
0.230
0.244
5.84
6.20
h
0.010
0.016
0.25
0.41
L
0.016
0.035
0.41
0.89
0°
8°
0°
8°
Θ
表8 ： 8引脚SOIC （ 0.150" ）封装特性
参数
热阻，结到自由空气的8引脚0.150 “ SOIC
引线电感，自
引线电感，互
引线电容，大容量
符号
Θ
JA
L
11
L
12
C
11
条件/说明
空气流量= 0米/秒
角落铅
中心导
任何导致任何相邻的引线
安迪导致V
SS
典型值。
110
2.0
1.6
0.4
0.27
单位
° C / W
nH
nH
pF
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QQ：2881677436 复制
