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FS5ASJ-2
高速开关使用
N沟道功率MOS FET
REJ03G1405-0300
Rev.3.00
2006年11月21日
特点
驱动电压: 4 V
V
DSS
: 100 V
r
DS ( ON) ( MAX )
: 0.4
I
D
: 5 A
集成的快速恢复二极管( TYP 。 ) : 80纳秒
概要
瑞萨封装代码: PRSS0004ZA -A
(包名称: MP -3A )
2, 4
4
1
12
3
1.
2.
3.
4.
来源
3
应用
电机控制,灯控制,电磁阀控制的DC-DC转换器等。
最大额定值
( TC = 25 ° C)
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
漏电流(脉冲)
雪崩漏电流(脉冲)
源出电流
源电流(脉冲)
最大功率耗散
通道温度
储存温度
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
I
DA
I
S
I
SM
P
D
总胆固醇
TSTG
评级
100
±20
5
20
5
5
20
20
- 55 + 150
- 55 + 150
0.32
单位
V
V
A
A
A
A
A
W
°C
°C
g
条件
V
GS
= 0 V
V
DS
= 0 V
L = 100
H
典型的价值
Rev.3.00
2006年11月21日
第1页6
FS5ASJ-2
电气特性
(总胆固醇= 25 ℃)下
参数
漏源击穿电压
栅极 - 源极漏电流
漏极 - 源极漏电流
门源阈值电压
漏源导通电阻
漏源导通电阻
漏源通态电压
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源 - 漏电压
热阻
反向恢复时间
符号
V
( BR ) DSS
I
GSS
I
DSS
V
GS ( TH)
r
DS ( ON)
r
DS ( ON)
V
DS ( ON)
| y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
SD
R
TH( CH-C )
t
rr
100
1.0
典型值
1.5
0.31
0.34
0.62
6
360
75
20
10
7
35
15
1.0
80
最大
±0.1
0.1
2.0
0.40
0.46
0.8
1.5
6.25
单位
V
A
mA
V
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
° C / W
ns
测试条件
I
D
= 1毫安, V
GS
= 0 V
V
GS
=
±20
V, V
DS
= 0 V
V
DS
= 100 V, V
GS
= 0 V
I
D
= 1毫安, V
DS
= 10 V
I
D
= 2 A,V
GS
= 10 V
I
D
= 2 A,V
GS
= 4 V
I
D
= 2 A,V
GS
= 10 V
I
D
= 2 A,V
DS
= 5 V
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V,
F = 1MHz的
V
DD
= 50 V,I
D
= 2 A,
V
GS
= 10 V,
R
= R
GS
= 50
I
S
= 2 A,V
GS
= 0 V
渠道情况
I
S
= 5 A,D
is
/
dt
= -100 A / μs的
Rev.3.00
2006年11月21日
第2 6
FS5ASJ-2
性能曲线
功耗降额曲线
40
3
2
最大安全工作区
tw
=
功耗P
D
(W)
漏电流I
D
(A)
32
10
1
7
5
3
2
10
10
s
0
s
24
D
16
10
0
7
5
3
2
10
–1
7
5
3
C
8
TC = 25°C
单脉冲
2 3 5 7 10
0
2 3 5 7 10
1
2 3 5 7 10
2
2
0
0
50
100
150
200
壳温度( ° C)
漏源电压V
DS
(V)
输出特性(典型)
10
P
D
= 20W
V
GS
= 10V
8V
输出特性(典型)
5.0
V
GS
= 10V 4V
漏电流I
D
(A)
漏电流I
D
(A)
8
TC = 25°C
脉冲测试
6
TC = 25°C
脉冲测试
4V
3.5V
4.0
3V
3.0
4
3V
2.0
2.5V
2
2.5V
1.0
0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
漏源电压V
DS
(V)
漏源电压V
DS
(V)
漏源通态电压V
DS ( ON)
(V)
漏源通态电阻R
DS ( ON)
()
导通电压VS.
栅源电压(典型值)
5.0
通态电阻VS.
