【我们所有的客户关于文件中提到的名字，如三菱的变化电气和三菱XX ，瑞萨科技公司日立和三菱电机的半导体】,IC型号FS20SM-6,FS20SM-6 PDF资料,FS20SM-6经销商,ic,电子元器件-51电子网

我们所有的客户

关于文件中提到的名字，如三菱的变化

电气和三菱XX ，瑞萨科技公司

日立和三菱电机的半导体业务转移到瑞萨

科技公司4月1日2003年这些操作包括微机，逻辑，模拟

和分立器件和存储器芯片比DRAM （闪速存储器，静态存储器等）等

因此，虽然三菱电机，三菱电机株式会社，三菱

半导体及其他三菱品牌名称提到的文件中，这些名称

已在事实上，所有被更改为瑞萨科技公司感谢您的理解。

除了我们的企业商标，标识和公司声明，没有改变任何已经

到文档中的内容作出，而这些变化不构成任何改动的

文件本身的内容。

注：三菱电机将继续高频&光学器件的业务运营

与功率器件。

瑞萨科技公司

客户服务部

2003年4月1日

三菱N沟道功率MOSFET

FS20SM-6

高速开关使用

FS20SM-6

外形绘图

15.9MAX.

尺寸（mm）

4.5

1.5

r

2

4

20.0

φ

3.2

5.0

1.0

q

5.45

w

e

5.45

19.5MIN.

4.4

0.6

2.8

4

wr

q

门

w

漏

e

来源

r

漏

e

q

V

DSS ................................................. ...............................

300V

r

DS （ ON）（ MAX ） ........................................... ...................

0.26

I

D ..........................................................................................

20A

TO-3P

应用

开关电源， DC-DC转换器，电池充电器，电源

供应打印机，复印机，硬盘，软驱，电视，录像机， per-

SONAL电脑等。

最大额定值

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

I

DM

P

D

T

ch

T

英镑

—

（ TC = 25 ° C）

参数

漏源电压

栅源电压

漏电流

漏电流（脉冲）

最大功率耗散

通道温度

储存温度

重量

V

GS

= 0V

V

DS

= 0V

条件

评级

300

±30

20

60

150

–55 ~ +150

4.8

单位

V

A

W

°C

g

Feb.1999

典型的价值

三菱N沟道功率MOSFET

FS20SM-6

高速开关使用

电气特性

符号

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） GSS

I

GSS

I

DSS

V

GS （ TH）

r

DS （ ON）

V

DS （ ON）

y

fs

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

SD

R

TH（ CH-C ）

参数

（总胆固醇= 25 ℃）下

测试条件

I

D

= 1mA时， V

GS

= 0V

I

G

=

±100A,

V

DS

= 0V

V

GS

=

±25V,

V

DS

= 0V

V

DS

= 300V, V

GS

= 0V

I

D

= 1mA时， V

DS

= 10V

I

D

= 10A ，V

GS

= 10V

I

D

= 10A ，V

GS

= 10V

I

D

= 10A ，V

DS

= 10V

V

DS

= 25V, V

GS

= 0V ， F = 1MHz的

范围

分钟。

300

±30

—

2

—

8.5

—

典型值。

—

3

0.20

2.0

13.0

1400

280

55

25

50

150

65

1.5

—

马克斯。

—

±10

1

4

0.26

2.6

—

2.0

0.83

单位

V

A

mA

V

S

pF

ns

V

° C / W

漏源击穿电压

栅源击穿电压

栅极 - 源极漏电流

漏极 - 源极漏电流

门源阈值电压

漏源导通电阻

漏源通态电压

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

源 - 漏电压

热阻

V

DD

= 150V ，我

D

= 10A ，V

GS

= 10V ，R

根

= R

GS

= 50

I

S

= 10A ，V

GS

= 0V

Channle以案例

性能曲线

功耗降额曲线

200

功耗P

D

(W)

