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三菱N沟道功率MOSFET
三菱N沟道功率MOSFET
FS4KM-12A
FS4KM-12A
高速开关使用
高速开关使用
FS4KM-12A
外形绘图
10
±
0.3
尺寸（mm）
2.8
±
0.2
15
±
0.3
φ
3.2
±
0.2
14
±
0.5
3.6
±
0.3
1.1
±
0.2
1.1
±
0.2
0.75
±
0.15
6.5
±
0.3
3
±
0.3
0.75
±
0.15
2.54
±
0.25
2.54
±
0.25
2.6
±
0.2
G
10V驱动器
G
V
DSS ................................................. ..............................
600V
G
r
DS （ ON） （ MAX ） ........................................... .....................
2.4
G
I
D ...........................................................................................
4A
门
漏
来源
TO-220FN
应用
开关电源， AC适配器，电源打印机，复印机，电视机，录像机。等等
最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
I
DA
P
D
T
ch
T
英镑
V
ISO
—
（ TC = 25 ° C）
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
漏电流（脉冲）
雪崩电流（脉冲）
最大功率耗散
通道温度
储存温度
隔离电压
重量
L = 200μH
V
GS
= 0V
V
DS
= 0V
条件
评级
600
±30
4
12
4
30
–55 ~ +150
–55 ~ +150
4.5
±
0.2
单位
V
V
A
A
A
W
°C
°C
V
g
2001年9月
交流时间1分钟，终端到外壳
典型的价值
2000
2.0
三菱N沟道功率MOSFET
FS4KM-12A
高速开关使用
电气特性
符号
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） GSS
I
GSS
I
DSS
V
GS （ TH）
r
DS （ ON）
V
DS （ ON）
y
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
R
TH（ CH-C ）
参数
（总胆固醇= 25 ℃）下
测试条件
I
D
= 1mA时， V
GS
= 0V
I
GS
=
±100A,
V
DS
= 0V
V
GS
=
±25V,
V
DS
= 0V
V
DS
= 600V, V
GS
= 0V
I
D
= 1mA时， V
DS
= 10V
I
D
= 2A ，V
GS
= 10V
I
D
= 2A ，V
GS
= 10V
I
D
= 2A ，V
DS
= 10V
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
范围
分钟。
600
±30
—
—
2.5
—
—
2.4
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值。
—
—
—
—
3.0
1.8
3.6
4.0
650
60
15
15
15
90
25
1.5
—
马克斯。
—
—
±10
1
3.5
2.4
4.8
—
—
—
—
—
—
—
—
2.0
4.17
单位
V
V
A
mA
V
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
° C / W
漏源击穿电压
栅源击穿电压
栅极 - 源极漏电流
漏极 - 源极漏电流
门源阈值电压
漏源导通电阻
漏源通态电压
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源 - 漏电压
热阻
V
DD
= 200V ，我
D
= 2A ，V
GS
= 10V ，R
根
= R
GS
= 50
I
S
= 2A ，V
GS
= 0V
渠道情况
性能曲线
功耗降额曲线
50
最大安全工作区
3
2
功耗P
D
(W)
40
漏电流I
D
(A)
10
1
7
5
3
2
TW =
10s
100s
1ms
30
10
0
7
5
3
2
20
10ms
10
10
–1
7
5
3
2
T
C
= 25°C
单脉冲
2 3
5 7
10
1
2 3
5 7
10
2
DC
0
0
50
100
150
200
2 3
5 7
案例温度T
C
(°C)
漏源电压V
DS
(V)
输出特性
（典型值）
10
V
GS
= 20V,10V,8V
T
C
= 25°C
脉冲测试
输出特性
（典型值）
5.0
6V
5V
漏电流I
D
(A)
8
6V
漏电流I
D
(A)
4.0
V
GS
=
20V,10V,8V
6
5V
3.0
4
2.0
P
D
= 30W
2
P
D
= 30W
1.0
T
C
= 25°C
脉冲测试
0
0
10
20
30
40
50
0
0
4
8
12
16
20
漏源电压V
DS
(V)
漏源电压V
DS
(V)
2001年9月
三菱N沟道功率MOSFET
FS4KM-12A
高速开关使用
导通电压VS.
栅源电压
（典型值）
40
漏极 - 源极导通状态
电压V
DS （ ON）
(V)
漏极 - 源极导通状态
电阻R
DS （ ON）
()
T
C
= 25°C
脉冲测试
通态电阻VS.