漏电流(典型值)
1.0
TC = 25°C
脉冲测试
4.0
I
D
= 8A
TC = 25°C
脉冲测试
0.8
3.0
0.6
V
GS
= 4V
10V
2.0
5A
0.4
1.0
2A
0.2
0
10
–1
2 3 5 7 10
0
2 3 5 7 10
1
2 3 5 7 10
2
0
0
2
4
6
8
10
栅极 - 源极电压V
GS
(V)
漏电流I
D
(A)
Rev.3.00
2006年11月21日
第3页6
FS5ASJ-2
正向转移导纳主场迎战
漏电流(典型值)
正向转移导纳| YFS | ( S)
10
1
7
5
4
3
2
125°C 75°C
传输特性(典型)
10
漏电流I
D
(A)
8
TC = 25°C
V
DS
= 10V
脉冲测试
V
DS
= 5V
脉冲测试
6
TC = 25°C
4
2
10
0
7
5
4
3
2
10
–1 0
10
2 3 4 5 7 10
1
2 3 4 5 7 10
2
0
0
2
4
6
8
10
栅极 - 源极电压V
GS
(V)
电容与
漏源极电压(典型值)
10
3
7
5
3
2
10
2
7
5
3
2
10
1
7
5
3
2
10
0
10
3
7
5
3
2
10
2
7
5
3
2
10
1
7
5
3
2
10
0 –1
10
漏电流I
D
(A)
开关特性(典型)
TCH = 25°C
V
DD
= 50V
V
GS
= 10V
R
= R
GS
= 50
西塞
电容C (PF )
科斯
切换时间(纳秒)
t
D(关闭)
t
f
t
D(上)
t
r
CRSS
TCH = 25°C
F = 1MHz的
V
GS
= 0V
3 5 7 10
0
2 3 5 7 10
1
2 3 5 7 10
2
2 3
2 3 4 5 7 10
0
2 3 4 5 7 10
1
漏源电压V
DS
(V)
栅源电压与
栅极电荷(典型值)
10
20
漏电流I
D
(A)
源极 - 漏极二极管的正向
特性(典型值)
V
GS
= 0V
脉冲测试
栅极 - 源极电压V
GS
(V)
TCH = 25°C
I
D
= 5A
8
源电流我
S
(A)
16
6
4
V
DS
= 20V
50V
80V
12
8
TC = 125°C
2
4
75°C
25°C
0
0
4
8
12
16
20
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
栅极电荷Qg ( NC )
源极 - 漏极电压V
SD
(V)
Rev.3.00
2006年11月21日
第4 6
FS5ASJ-2
通态电阻VS.
通道温度(典型)
10
1
7
5
4
3
2
10
0
7
5
4
3
2
10
–1
–50
0
50
100
150
漏源通态电阻R
DS ( ON)
(25°C)
门源阈值电压V
GS ( TH)
(V)
漏源通态电阻R
DS ( ON)
(T ° C)
阈值电压 -
通道温度(典型)
4.0
V
GS
= 10V
I
D
= 2A
脉冲测试
V
DS
= 10V
I
D
= 1毫安
3.2
2.4
1.6
0.8
0
–50
0
50
100
150
沟道温度Tch ( ° C)
沟道温度Tch ( ° C)
漏源击穿电压V
( BR ) DSS
(25°C)
瞬态热阻抗第Z ( CH-C ) ( ° C / W)
漏源击穿电压V
( BR ) DSS
(T ° C)
击穿电压VS.
通道温度(典型)
1.4
瞬态热阻抗特性
10
2
7
5
3
2
10
1
7
5
3
2
10
0
7
5
3
2
D = 1.0
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
P
DM
tw
T
D
=
tw
T
V
GS
= 0V
I
D
= 1毫安
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
–50
0
50
100
150
10
–1 –4
10 2 3 5710
–3
2 3 5710
–2
2 3 5710
–1
2 3 5710
0
2 3 5710
1
2 3 5710
2
沟道温度Tch ( ° C)
脉冲宽度tw (多个)
开关时间测量电路
输入电压监视器
D.U.T.
R
L
VIN
VOUT
R
GS
V
DD
VOUT
MONITOR
开关波形
90%
R
10%
10%
10%
90%
TD (上)
tr
90%
TD (关闭)
tf
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2006年11月21日
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联系人:欧阳
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联系人:刘经理
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