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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符F型号页 > 首字符F的型号第413页 > FS3KM-10
三菱N沟道功率MOSFET
FS3KM-10
高速开关使用
FS3KM-10
外形绘图
10 ± 0.3
6.5 ± 0.3
3 ± 0.3
尺寸（mm）
2.8 ± 0.2
15 ± 0.3
φ
3.2 ± 0.2
14 ± 0.5
3.6 ± 0.3
1.1 ± 0.2
1.1 ± 0.2
0.75 ± 0.15
0.75 ± 0.15
2.54 ± 0.25
2.54 ± 0.25
4.5 ± 0.2
q
门
w
漏
e
来源
1 2 3
2.6 ± 0.2
w
V
DSS ................................................. ...............................
500V
r
DS （ ON） （ MAX ） ........................................... ......................
4.4
I
D ............................................................................................
3A
V
ISO ................................................. ...............................
2000V
q
e
TO-220FN
应用
开关电源， DC-DC转换器，电池充电器，电源
供应打印机，复印机，硬盘，软驱，电视，录像机， per-
SONAL电脑等。
最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
P
D
T
ch
T
英镑
V
ISO
—
（ TC = 25 ° C）
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
漏电流（脉冲）
最大功率耗散
通道温度
储存温度
隔离电压
重量
V
GS
= 0V
V
DS
= 0V
条件
评级
500
±30
3
9
30
–55 ~ +150
–55 ~ +150
2000
2.0
单位
V
V
A
A
W
°C
°C
V
RMS
g
Feb.1999
交流时间1分钟，终端到外壳
典型的价值
三菱N沟道功率MOSFET
FS3KM-10
高速开关使用
电气特性
符号
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） GSS
I
GSS
I
DSS
V
GS （ TH）
r
DS （ ON）
V
DS （ ON）
y
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
R
TH（ CH-C ）
参数
（总胆固醇= 25 ℃）下
测试条件
I
D
= 1mA时， V
GS
= 0V
I
G
=
±100A,
V
DS
= 0V
V
GS
=
±25V,
V
DS
= 0V
V
DS
= 500V, V
GS
= 0V
I
D
= 1mA时， V
DS
= 10V
I
D
= 1A ，V
GS
= 10V
I
D
= 1A ，V
GS
= 10V
I
D
= 1A ，V
DS
= 10V
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
范围
分钟。
500
±30
—
—
2
—
—
1.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值。
—
—
—
—
3
3.4
3.4
1.5
300
35
6
13
10
30
30
1.5
—
马克斯。
—
—
±10
1
4
4.4
4.4
—
—
—
—
—
—
—
—
2.0
4.17
单位
V
V
A
mA
V
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
° C / W
漏源击穿电压
栅源击穿电压
栅极 - 源极漏电流
漏极 - 源极漏电流
门源阈值电压
漏源导通电阻
漏源通态电压
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源 - 漏电压
热阻
V
DD
= 200V ，我
D
= 1A ，V
GS
= 10V ，R
根
= R
GS
= 50
I
S
= 1A ，V
GS
= 0V
渠道情况
性能曲线
功耗降额曲线
50
功耗P
D
(W)
漏电流I
D
(A)
最大安全工作区
10
1
7
5
3
2
7
5
3
2
tw=10s
40
100s
1ms
10ms
DC
10
0
30
20
10
10
–1
7
5
3
2
10
–2
T
C
= 25°C
单脉冲
0
0
50
100
150
200
2 3 5 7 10
1
2 3 5 7 10
2
2 3 5 7 10
3
2
漏源电压V
DS
(V)
输出特性
（典型值）
案例温度T
C
(°C)
输出特性
（典型值）
10
P
D
= 30W
漏电流I
D
(A)
T
C
= 25°C
脉冲测试
漏电流I
D
(A)
5
P
D
= 30W
8
V
GS
= 20V
10V
8V
4
T
C
= 25°C
脉冲测试
V
GS
= 20V
10V
8V
6V
6
3
4
6V
2
5V
2
5V
0
0
10
20
30
40
50
1
0
0
4
8
12
16
20
漏源电压V
DS
(V)
漏源电压V
DS
(V)
Feb.1999
三菱N沟道功率MOSFET
FS3KM-10
高速开关使用
导通电压VS.