漏电流
（典型值）
5.0
T
C
= 25°C
脉冲测试
32
I
D
= 8A
4.0
V
GS
= 10V
20V
24
3.0
16
6A
4A
2A
2.0
8
1.0
0
10
–1
2 3 5 7
10
0
2 3 5 7
10
1
2 3 5 7
10
2
漏电流I
D
(A)
0
0
4
8
12
16
20
栅极 - 源极电压V
GS
(V)
传输特性
（典型值）
10
10
1
7
5
正向转移导纳
与漏电流
（典型值）
漏电流I
D
(A)
正向传递
导纳
y
fs
(S)
8
75°C
125°C
3 T
C
= 25°C
2
6
10
0
7
5
3
2
V
DS
= 10V
脉冲测试
4
T
C
= 25°C
V
DS
= 10V
脉冲测试
2
0
0
4
8
12
16
20
10
–1 –1
10
2
3
5 7
10
0
2
3
5 7
10
1
栅极 - 源极电压V
GS
(V)
漏电流I
D
(A)
电容与
漏源电压
（典型值）
3
2
5
3
开关特性
（典型值）
TCH = 25°C
V
GS
= 10V
V
DD
= 200V
R
根
= R
GS
= 50
t
D（关闭）
3
2
10
2
7
5
3
2
10
1
7
5
3
TCH = 25°C
V
GS
= 0V
F = 1MHz的
科斯
CRSS
切换时间（纳秒）
电容
西塞，科斯，的Crss （PF ）
10
3
7
5
西塞
2
10
2
7
5
3
2
t
D（上）
t
f
t
r
2 3 5 7
10
0
2 3 5 7
10
1
2 3 5 7
10
2
2 3
10
1
7
5
10
–1
2
3
5 7
10
0
2
3
5 7
10
1
漏源电压V
DS
(V)
漏电流I
D
(A)
2001年9月
三菱N沟道功率MOSFET
FS4KM-12A
高速开关使用
栅源电压
VS.栅极电荷
（典型值）
栅极 - 源极电压V
GS
(V)
源极 - 漏极二极管
正向特性
（典型值）
20
源电流我
S
(A)
20
V
DS
= 100V 200V
400V
16
16
T
C
= 25°C
75°C
12
12
125°C
8
8
4
T
C
H = 25℃
I
D
= 4A
4
V
GS
= 0V
脉冲测试
0
0
8
16
24
32
40
0
0
0.8
1.6
2.4
3.2
4.0
栅极电荷q
g
（ NC ）
源极 - 漏极电压V
SD
(V)
漏源通态电阻R
DS （ ON）
(25°C)
漏源通态电阻R
DS （ ON）
（T ° C）
通态电阻VS.
通道温度
（典型值）
10
1
门极 - 源
电压V
GS （ TH）
(V)
7
5
3
2
V
GS
= 10V
I
D
= 2A
脉冲测试
阈值电压 -
通道温度
（典型值）
5.0
V
DS
= 10V
I
D
= 1毫安
4.0
3.0
10
0
7
5
3
2
2.0
1.0
10
–1
–50
0
50
100
150
0
–50
0
50
100
150
沟道温度Tch （ ° C）
沟道温度Tch （ ° C）
漏源击穿电压V
（ BR ） DSS
(25°C)
瞬态热阻抗Z
TH（ CH -C）
（ ° C / W）
漏源击穿电压V
（ BR ） DSS
（T ° C）
击穿电压VS.
通道温度
（典型值）
1.4
V
GS
= 0V
I
D
= 1毫安
瞬态热阻抗
特征
10
1
7
5 D = 1.0
3
2
= 0.5
= 0.2
= 0.1
1.2
10
0
7
5
3
2
1.0
0.8
10
–1
7
5
3
2
= 0.05
= 0.02
= 0.01
单脉冲
P
DM
tw
T
D
=
tw
T
0.6
0.4
–50
0
50
100
150
10
–2 –4
10
2 3 5 7
10
–3
2 3 5 7
10
–2
2 3 5 7
10
–1
2 3 5 7
10
0
2 3 5 7
10
1
2 3 5 7
10
2
脉冲宽度t
w
(s)
沟道温度Tch （ ° C）
2001年9月
三菱N沟道功率MOSFET
三菱N沟道功率MOSFET
FS4KM-12A
FS4KM-12A
高速开关使用
高速开关使用
FS4KM-12A
外形绘图
10
±
0.3
尺寸（mm）
2.8
±
0.2
15
±
0.3
φ
3.2
±
0.2
14
±
0.5
3.6
±
0.3
1.1
±
0.2
1.1
±
0.2
0.75
±
0.15
6.5
±
0.3
3
±
0.3
0.75
±
0.15
2.54
±
0.25
2.54
±
0.25
2.6
±
0.2
G
10V驱动器
G
V
DSS ................................................. ..............................
