FS50SM-5A
高速开关使用
N沟道功率MOS FET
REJ03G0277-0100
Rev.1.00
Aug.20.2004
特点
驱动电压：10V
V
DSS
: 250 V
r
DS （ ON） （ MAX ）
: 0.068
I
D
: 50 A
概要
TO-3P
4
2, 4
1
1.
2.
3.
4.
门
漏
来源
漏
1
2
3
3
应用
开关模式电源，等离子体显示电视，直流 - 直流转换器等。
最大额定值
（ TC = 25 ° C）
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
漏电流（脉冲）
最大功率耗散
通道温度
储存温度
块
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
P
D
总胆固醇
TSTG
—
评级
250
±30
50
150
250
- 55 + 150
- 55 + 150
4.8
单位
V
V
A
A
W
°C
°C
g
条件
V
GS
= 0 V
V
DS
= 0 V
典型的价值
Rev.1.00 ， Aug.20.2004 ，页6 1
FS50SM-5A
电气特性
（总胆固醇= 25 ℃）下
参数
漏源击穿电压
栅源击穿电压
栅极 - 源极漏电流
漏极 - 源极漏电流
门源阈值电压
漏源导通电阻
漏源通态电压
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源 - 漏电压
热阻
符号
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） GSS
I
GSS
I
DSS
V
GS （ TH）
r
DS （ ON）
V
DS （ ON）
| y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
RTH （ CH -C ）
分钟。
250
±30
—
—
3.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值。
—
—
—
—
3.5
0.052
1.3
35
3500
500
50
60
110
270
90
1.5
—
马克斯。
—
—
±10
1
4.0
0.068
1.7
—
—
—
—
—
—
—
—
2.0
0.50
单位
V
V
A
mA
V
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
° C / W
测试条件
I
D
= 1毫安， V
GS
= 0 V
I
G
=
±100 A,
V
DS
= 0 V
V
GS
=
±25
V, V
DS
= 0 V
V
DS
= 250 V, V
GS
= 0 V
I
D
= 1毫安， V
DS
= 10 V
I
D
= 25 A，V
GS
= 10 V
I
D
= 25 A，V
GS
= 10 V
I
D
= 25 A，V
DS
= 10 V
V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V,
F = 1MHz的
V
DD
= 150 V，I
D
= 25 A,
V
GS
= 10 V,
R
根
= R
GS
= 50
I
S
= 25 A，V
GS
= 0 V
渠道情况
Rev.1.00 ， Aug.20.2004 ， 6 2页
FS50SM-5A
性能曲线
漏功耗降额曲线
300
最大安全工作区
10
3
7
5
3
TW = 10
s
2
10
2
7
5
3
100
s
2
10
1
1毫秒
7
5
3
2
10
0
DC
7
5
3
TC = 25°C
2
单脉冲
10
–1
10
0
2 3 5 710
1
2 3 5 710
2
2 3 5 710
3
漏极功耗P
D
(W)
250
200
150
100
50
0
0
25
50
75
100 125 150 175
壳温度（ ° C）
漏电流I
D
(A)
漏源电压V
DS
(V)
输出特性（典型）
160
输出特性（典型）
50
TC = 25°C
脉冲测试
P
D
= 250W
V
GS
= 20V
10V
P
D
= 250W
TC = 25°C
脉冲测试
漏电流I
D
(A)
漏电流I
D
(A)
40
120
8V
V
GS
=
20V
7V
6V
30
80
7V
20
5.5V
10
40
6V
5.5V
5V
0
0
4
8
12
16
0
0
4
8
12
16
20
漏源电压V
DS
(V)
漏源电压V
DS
(V)
10
漏源通态电阻R
DS （ ON）
()
漏源通态电压V
DS （ ON）
(V)
导通电压VS.
栅源电压（典型值）
TC = 25°C
脉冲测试
8
通态电阻VS.
