？ ？ ?????? ?? X ？牛逼
9& ; 2 &ORFN * HQHUDWRU ， &
$ GYDQFH ， QIRUPDWLRQ
)6
1999年2月
1.0
特点
2.0
描述
片上的可调谐压控晶体振荡器
电路（ VCXO ），让精确的系统频率
调整（拉范围通常为300PPM ）
VCXO的调谐范围： 0-3V
使用廉价的基本模式晶体
集成锁相环（PLL）倍频压控
频率需要更高的系统频率
5V电源电压（联系工厂3.3V ）
小电路板面积（ 8引脚0.150 “ SOIC ）
自定义频率可用的选项 - 请联系您
AMI当地销售代表了解更多信息
该FS6127是一款单芯片CMOS时钟发生器IC
为了尽量减少在数字成本和元件数
视频/音频系统。
在FS6127的核心是电路，该电路实现了一种
压控晶体振荡器，当外部
谐振器（名义上13.5兆赫）附后。该VCXO
允许设备的频率被精确地调整用于
在有频率的匹配要求的系统，
诸如数字卫星接收机。
高分辨率锁相环生成的输出
时钟频率（CLK） 。 CLK频率为相位
锁定和频率锁定到VCXO频率。
图1 ：引脚配置
XIN
VDD
XTUNE
VSS
1
8
表1 ：水晶/输出频率
XOUT
VSS
VDD
CLK
注：请联系AMI定制PLL频率和3.3伏的版本
设备
FS6127-01
f
XIN
（兆赫）
13.5
CLK （兆赫）
27
FS6127
2
3
4
7
6
5
8针（ 0.150 “ ） SOIC
图2 ：框图
XIN
VCXO
XOUT
XTUNE
PLL
CLK
FS6127
本文件包含的新产品信息。在此说明和信息，如有变更，恕不另行通知。
,62
2.4.99
)6
9& ; 2 &ORFN * HQHUDWRU ， &
$ GYDQFH ， QIRUPDWLRQ
表2 ：引脚说明
？ ？ ?????? ?? X ？牛逼
1999年2月
关键字： AI =模拟输入; AO =模拟输出; DI =数字输入; DI
U
=输入，带内部上拉; DI
D
=输入，带内部上拉下来; DIO =数字输入/输出; DI - 3 =三电平数字输入，
DO =数字输出; P =电源/接地; ＃ =低电平有效引脚
针
1
2
3
4
5
6
7
8
TYPE
AI
P
AI
P
DO
P
P
AO
名字
XIN
VDD
XTUNE
VSS
CLK
VDD
VSS
XOUT
VCXO水晶反馈
电源（+ 5V）
VCXO调整
地
时钟输出
电源（+ 5V）
地
VCXO晶体驱动
描述
3.0
3.1
功能块描述
锁相环（PLL）的
片上的PLL是一个标准的频率和相位
锁相环结构。 PLL倍频参考
振荡器所需的频率由一个整数的比值。
倍频是确切具有零synthe-
SIS错误。
的振荡电路。的实际量，改变
负载电容改变振荡器的频率将是
依赖于晶体的特性以及
振荡器电路本身。
具体地，晶体的动态电容（ usu-
盟友提到了水晶制造商为C
1
），静态
晶体的电容（C
0
），以及负载电容
(C
L
）振荡器的确定的“翘曲”或“拉”
晶体中的振荡器电路的能力。
一个简单的公式来获得的翘曲能力
晶体振荡器是：
6
C
1
×
(
C
L
2
C
L
1
)
×
10
f
(
PPM
)
=
2
×
(
C
0
+
C
L
2
)
×
(
C
0
+
C
L
1
)
3.2
压控晶体
振荡器（ VCXO ）
该VCXO提供了一个可调谐，低抖动频率指令
ENCE为FS6127系统的其余组件。
负载电容的晶体是内部的
FS6127 。无需外部元件（比水晶等
谐振器本身）被要求用于VCXO的操作。
连续微调的VCXO频率为accom-
通过改变对XTUNE引脚上的电压plished 。该
总变化（从一个极端到另一个）中的有效
负载电容是T.B.D.标称。
该振荡器工作在晶体谐振器在paral-
LEL的谐振模式。水晶翘曲，或“拉”的
晶体振荡频率，通过改变完成
有效负载电容通过呈现给晶体
其中C
L1
和C
L2
是两个极端的应用
负载电容。
例：下列参数的晶体是
使用。用C
1
= 0.02pF ，C
0
= 5pF的，C
L1
= 10pF的，和C
L2
=
22.66pF ，调谐范围是
f
=
0
.