栅源电压
（典型值）
40
10
T
C
= 25°C
脉冲测试
32
通态电阻VS.
漏电流
（典型值）
T
C
= 25°C
脉冲测试
8
漏极 - 源极导通状态
电压V
DS （ ON）
(V)
漏极 - 源极导通状态
电阻R
DS （ ON）
()
V
GS
= 10V
24
I
D
= 4A
16
3A
2A
1A
0
0
4
8
12
16
20
6
20V
4
8
2
0
10
–2
2 3 5 7 10
–1
2 3 5 7 10
0
2 3 5 7 10
1
漏电流I
D
(A)
栅极 - 源极电压V
GS
(V)
传输特性
（典型值）
10
T
C
= 25°C
V
DS
= 50V
脉冲测试
10
1
7
5
正向转移导纳
VS.DRAIN CURRENT
（典型值）
V
DS
= 10V
脉冲测试
漏电流I
D
(A)
正向传递
导纳
y
fs
(S)
8
6
3
2
10
0
7
5
3
2
10
–1 –1
10
2 3
T
C
= 25°C
4
75°C
125°C
2
0
0
4
8
12
16
20
5 7 10
0
2 3
5 7 10
1
栅极 - 源极电压V
GS
(V)
漏电流I
D
(A)
电容与
漏源电压
（典型值）
7
5
3
2
10
2
7
5
3
2
科斯
5
西塞
3
2
10
2
7
5
3
2
开关特性
（典型值）
TCH = 25°C
V
DD
= 200V
V
GS
= 10V
R
根
= R
GS
= 50
切换时间（纳秒）
t
f
电容
西塞，科斯，的Crss （PF ）
t
D（关闭）
10
1
7总胆固醇= 25°C
CRSS
5 F = 1MHz的
3 V
GS
= 0V
2
2 3 5 7 10
0
2 3 5 7 10
1
2 3 5 7 10
2
2
漏源电压V
DS
(V)
t
D（上）
10
1
t
r
7
5
10
–1
2 3
5 7 10
0
2 3
5 7 10
1
漏电流I
D
(A)
Feb.1999
三菱N沟道功率MOSFET
FS3KM-10
高速开关使用
栅源电压
VS.GATE CHARGE
（典型值）
20
10
源极 - 漏极二极管
正向特性
（典型值）
T
C
= 125°C
VGS = 0V
脉冲测试
25°C
6
75°C
栅极 - 源极电压V
GS
(V)
16
源电流我
S
(A)
20
TCH = 25°C
I
D
= 3A
V
DS
= 100V
200V
12
400V
8
8
4
4
2
0
0
4
8
12
16
0
0
0.8
1.6
2.4
3.2
4.0
栅极电荷q
g
（ NC ）
源极 - 漏极电压V
SD
(V)
漏源通态电阻R
DS （ ON）
(25°C)
漏源通态电阻R
DS （ ON）
（T ° C）
通态电阻VS.
通道温度
（典型值）
10
1
7
5
3
2
10
0
7
5
3
2
10
–1
–50
0
50
100
150
5.0
V
GS
= 10V
I
D
= 1/2I
D
脉冲测试
阈值电压 -
通道温度
（典型值）
V
DS
= 10V
I
D
= 1毫安
4.0
门极 - 源
电压V
GS （ TH）
(V)
3.0
2.0
1.0
0
–50
0
50
100
150
沟道温度Tch （ ° C）
沟道温度Tch （ ° C）
瞬态热阻抗Z
TH（ CH-C ）
（ ° C / W）
漏源击穿电压V
BR （ DSS ）
(25°C)
漏源击穿电压V
BR （ DSS ）
（T ° C）
击穿电压VS.