漏电流I

D

(A)

最大安全工作区

10

2

7

5

3

2

10

1

7

5

3

2

10

0

7

5

3

2

10

–1

tw=10s

100s

1ms

10ms

T

C

= 25°C

单脉冲

DC

160

120

80

40

0

50

100

150

200

2 3 5 7 10

1

2 3 5 7 10

2

2 3 5 7 10

3

2

漏源电压V

DS

(V)

输出特性

（典型值）

V

GS

=20V

10V

6V P

D

= 150W

5.5V

案例温度T

C

(°C)

输出特性

（典型值）

P

D

= 150W

V

DS

= 20V

10V

漏电流I

D

(A)

50

20

T

C

= 25°C

脉冲测试

40

漏电流I

D

(A)

7V

16

30

6V

20

5V

10

4V

0

10

20

30

40

50

12

5V

8

4.5V

4

T

C

= 25°C

脉冲测试

0

4

8

12

16

20

漏源电压V

DS

(V)

漏源电压V

DS

(V)

Feb.1999

三菱N沟道功率MOSFET

FS20SM-6

高速开关使用

导通电压VS.

栅源电压

（典型值）

20

0.5

T

C

= 25°C

脉冲测试

16

通态电阻VS.

漏电流

（典型值）

T

C

= 25°C

脉冲测试

0.4

漏极 - 源极导通状态

电压V

DS （ ON）

(V)

漏极 - 源极导通状态

电阻R

DS （ ON）

()

12

I

D

= 40A

8

20A

10A

0

4

8

12

16

20

0.3

V

GS

= 10V

20V

0.2

4

0.1

0

10

–1

2 3 5 7 10

0

2 3 5 7 10

1

2 3 5 7 10

2

漏电流I

D

(A)

栅极 - 源极电压V

GS

(V)

传输特性

（典型值）

40

T

C

= 25°C

V

DS

= 50V

脉冲测试

10

2

7

5

正向转移导纳

VS.DRAIN CURRENT

（典型值）

V

DS

= 10V

脉冲测试

漏电流I

D

(A)

正向传递

导纳

y

fs

(S)

32

24

3

2

10

1

7

5

3

2

10

0 0

10

2 3

5 7 10

1

T

C

= 25°C

16

75°C

125°C

2 3

5 7 10

2

8

0

4

8

12

16

20

栅极 - 源极电压V

GS

(V)

漏电流I

D

(A)

电容与

漏源电压

（典型值）

5

3

2

西塞

10

3

7

5

开关特性

（典型值）

TCH = 25°C

V

DD

= 150V

V

GS

= 10V

R

根

= R

GS

= 50

t

D（关闭）

10

3

7

5

3

2

10

2

7

5

科斯

切换时间（纳秒）

电容

西塞，科斯，的Crss （PF ）

3

2

10

2

7

5

3

2

10

1

10

0

2 3

t

f

t

r

t

D（上）

5 7 10

1

2 3

5 7 10

2

CRSS

3总胆固醇= 25°C

2 F = 1MHz的

V

GS

= 0V

10

1

2 3 5 7 10

0

2 3 5 7 10

1

2 3 5 7 10

2

2 3

漏源电压V

DS

(V)

漏电流I

D

(A)

Feb.1999

三菱N沟道功率MOSFET

FS20SM-6

高速开关使用

栅源电压

VS.GATE CHARGE

（典型值）

20

栅极 - 源极电压V

GS

(V)

源电流我

S

(A)

源极 - 漏极二极管

正向特性

（典型值）

40

V

GS

= 0V

脉冲测试

25°C

24

75°C

TCH = 25°C

I

D

= 20A

16

V

DS

= 50V

100V

200V

8

T

C

= 125°C

32

12

16

4

8

0

20

40

60

80

100

0

0.8

1.6

2.4

3.2

4.0

栅极电荷q

g

（ NC ）

源极 - 漏极电压V

SD

(V)

漏源通态电阻R

DS （ ON）

(25°C)

漏源通态电阻R

DS （ ON）

（T ° C）

通态电阻VS.

