FS5ASJ-2
高速开关使用
N沟道功率MOS FET
REJ03G1405-0300
Rev.3.00
2006年11月21日
特点
驱动电压: 4 V
V
DSS
: 100 V
r
DS ( ON) ( MAX )
: 0.4
I
D
: 5 A
集成的快速恢复二极管( TYP 。 ) : 80纳秒
概要
瑞萨封装代码: PRSS0004ZA -A
(包名称: MP -3A )
2, 4
4
1
12
3
1.
2.
3.
4.
门
漏
来源
漏
3
应用
电机控制,灯控制,电磁阀控制的DC-DC转换器等。
最大额定值
( TC = 25 ° C)
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
漏电流(脉冲)
雪崩漏电流(脉冲)
源出电流
源电流(脉冲)
最大功率耗散
通道温度
储存温度
块
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
I
DA
I
S
I
SM
P
D
总胆固醇
TSTG
—
评级
100
±20
5
20
5
5
20
20
- 55 + 150
- 55 + 150
0.32
单位
V
V
A
A
A
A
A
W
°C
°C
g
条件
V
GS
= 0 V
V
DS
= 0 V
L = 100
H
典型的价值
Rev.3.00
2006年11月21日
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FS5ASJ-2
通态电阻VS.
通道温度(典型)
10
1
7
5
4
3
2
10
0
7
5
4
3
2
10
–1
–50
0
50
100
150
漏源通态电阻R
DS ( ON)
(25°C)
门源阈值电压V
GS ( TH)
(V)
漏源通态电阻R
DS ( ON)
(T ° C)
阈值电压 -
通道温度(典型)
4.0
V
GS
= 10V
I
D
= 2A
脉冲测试
V
DS
= 10V
I
D
= 1毫安
3.2
2.4
1.6
0.8
0
–50
0
50
100
150
沟道温度Tch ( ° C)
沟道温度Tch ( ° C)
漏源击穿电压V
( BR ) DSS
(25°C)
瞬态热阻抗第Z ( CH-C ) ( ° C / W)
漏源击穿电压V
( BR ) DSS
(T ° C)
击穿电压VS.
通道温度(典型)
1.4
瞬态热阻抗特性
10
2
7
5
3
2
10
1
7
5
3
2
10
0
7
5
3
2
D = 1.0
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
P
DM
tw
T
D
=
tw
T
V
GS
= 0V
I
D
= 1毫安
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
–50
0
50
100
150
10
–1 –4
10 2 3 5710
–3
2 3 5710
–2
2 3 5710
–1
2 3 5710
0
2 3 5710
1
2 3 5710
2
沟道温度Tch ( ° C)
脉冲宽度tw (多个)
开关时间测量电路
输入电压监视器
D.U.T.
R
L
VIN
VOUT
R
GS
V
DD
VOUT
MONITOR
开关波形
90%
R
根
10%
10%
10%
90%
TD (上)
tr
90%
TD (关闭)
tf
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