通道温度
（典型值）
1.4
V
GS
= 0V
I
D
= 1毫安
1.2
瞬态热阻抗
特征
10
1
7
5 D=1
3 0.5
2
0.2
10
0
7 0.1
5
3
2
10
–1
7
5
3
2
1.0
0.8
0.05
0.02
0.01
单脉冲
P
DM
tw
T
D = TW
T
0.6
0.4
–50
0
50
100
150
10
–2
10
–4
2 3 5710
–3
2 3 5710
–2
2 3 5710
–1
2 3 5710
0
2 3 5710
1
2 3 5710
2
脉冲宽度t
w
(s)
Feb.1999
沟道温度Tch （ ° C）
三菱N沟道功率MOSFET
FS3KM-10
高速开关使用
FS3KM-10
外形绘图
10 ± 0.3
6.5 ± 0.3
3 ± 0.3
尺寸（mm）
2.8 ± 0.2
15 ± 0.3
φ
3.2 ± 0.2
14 ± 0.5
3.6 ± 0.3
1.1 ± 0.2
1.1 ± 0.2
0.75 ± 0.15
0.75 ± 0.15
2.54 ± 0.25
2.54 ± 0.25
4.5 ± 0.2
q
门
w
漏
e
来源
1 2 3
2.6 ± 0.2
w
V
DSS ................................................. ...............................
500V
r
DS （ ON） （ MAX ） ........................................... ......................
4.4
I
D ............................................................................................
3A
V
ISO ................................................. ...............................
2000V
q
e
TO-220FN
应用
开关电源， DC-DC转换器，电池充电器，电源
供应打印机，复印机，硬盘，软驱，电视，录像机， per-
SONAL电脑等。
最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
P
D
T
ch
T
英镑
V
ISO
—
（ TC = 25 ° C）
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
漏电流（脉冲）
最大功率耗散
通道温度
储存温度
隔离电压
重量
V
GS
= 0V
V
DS
= 0V
条件
评级
500
±30
3
9
30
–55 ~ +150
–55 ~ +150
2000
2.0
单位
V
V
A
A
W
°C
°C
V
RMS
g
Feb.1999
交流时间1分钟，终端到外壳
典型的价值
三菱N沟道功率MOSFET
FS3KM-10
高速开关使用
电气特性
符号
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） GSS
I
GSS
I
DSS
V
GS （ TH）
r
DS （ ON）
V
DS （ ON）
y
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
R
TH（ CH-C ）
参数
（总胆固醇= 25 ℃）下
测试条件
I
D
= 1mA时， V
GS
= 0V
I
G
=
±100A,
V
DS
= 0V
V
GS
=
±25V,
V
DS
= 0V
V
DS
= 500V, V
GS
= 0V
I
D
= 1mA时， V
DS
= 10V
I
D
= 1A ，V
GS
= 10V
I
D
= 1A ，V
GS
= 10V
I
D
= 1A ，V
DS
= 10V
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
范围
分钟。
500
±30
—
—
2
—
—
1.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值。
—
—
—
—
3
3.4
3.4
1.5
300
35
6
13
10
30
30
1.5
—
马克斯。
—
—
±10
1
4
4.4
4.4
—
—
—
—
—
—
—
—
2.0
4.17
单位
V
V
A
mA
V
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
° C / W
漏源击穿电压
栅源击穿电压
栅极 - 源极漏电流
漏极 - 源极漏电流
门源阈值电压
漏源导通电阻
漏源通态电压
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源 - 漏电压
热阻
V
DD
= 200V ，我
D
= 1A ，V
GS
= 10V ，R
根
= R
GS
= 50
I
S
= 1A ，V
GS
= 0V
渠道情况
性能曲线
功耗降额曲线
50
功耗P
D
(W)
漏电流I
D
(A)
最大安全工作区
10
1
7
5
3
2
7
5
3
2
tw=10s
40
100s
1ms
10ms
DC
10
0
30
20
10
10
–1
7
5
3
2
10
–2
T
C
= 25°C
单脉冲
0
0
50
100
150
200
2 3 5 7 10
1
2 3 5 7 10
2
2 3 5 7 10
3
2
漏源电压V
DS
(V)
输出特性
（典型值）
案例温度T
C
(°C)
输出特性
（典型值）
10
P
D
= 30W
漏电流I
D
(A)
T
C
= 25°C
脉冲测试
漏电流I
D
(A)
5
P
D
= 30W
8
V
GS
= 20V
10V
8V
4
T
C
= 25°C
脉冲测试
V
GS
= 20V
10V
8V
6V
6
3
4
6V
2
5V
2
5V
0
0
10
20
30
40
50
1
0
0
4
8
12
16
20
漏源电压V
DS
(V)
漏源电压V
DS
(V)
Feb.1999
三菱N沟道功率MOSFET
FS3KM-10
高速开关使用
导通电压VS.
栅源电压
（典型值）
40
10
T
C
= 25°C
脉冲测试
32
通态电阻VS.
