FS50ASJ-03F
高速开关使用
N沟道功率MOS FET
REJ03G0238-0100
Rev.1.00
Aug.20.2004
特点
驱动电压： 4V
V
DSS
: 30 V
r
DS （ ON） （ MAX ）
: 12.2 m
I
D
: 50 A
综合快恢复二极管的恢复时间（典型值） ： 50纳秒
概要
MP-3A
2, 4
4
1
12
3
1.
2.
3.
4.
门
漏
来源
漏
3
应用
电机控制，灯控制，电磁阀控制的DC-DC转换器等。
最大额定值
（ TC = 25℃）
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
漏电流（脉冲）
雪崩电流（脉冲）
源出电流
源电流（脉冲）
最大功率耗散
通道温度
储存温度
块
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
I
DA
I
S
I
SM
P
D
总胆固醇
TSTG
—
评级
30
±20
50
200
50
50
200
50
- 55至+ 150
- 55至+ 150
0.32
单位
V
V
A
A
A
A
A
W
°C
°C
g
条件
V
GS
= 0 V
V
DS
= 0 V
L = 6
H
典型的价值
Rev.1.00 ， Aug.20.2004 ，页6 1
FS50ASJ-03F
电气特性
（总胆固醇= 25 ℃）下
参数
漏源击穿电压
栅源击穿电压
漏极 - 源极漏电流
栅极 - 源极漏电流
门源阈值电压
漏源导通电阻
漏源导通电阻
漏源通态电压
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源 - 漏电压
热阻
二极管的反向恢复时间
符号
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） GSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
r
DS （ ON）
r
DS （ ON）
V
DS （ ON）
| y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
RTH （ CH -C ）
t
rr
分钟。
30
±20
—
—
1.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值。
—
—
—
—
1.5
9.2
13
0.23
45
2100
690
340
16
90
130
85
1.0
—
50
马克斯。
—
—
100
±10
2.0
12.2
19
0.31
—
—
—
—
—
—
—
—
1.5
2.5
—
单位
V
V
A
A
V
m
m
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
° C / W
ns
测试条件
I
D
= 1毫安， V
GS
= 0 V
I
G
=
±100 A,
V
DS
= 0 V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V
V
GS
=
±20
V, V
DS
= 0 V
I
D
= 1毫安， V
DS
= 10 V
I
D
= 25 A，V
GS
= 10 V
I
D
= 25 A，V
GS
= 4 V
I
D
= 25 A，V
GS
= 10 V
I
D
= 25 A，V
DS
= 10 V
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V,
F = 1MHz的
V
DD
= 15 V，I
D
= 25 A,
V
GS
= 10 V,
R
根
= R
GS
= 50
I
S
= 25 A，V
GS
= 0 V
渠道情况
I
S
= 25 A， DIS / DT = - 50 A / μs的
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FS50ASJ-03F
性能曲线
漏功耗降额曲线
100
最大安全工作区
3
2
漏极功耗P
D
(W)
TW = 10微秒
60
漏电流I
D
(A)
80
10
2
7
5
3
2
10
1
7
5
3
2
TC = 25°C
单脉冲
10
0
3 5 7 10
0
2 3
100s
1ms
10ms
DC
5 7 10
1
2 3
57
40
20
0
0
50
100
150
200
壳温度（ ° C）
漏源电压V
DS
(V)
输出特性（典型）
100
输出特性（典型）
50
漏电流I
D
(A)
漏电流I
D
(A)
80
V
GS
= 10V
6V
5V
TC = 25°C
脉冲测试
4V
TC = 25°C
脉冲测试
V
GS
= 10V
6V
5V
4V
P
D
= 50W
40
60
30
3V
20
40
3V
20
P
D
= 50W
10
0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
漏源电压V
DS
(V)
漏源电压V
DS
(V)
漏源通态电压V
DS （ ON）
(V)
漏源通态电阻R
DS （ ON）
(m)
导通电压VS.
栅源电压（典型值）
5.0
通态电阻VS.