02
×
(
22
.
66
10
)
×
10 6
=
305
PPM
.
2
×
(
5
+
22
.
66
)
×
(
5
+
10
)
,62
2
2.4.99
？ ？ ?????? ?? X ？牛逼
9& ; 2 &ORFN * HQHUDWRU ， &
$ GYDQFH ， QIRUPDWLRQ
)6
1999年2月
4.0
电气规格
表3 ：绝对最大额定值
注意，超出上述绝对最大额定值可能会导致器件永久性损坏。这些条件代表了一个压力等级的设备而已，并运行在
这些或超过本规范中提到的操作限制等条件是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，其条件可能会影响设备的性能，
功能性和可靠性。
参数
电源电压（V
SS
=接地）
输入电压， DC
输出电压，直流
输入钳位电流，直流电压（V
I
＆ LT ; 0或V
I
＆ GT ; V
DD
)
输出钳位电流，直流电压（V
I
＆ LT ; 0或V
I
＆ GT ; V
DD
)
存储温度范围（无冷凝）
环境温度范围，在偏置
结温
焊接温度（焊接， 10秒）
输入的静电放电电压保护（ MIL- STD 883E ，方法3015.7 ）
符号
V
DD
V
I
V
O
I
IK
I
OK
T
S
T
A
T
J
分钟。
V
SS
-0.5
V
SS
-0.5
V
SS
-0.5
-50
-50
-65
-55
马克斯。
7
V
DD
+0.5
V
DD
+0.5
50
50
150
125
125
260
2
单位
V
V
V
mA
mA
°C
°C
°C
°C
kV
注意：静电敏感设备
如果该设备进行了高能量，可能会发生导致的功能或性能损失永久性损坏elec-
trostatic放电。
表4 ：工作条件
参数
电源电压
工作温度范围
符号
V
DD
T
A
条件/描述
5V ± 10%
分钟。
4.75
0
典型值。
5
马克斯。
5.25
70
单位
V
°C
,62
3
2.4.99
)6
9& ; 2 &ORFN * HQHUDWRU ， &
$ GYDQFH ， QIRUPDWLRQ
表5 ：直流电气规格
？ ？ ?????? ?? X ？牛逼
1999年2月
除非另有说明，V
DD
= 5V ± 10％时，在任何输出端无负载和环境温度范围T
A
= 0℃至70℃。带星号（ * ）的参数表示的标称特性数据
而不是生产测试，以任何特定的限制。其中，给予， MIN和MAX特征数据
±
3σ的典型。负电流表示电流流出的装置。
参数
整体
电源电流，动态，与加载
输出
压控晶体振荡器
晶体谐振器频率
晶体负载电容
晶体谐振器动态电容
VCXO的调谐范围
VCXO的调谐特性
晶振驱动电平
输出时钟（CLK ）
高电平输出源电流*
低电平输出灌电流*
输出阻抗*
短路电流源*
短路灌电流*
符号
条件/描述
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
I
DD
f
XTAL
= 13.5兆赫;
L
= 10pF的
20
mA
f
XTAL
C
L（ XTAL ）
C
1(xtal)
基本模式
看到由连接到XIN和晶体
XOUT （ @ V
XTUNE
= 1.65V)
AT切割
f
XTAL
= 13.5兆赫;
L
= 14pF ;
MOT
= 25fF
注：正面
F
正
V
R
XTAL
= 20欧姆;
L
= 14pF
10
13.5
14
25
300
100
200
15
兆赫
pF
fF
PPM
PPM / V
uW
I
OH
I
OL