漏电流
（典型值）
T
C
= 25°C
脉冲测试
8
漏极 - 源极导通状态
电压V
DS （ ON）
(V)
漏极 - 源极导通状态
电阻R
DS （ ON）
()
V
GS
= 10V
24
I
D
= 4A
16
3A
2A
1A
0
0
4
8
12
16
20
6
20V
4
8
2
0
10
–2
2 3 5 7 10
–1
2 3 5 7 10
0
2 3 5 7 10
1
漏电流I
D
(A)
栅极 - 源极电压V
GS
(V)
传输特性
（典型值）
10
T
C
= 25°C
V
DS
= 50V
脉冲测试
10
1
7
5
正向转移导纳
VS.DRAIN CURRENT
（典型值）
V
DS
= 10V
脉冲测试
漏电流I
D
(A)
正向传递
导纳
y
fs
(S)
8
6
3
2
10
0
7
5
3
2
10
–1 –1
10
2 3
T
C
= 25°C
4
75°C
125°C
2
0
0
4
8
12
16
20
5 7 10
0
2 3
5 7 10
1
栅极 - 源极电压V
GS
(V)
漏电流I
D
(A)
电容与
漏源电压
（典型值）
7
5
3
2
10
2
7
5
3
2
科斯
5
西塞
3
2
10
2
7
5
3
2
开关特性
（典型值）
TCH = 25°C
V
DD
= 200V
V
GS
= 10V
R
根
= R
GS
= 50
切换时间（纳秒）
t
f
电容
西塞，科斯，的Crss （PF ）
t
D（关闭）
10
1
7总胆固醇= 25°C
CRSS
5 F = 1MHz的
3 V
GS
= 0V
2
2 3 5 7 10
0
2 3 5 7 10
1
2 3 5 7 10
2
2
漏源电压V
DS
(V)
t
D（上）
10
1
t
r
7
5
10
–1
2 3
5 7 10
0
2 3
5 7 10
1
漏电流I
D
(A)
Feb.1999
三菱N沟道功率MOSFET
FS3KM-10
高速开关使用
栅源电压
VS.GATE CHARGE
（典型值）
20
10
源极 - 漏极二极管
正向特性
（典型值）
T
C
= 125°C
VGS = 0V
脉冲测试
25°C
6
75°C
栅极 - 源极电压V
GS
(V)
16
源电流我
S
(A)
20
TCH = 25°C
I
D
= 3A
V
DS
= 100V
200V
12
400V
8
8
4
4
2
0
0
4
8
12
16
0
0
0.8
1.6
2.4
3.2
4.0
栅极电荷q
g
（ NC ）
源极 - 漏极电压V
SD
(V)
漏源通态电阻R
DS （ ON）
(25°C)
漏源通态电阻R
DS （ ON）
（T ° C）
通态电阻VS.
通道温度
（典型值）
10
1
7
5
3
2
10
0
7
5
3
2
10
–1
–50
0
50
100
150
5.0
V
GS
= 10V
I
D
= 1/2I
D
脉冲测试
阈值电压 -
通道温度
（典型值）
V
DS
= 10V
I
D
= 1毫安
4.0
门极 - 源
电压V
GS （ TH）
(V)
3.0
2.0
1.0
0
–50
0
50
100
150
沟道温度Tch （ ° C）
沟道温度Tch （ ° C）
瞬态热阻抗Z
TH（ CH-C ）
（ ° C / W）
漏源击穿电压V
BR （ DSS ）
(25°C)
漏源击穿电压V
BR （ DSS ）
（T ° C）
击穿电压VS.
通道温度
（典型值）
1.4
V
GS
= 0V
I
D
= 1毫安
1.2
瞬态热阻抗
特征
10
1
7
5 D=1
3 0.5
2
0.2
10
0
7 0.1
5
3
2
10
–1
7
5
3
2
1.0
0.8
0.05
0.02
0.01
单脉冲
P
DM
tw
T
D = TW
T
0.6
0.4
–50
0
50
100
150
10
–2
10
–4
2 3 5710
–3
2 3 5710
–2
2 3 5710
–1
2 3 5710
0
2 3 5710
1
2 3 5710
2
脉冲宽度t
w
(s)
Feb.1999
沟道温度Tch （ ° C）
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