通道温度

（典型值）

10

1

7

5

3

2

10

0

7

5

3

2

10

–1

–50

0

50

100

150

5.0

门极 - 源

电压V

GS （ TH）

(V)

阈值电压 -

通道温度

（典型值）

V

DS

= 10V

I

D

= 1毫安

4.0

V

GS

= 10V

I

D

= 1/2I

D

脉冲测试

3.0

2.0

1.0

0

–50

0

50

100

150

沟道温度Tch （ ° C）

漏源击穿电压V

（ BR ） DSS

(25°C)

瞬态热阻抗Z

日（ CH - C ）

（ ° C / W）

漏源击穿电压V

（ BR ） DSS

（T ° C）

击穿电压VS.

通道温度

（典型值）

1.4

V

GS

= 0V

I

D

= 1毫安

1.2

瞬态热阻抗

特征

10

1

7

5

3

2

10

0

D=1

7

5 0.5

3 0.2

2

0.1

10

–1

7

5

3

2

1.0

0.8

P

DM

tw

0.6

0.05

0.02

0.01

T

D = TW

T

0.4

–50

0

50

100

150

单脉冲

10

–2

–4

2 3 5710

–3

2 3 5710

–2

2 3 5710

–1

2 3 5710

0

2 3 5710

1

2 3 5710

2

10

脉冲宽度t

w

(s)

Feb.1999

沟道温度Tch （ ° C）

三菱N沟道功率MOSFET

FS20SM-6

高速开关使用

FS20SM-6

外形绘图

15.9MAX.

尺寸（mm）

4.5

1.5

r

2

4

20.0

φ

3.2

5.0

1.0

q

5.45

w

e

5.45

19.5MIN.

4.4

0.6

2.8

4

wr

q

门

w

漏

e

来源

r

漏

e

q

V

DSS ................................................. ...............................

300V

r

DS （ ON）（ MAX ） ........................................... ...................

0.26

I

D ..........................................................................................

20A

TO-3P

应用

开关电源， DC-DC转换器，电池充电器，电源

供应打印机，复印机，硬盘，软驱，电视，录像机， per-

SONAL电脑等。

最大额定值

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

I

DM

P

D

T

ch

T

英镑

—

（ TC = 25 ° C）

参数

漏源电压

栅源电压

漏电流

漏电流（脉冲）

最大功率耗散

通道温度

储存温度

重量

V

GS

= 0V

V

DS

= 0V

条件

评级

300

±30

20

60

150

–55 ~ +150

4.8

单位

V

A

W

°C

g

Feb.1999

典型的价值

三菱N沟道功率MOSFET

FS20SM-6

高速开关使用

电气特性

符号

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） GSS

I

GSS

I

DSS

V

GS （ TH）

r

DS （ ON）

V

DS （ ON）

y

fs

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

SD

R

TH（ CH-C ）

参数

（总胆固醇= 25 ℃）下

测试条件

I

D

= 1mA时， V

GS

= 0V

I

G

=

±100A,

V

DS

= 0V

V

GS

=

±25V,

V

DS

= 0V

V

DS

= 300V, V

GS

= 0V

I

D

= 1mA时， V

DS

= 10V

I

D

= 10A ，V

GS

= 10V

I

D

= 10A ，V

GS

= 10V

I

D

= 10A ，V

DS

= 10V

V

DS

= 25V, V

GS

= 0V ， F = 1MHz的

范围

分钟。

300

±30

—

2

—

8.5

—

典型值。

—

3

0.20

2.0

13.0

1400

280

55

25

50

150

65

1.5

—

马克斯。

—

±10

1

4

0.26

2.6

—

2.0

0.83

单位

V

A

mA

V

S

pF

ns

V

° C / W

漏源击穿电压

栅源击穿电压

栅极 - 源极漏电流

漏极 - 源极漏电流

门源阈值电压

漏源导通电阻

漏源通态电压

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

源 - 漏电压

热阻

V

DD

= 150V ，我

D

= 10A ，V

GS

= 10V ，R

根

= R

GS

= 50

I

S

= 10A ，V

GS

= 0V

Channle以案例

性能曲线

功耗降额曲线

200

功耗P

D

(W)