600V
G
r
DS （ ON） （ MAX ） ........................................... .....................
2.4
G
I
D ...........................................................................................
4A
门
漏
来源
TO-220FN
应用
开关电源， AC适配器，电源打印机，复印机，电视机，录像机。等等
最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
I
DA
P
D
T
ch
T
英镑
V
ISO
—
（ TC = 25 ° C）
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
漏电流（脉冲）
雪崩电流（脉冲）
最大功率耗散
通道温度
储存温度
隔离电压
重量
L = 200μH
V
GS
= 0V
V
DS
= 0V
条件
评级
600
±30
4
12
4
30
–55 ~ +150
–55 ~ +150
4.5
±
0.2
单位
V
V
A
A
A
W
°C
°C
V
g
2001年9月
交流时间1分钟，终端到外壳
典型的价值
2000
2.0
三菱N沟道功率MOSFET
FS4KM-12A
高速开关使用
电气特性
符号
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） GSS
I
GSS
I
DSS
V
GS （ TH）
r
DS （ ON）
V
DS （ ON）
y
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
R
TH（ CH-C ）
参数
（总胆固醇= 25 ℃）下
测试条件
I
D
= 1mA时， V
GS
= 0V
I
GS
=
±100A,
V
DS
= 0V
V
GS
=
±25V,
V
DS
= 0V
V
DS
= 600V, V
GS
= 0V
I
D
= 1mA时， V
DS
= 10V
I
D
= 2A ，V
GS
= 10V
I
D
= 2A ，V
GS
= 10V
I
D
= 2A ，V
DS
= 10V
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
范围
分钟。
600
±30
—
—
2.5
—
—
2.4
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值。
—
—
—
—
3.0
1.8
3.6
4.0
650
60
15
15
15
90
25
1.5
—
马克斯。
—
—
±10
1
3.5
2.4
4.8
—
—
—
—
—
—
—
—
2.0
4.17
单位
V
V
A
mA
V
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
° C / W
漏源击穿电压
栅源击穿电压
栅极 - 源极漏电流
漏极 - 源极漏电流
门源阈值电压
漏源导通电阻
漏源通态电压
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源 - 漏电压
热阻
V
DD
= 200V ，我
D
= 2A ，V
GS
= 10V ，R
根
= R
GS
= 50
I
S
= 2A ，V
GS
= 0V
渠道情况
性能曲线
功耗降额曲线
50
最大安全工作区
3
2
功耗P
D
(W)
40
漏电流I
D
(A)
10
1
7
5
3
2
TW =
10s
100s
1ms
30
10
0
7
5
3
2
20
10ms
10
10
–1
7
5
3
2
T
C
= 25°C
单脉冲
2 3
5 7
10
1
2 3
5 7
10
2
DC
0
0
50
100
150
200
2 3
5 7
案例温度T
C
(°C)
漏源电压V
DS
(V)
输出特性
（典型值）
10
V
GS
= 20V,10V,8V
T
C
= 25°C
脉冲测试
输出特性
（典型值）
5.0
6V
5V
漏电流I
D
(A)
8
6V
漏电流I
D
(A)
4.0
V
GS
=
20V,10V,8V
6
5V
3.0
4
2.0
P
D
= 30W
2
P
D
= 30W
1.0
T
C
= 25°C
脉冲测试
0
0
10
20
30
40
50
0
0
4
8
12
16
20
漏源电压V
DS
(V)
漏源电压V
DS
(V)
2001年9月
三菱N沟道功率MOSFET
FS4KM-12A
高速开关使用
导通电压VS.
栅源电压
（典型值）
40
漏极 - 源极导通状态
电压V
DS （ ON）
(V)
漏极 - 源极导通状态
电阻R
DS （ ON）
()
T
C
= 25°C
脉冲测试
通态电阻VS.