z
OH
z
OL
I
职业安全与卫生
I
OSL
V
O
= 2.0V
V
O
= 0.4V
V
O
= 0.1V
DD
;输出驱动高
V
O
= 0.1V
DD
;输出驱动低
V
O
= 0V ;短路的30岁，最大
V
O
= 5V ;短路的30岁，最大
mA
mA
mA
mA
表6 ：AC时序规范
除非另有说明，V
DD
= 5V ± 10％时，在任何输出端无负载和环境温度范围T
A
= 0℃至70℃。带星号（ * ）的参数表示的标称特性数据
而不是生产测试，以任何特定的限制。其中，给予， MIN和MAX特征数据
±
3σ的典型。
参数
时钟输出（ CLKX ）
占空比*
抖动，绝对周期（峰峰值） *
抖动， RMS长期（ σ
y
(τ)) *
上升时间*
下降时间*
输出频率合成错误
VCXO稳定时间*
PLL稳定时间*
符号
条件/描述
时钟
（兆赫）
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
t
hi
/ t
CLK
;在V测
DD
/2
t
J（下ΔP ）
t
J（下LT ）
t
r
t
f
t
VCXOSTB
t
PLLSTB
从上升沿到下一个上升沿
V
DD
/2, C
L
= 10pF的
从0-500μs在V
DD
/2, C
L
= 10pF的
比较理想的时钟源
V
DD
= 5V; V
O
= 0.5V至4.5V ;
L
= 10pF的
V
DD
= 5V; V
O
= 4.5V至0.5V ;
L
= 10pF的
（除非在频率表另有说明）
从电源有效
从VCXO稳定
45
300
150
55
%
ps
ps
ns
ns
0
10
500
PPM
ms
us
,62
4
2.4.99
？ ？ ?????? ?? X ？牛逼
9& ; 2 &ORFN * HQHUDWRU ， &
$ GYDQFH ， QIRUPDWLRQ
)6
1999年2月
5.0
包装信息
表7 ： 8引脚SOIC （ 0.150" ）包装尺寸
尺寸
英寸
分钟。
A
A1
A2
B
C
D
E
e
H
h
L
Θ
0.061
0.004
0.055
0.013
0.0075
0.189
0.150
0.230
0.010
0.016
0°
马克斯。
0.068
0.0098
0.061
0.019
0.0098
0.196
0.157
0.244
0.016
0.035
8°
MILLIMETERS
分钟。
1.55
0.102
1.40
0.33
0.191
4.80
3.81
5.84
0.25
0.41
0°
马克斯。
1.73
0.249
1.55
0.49
0.249
4.98
3.99
6.20
0.41
0.89
8°
BASE
飞机
1
ALL半径：
0.005" TO 0.01"
R
8
E
H
埃？ " ？ CA ？一个?? " ？ ＃ ） ＃ $ E ？ ＃ ?? - 答？ C 14
高x 45
B
e
A
2
A
D
A
1
座位
飞机
7 °典型。
0.050 BSC
1.27 BSC
C
L
θ
表8 ： 8引脚SOIC （ 0.150" ）封装特性
参数
热阻，结到自由空气
8引脚0.150 “ SOIC
引线电感，自
引线电感，互
引线电容，大容量
符号
Θ
JA
L
11
L
12
C
11
条件/描述
空气流量= 0米/秒
角落铅
中心导
任何导致任何相邻的引线
任何导致V
SS
典型值。
110
2.0
1.6
0.4
0.27
单位
° C / W
nH
nH
pF
,62
5
2.4.99
QQ：2881677436 复制