漏电流（典型值）
0.16
TC = 25°C
脉冲测试
0.12
V
GS
= 10V
0.08
6
I
D
= 75A
4
20V
50A
2
0.04
25A
0
0
4
8
12
16
20
0
10
0
2 3 5 7 10
1
2 3 5 7 10
2
2 3 5 7 10
3
栅极 - 源极电压V
GS
(V)
漏电流I
D
(A)
Rev.1.00 ， Aug.20.2004 ， 6个3页
FS50SM-5A
正向转移导纳主场迎战
漏电流（典型值）
正向转移导纳| YFS | （ S）
10
2
7
5
4
3
2
10
1
7
5
4
3
2
10
0 0
10
2
3 4 5 7 10
1
2 3 4 5 7 10
2
传输特性（典型）
50
漏电流I
D
(A)
40
TC = 25°C
V
DS
= 30V
脉冲测试
V
DS
= 10V
脉冲测试
TC = 25°C
30
75°C
125°C
20
10
0
0
4
8
12
栅极 - 源极电压V
GS
(V)
电容与
漏源极电压（典型值）
10
3
7
5
10
3
7
5
4
3
2
漏电流I
D
(A)
开关特性（典型）
西塞
切换时间（纳秒）
电容（pF）
2
10
2
7
5
2
10
1
7
5
TD （关闭）
tr
tf
科斯
CRSS
2
10
0
7
TCH = 25°C
5
F = 1MHz的
2
V
GS
= 0V
10
–1
10
0
2 3 5 710
1
2 3 5 7 10
2
2 3 5 7 10
3
10
2
7
5
4
3
TCH = 25°C
2
V
DD
= 150V
V
GS
= 10V
R
根
= R
GS
= 50
10
1
10
0
2 3 4 5 7 10
1
TD （上）
2 3 4 5 7 10
2
漏源电压V
DS
(V)
栅源电压与
栅极电荷（典型值）
16
160
漏电流I
D
(A)
源极 - 漏极二极管的正向
特性（典型值）
V
GS
= 0V
脉冲测试
栅极 - 源极电压V
GS
(V)
TCH = 25°C
I
D
= 50A
V
DS
= 100V
200V
源电流我
S
(A)
12
120
TC = 125°C
80
8
25°C
40
4
0
0
40
80
120
160
200
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
栅极电荷Qg （ NC ）
源极 - 漏极电压V
SD
(V)
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FS50SM-5A
通态电阻VS.
通道温度（典型）
10
1
7
V
GS
= 10V
5
I
D
= 25A
4
脉冲测试
3
2
10
0
7
5
4
3
2
10
–1
–50
0
50
100
150
漏源通态电阻R
DS （ ON）
(25°C)
漏源通态电阻R
DS （ ON）
（T ° C）
门源阈值电压V
GS （ TH）
(V)
阈值电压 -
通道温度（典型）
6
V
DS
= 10V
I
D
= 1毫安
5
脉冲测试
4
3
2
1
0
–50
0
50
100
150
沟道温度Tch （ ° C）
沟道温度Tch （ ° C）
漏源击穿电压V
（ BR ） DSS
（T ° C）
漏源击穿电压V
（ BR ） DSS
(25°C)
瞬态热阻抗第Z （ CH-C ） （ ° C / W）
击穿电压VS.
通道温度（典型）
1.6
瞬态热阻抗特性
10
0
7
D = 1.0
5
3
0.5
2
0.2
10
–1
0.1
7
5
3
2
V
GS
= 0V
I
D
= 1毫安
脉冲测试
1.2
0.8
0.05
0.02
0.01
单脉冲
P
DM
tw
T
D = TW
T
0.4
–50
0
50
100
150
10
–2 –4
10 2 3 5 7 10
–3
2 3 5 710
–2
2 3 5 710
–1
2 3 5 710
0
2 3 5 710
1
沟道温度Tch （ ° C）
脉冲宽度tw （多个）
开关时间测量电路
输入电压监视器
D.U.T.
R
L
VIN
VOUT
R
GS
V
DD
VOUT
MONITOR
开关波形
90%
R
根
10%
10%
10%
90%
TD （上）
tr
90%
TD （关闭）
tf
Rev.1.00 ， Aug.20.2004 ， 6个5页
QQ：2881677436 复制