漏电流
（典型值）
5.0
T
C
= 25°C
脉冲测试
32
I
D
= 8A
4.0
V
GS
= 10V
20V
24
3.0
16
6A
4A
2A
2.0
8
1.0
0
10
–1
2 3 5 7
10
0
2 3 5 7
10
1
2 3 5 7
10
2
漏电流I
D
(A)
0
0
4
8
12
16
20
栅极 - 源极电压V
GS
(V)
传输特性
（典型值）
10
10
1
7
5
正向转移导纳
与漏电流
（典型值）
漏电流I
D
(A)
正向传递
导纳
y
fs
(S)
8
75°C
125°C
3 T
C
= 25°C
2
6
10
0
7
5
3
2
V
DS
= 10V
脉冲测试
4
T
C
= 25°C
V
DS
= 10V
脉冲测试
2
0
0
4
8
12
16
20
10
–1 –1
10
2
3
5 7
10
0
2
3
5 7
10
1
栅极 - 源极电压V
GS
(V)
漏电流I
D
(A)
电容与
漏源电压
（典型值）
3
2
5
3
开关特性
（典型值）
TCH = 25°C
V
GS
= 10V
V
DD
= 200V
R
根
= R
GS
= 50
t
D（关闭）
3
2
10
2
7
5
3
2
10
1
7
5
3
TCH = 25°C
V
GS
= 0V
F = 1MHz的
科斯
CRSS
切换时间（纳秒）
电容
西塞，科斯，的Crss （PF ）
10
3
7
5
西塞
2
10
2
7
5
3
2
t
D（上）
t
f
t
r
2 3 5 7
10
0
2 3 5 7
10
1
2 3 5 7
10
2
2 3
10
1
7
5
10
–1
2
3
5 7
10
0
2
3
5 7
10
1
漏源电压V
DS
(V)
漏电流I
D
(A)
2001年9月
三菱N沟道功率MOSFET
FS4KM-12A
高速开关使用
栅源电压
VS.栅极电荷
（典型值）
栅极 - 源极电压V
GS
(V)
源极 - 漏极二极管
正向特性
（典型值）
20
源电流我
S
(A)
20
V
DS
= 100V 200V
400V
16
16
T
C
= 25°C
75°C
12
12
125°C
8
8
4
T
C
H = 25℃
I
D
= 4A
4
V
GS
= 0V
脉冲测试
0
0
8
16
24
32
40
0
0
0.8
1.6
2.4
3.2
4.0
栅极电荷q
g
（ NC ）
源极 - 漏极电压V
SD
(V)
漏源通态电阻R
DS （ ON）
(25°C)
漏源通态电阻R
DS （ ON）
（T ° C）
通态电阻VS.
通道温度
（典型值）
10
1
门极 - 源
电压V
GS （ TH）
(V)
7
5
3
2
V
GS
= 10V
I
D
= 2A
脉冲测试
阈值电压 -
通道温度
（典型值）
5.0
V
DS
= 10V
I
D
= 1毫安
4.0
3.0
10
0
7
5
3
2
2.0
1.0
10
–1
–50
0
50
100
150
0
–50
0
50
100
150
沟道温度Tch （ ° C）
沟道温度Tch （ ° C）
漏源击穿电压V
（ BR ） DSS
(25°C)
瞬态热阻抗Z
TH（ CH -C）
（ ° C / W）
漏源击穿电压V
（ BR ） DSS
（T ° C）
击穿电压VS.
通道温度
（典型值）
1.4
V
GS
= 0V
I
D
= 1毫安
瞬态热阻抗
特征
10
1
7
5 D = 1.0
3
2
= 0.5
= 0.2
= 0.1
1.2
10
0
7
5
3
2
1.0
0.8
10
–1
7
5
3
2
= 0.05
= 0.02
= 0.01
单脉冲
P
DM
tw
T
D
=
tw
T
0.6
0.4
–50
0
50
100
150
10
–2 –4
10
2 3 5 7
10
–3
2 3 5 7
10
–2
2 3 5 7
10
–1
2 3 5 7
10
0
2 3 5 7
10
1
2 3 5 7
10
2
脉冲宽度t
w
(s)
沟道温度Tch （ ° C）
2001年9月
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