漏电流I

D

(A)

最大安全工作区

10

2

7

5

3

2

10

1

7

5

3

2

10

0

7

5

3

2

10

–1

tw=10s

100s

1ms

10ms

T

C

= 25°C

单脉冲

DC

160

120

80

40

0

50

100

150

200

2 3 5 7 10

1

2 3 5 7 10

2

2 3 5 7 10

3

2

漏源电压V

DS

(V)

输出特性

（典型值）

V

GS

=20V

10V

6V P

D

= 150W

5.5V

案例温度T

C

(°C)

输出特性

（典型值）

P

D

= 150W

V

DS

= 20V

10V

漏电流I

D

(A)

50

20

T

C

= 25°C

脉冲测试

40

漏电流I

D

(A)

7V

16

30

6V

20

5V

10

4V

0

10

20

30

40

50

12

5V

8

4.5V

4

T

C

= 25°C

脉冲测试

0

4

8

12

16

20

漏源电压V

DS

(V)

漏源电压V

DS

(V)

Feb.1999

三菱N沟道功率MOSFET

FS20SM-6

高速开关使用

导通电压VS.

栅源电压

（典型值）

20

0.5

T

C

= 25°C

脉冲测试

16

通态电阻VS.

漏电流

（典型值）

T

C

= 25°C

脉冲测试

0.4

漏极 - 源极导通状态

电压V

DS （ ON）

(V)

漏极 - 源极导通状态

电阻R

DS （ ON）

()

12

I

D

= 40A

8

20A

10A

0

4

8

12

16

20

0.3

V

GS

= 10V

20V

0.2

4

0.1

0

10

–1

2 3 5 7 10

0

2 3 5 7 10

1

2 3 5 7 10

2

漏电流I

D

(A)

栅极 - 源极电压V

GS

(V)

传输特性

（典型值）

40

T

C

= 25°C

V

DS

= 50V

脉冲测试

10

2

7

5

正向转移导纳

VS.DRAIN CURRENT

（典型值）

V

DS

= 10V

脉冲测试

漏电流I

D

(A)

正向传递

导纳

y

fs

(S)

32

24

3

2

10

1

7

5

3

2

10

0 0

10

2 3

5 7 10

1

T

C

= 25°C

16

75°C

125°C

2 3

5 7 10

2

8

0

4

8

12

16

20

栅极 - 源极电压V

GS

(V)

漏电流I

D

(A)

电容与

漏源电压

（典型值）

5

3

2

西塞

10

3

7

5

开关特性

（典型值）

TCH = 25°C

V

DD

= 150V

V

GS

= 10V

R

根

= R

GS

= 50

t

D（关闭）

10

3

7

5

3

2

10

2

7

5

科斯

切换时间（纳秒）

电容

西塞，科斯，的Crss （PF ）

3

2

10

2

7

5

3

2

10

1

10

0

2 3

t

f

t

r

t

D（上）

5 7 10

1

2 3

5 7 10

2

CRSS

3总胆固醇= 25°C

2 F = 1MHz的

V

GS

= 0V

10

1

2 3 5 7 10

0

2 3 5 7 10

1

2 3 5 7 10

2

2 3

漏源电压V

DS

(V)

漏电流I

D

(A)

Feb.1999

三菱N沟道功率MOSFET

FS20SM-6

高速开关使用

栅源电压

VS.GATE CHARGE

（典型值）

20

栅极 - 源极电压V

GS

(V)

源电流我

S

(A)