漏电流（典型值）
50
TC = 25°C
脉冲测试
TC = 25°C
脉冲测试
40
4.0
3.0
30
V
GS
= 4V
2.0
20
1.0
I
D
= 80A
50A
30A
10
10V
0
0
2
4
6
8
10
0
10
0
2 3 5 7 10
1
2 3 5 7 10
2
2 3 5 7 10
3
栅极 - 源极电压V
GS
(V)
漏电流I
D
(A)
Rev.1.00 ， Aug.20.2004 ， 6个3页
FS50ASJ-03F
正向转移导纳主场迎战
漏电流（典型值）
正向转移导纳| YFS | （ S）
10
2
7
5
4
3
2
10
1
7
5
4
3
2
10
0 0
10
2
3 4 5 7 10
1
2 3 4 5 7 10
2
传输特性（典型）
100
漏电流I
D
(A)
80
TC = 25°C
V
DS
= 10V
脉冲测试
V
DS
= 10V
脉冲测试
TC = 25°C
60
75°C
125°C
40
20
0
0
2
4
6
8
10
栅极 - 源极电压V
GS
(V)
电容与
漏源极电压（典型值）
10
4
7
5
漏电流I
D
(A)
开关特性（典型）
10
3
7
5
4
3
2
10
2
7
5
4
3
2
10
1
10
0
TCH = 25°C
F = 1MHz的
V
GS
= 0V
西塞
3
2
10
3
7
5
3
2
切换时间（纳秒）
电容（pF）
TCH = 25°C
V
DD
= 15V
V
GS
= 10V
R
根
= R
GS
= 50
TD （关闭）
tf
科斯
CRSS
tr
TD （上）
10
2
10
–1
2 3 5 710
0
2 3 5 7 10
1
2 3 5 7 10
2
2
3 4 5 7 10
1
2 3 4 5 7 10
2
漏源电压V
DS
(V)
漏电流I
D
(A)
栅源电压与
栅极电荷（典型值）
10
源极 - 漏极二极管的正向
特性（典型值）
100
栅极 - 源极电压V
GS
(V)
TCH = 25°C
I
D
= 50A
V
GS
= 0V
脉冲测试
8
源电流我
S
(A)
80
6
V
DS
= 10V
20V
25V
60
4
40
TC = 125°C
75°C
25°C
2
20
0
0
10
20
30
40
50
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
栅极电荷Qg （ NC ）
源极 - 漏极电压V
SD
(V)
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FS50ASJ-03F
通态电阻VS.
通道温度（典型）
10
1
7
V
GS
= 10V
I = 2A
5
D
4
脉冲测试
3
2
10
0
7
5
4
3
2
10
–1
–50
0
50
100
150
漏源通态电阻R
DS （ ON）
（T ° C）
漏源通态电阻R
DS （ ON）
(25°C)
门源阈值电压V
GS （ TH）
(V)
阈值电压 -
通道温度（典型）
4.0
V
DS
= 10V
I
D
= 1毫安
3.2
2.4
1.6
0.8
0
–50
0
50
100
150
沟道温度Tch （ ° C）
沟道温度Tch （ ° C）
漏源击穿电压V
（ BR ） DSS
(25°C)
瞬态热阻抗第Z （ CH-C ） （ ° C / W）
漏源击穿电压V
（ BR ） DSS
（T ° C）
击穿电压VS.
通道温度（典型）
1.4
瞬态热阻抗特性
10
1
7
5
3
D = 1.0
2
0.5
10
0
0.2
7
5
0.1
3
2
10
–1
7
5
3
2
V
GS
= 0V
I
D
= 1毫安
1.2
1.0
0.8
0.6
0.05
0.02
0.01
单脉冲
P
DM
tw
T
tw
D=
T
0.4
–50
0
50
100
150
10
–2 –4
10 2 3 5710
–3
2 3 5710
–2
2 3 5710
–1
2 3 5710
0
2 3 5710
1
2 3 5710
2
沟道温度Tch （ ° C）
脉冲宽度tw （多个）
开关时间测量电路
输入电压监视器
D.U.T.
R
L
VIN
VOUT
R
GS
V
DD
VOUT
MONITOR
开关波形
90%
R
根
10%
10%
10%
90%
TD （上）
tr
90%
TD （关闭）
tf
Rev.1.00 ， Aug.20.2004 ， 6个5页
QQ：2880707522 复制