源极 - 漏极二极管

正向特性

（典型值）

40

V

GS

= 0V

脉冲测试

25°C

24

75°C

TCH = 25°C

I

D

= 20A

16

V

DS

= 50V

100V

200V

8

T

C

= 125°C

32

12

16

4

8

0

20

40

60

80

100

0

0.8

1.6

2.4

3.2

4.0

栅极电荷q

g

（ NC ）

源极 - 漏极电压V

SD

(V)

漏源通态电阻R

DS （ ON）

(25°C)

漏源通态电阻R

DS （ ON）

（T ° C）

通态电阻VS.

通道温度

（典型值）

10

1

7

5

3

2

10

0

7

5

3

2

10

–1

–50

0

50

100

150

5.0

门极 - 源

电压V

GS （ TH）

(V)

阈值电压 -

通道温度

（典型值）

V

DS

= 10V

I

D

= 1毫安

4.0

V

GS

= 10V

I

D

= 1/2I

D

脉冲测试

3.0

2.0

1.0

0

–50

0

50

100

150

沟道温度Tch （ ° C）

漏源击穿电压V

（ BR ） DSS

(25°C)

瞬态热阻抗Z

日（ CH - C ）

（ ° C / W）

漏源击穿电压V

（ BR ） DSS

（T ° C）

击穿电压VS.

通道温度

（典型值）

1.4

V

GS

= 0V

I

D

= 1毫安

1.2

瞬态热阻抗

特征

10

1

7

5

3

2

10

0

D=1

7

5 0.5

3 0.2

2

0.1

10

–1

7

5

3

2

1.0

0.8

P

DM

tw

0.6

0.05

0.02

0.01

T

D = TW

T

0.4

–50

0

50

100

150

单脉冲

10

–2

–4

2 3 5710

–3

2 3 5710

–2

2 3 5710

–1

2 3 5710

0

2 3 5710

1

2 3 5710

2

10

脉冲宽度t

w

(s)

Feb.1999

沟道温度Tch （ ° C）

三菱N沟道功率MOSFET

FS20SM-6

高速开关使用

FS20SM-6

外形绘图

15.9MAX.

尺寸（mm）

4.5

1.5

r

2

4

20.0

φ

3.2

5.0

1.0

q

5.45

w

e

5.45

19.5MIN.

4.4

0.6

2.8

4

wr

q

门

w

漏

e

来源

r

漏

e

q

V

DSS ................................................. ...............................

300V

r

DS （ ON）（ MAX ） ........................................... ...................

0.26

I

D ..........................................................................................

20A

TO-3P

应用

开关电源， DC-DC转换器，电池充电器，电源

供应打印机，复印机，硬盘，软驱，电视，录像机， per-

SONAL电脑等。

最大额定值

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

I

DM

P

D

T

ch

T

英镑

—

（ TC = 25 ° C）

参数

漏源电压

栅源电压

漏电流

漏电流（脉冲）

最大功率耗散

通道温度

储存温度

重量

V

GS

= 0V

V

DS

= 0V

条件

评级

300

±30

20

60

150

–55 ~ +150

4.8

单位

V

A

W

°C

g

Feb.1999

典型的价值

三菱N沟道功率MOSFET

FS20SM-6

高速开关使用

电气特性

符号

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） GSS

I

GSS

I

DSS

V

GS （ TH）

r

DS （ ON）

V

DS （ ON）

y

fs

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

SD

R

TH（ CH-C ）

参数

（总胆固醇= 25 ℃）下

测试条件

I

D

= 1mA时， V

GS

= 0V

I

G

=

±100A,

V

DS

= 0V

V

GS

=

±25V,

V

DS

= 0V

V

DS

= 300V, V

GS

= 0V

I

D

= 1mA时， V

DS

= 10V

I

D

= 10A ，V

GS

= 10V

I

D

= 10A ，V

GS

= 10V

I

D

= 10A ，V

DS

= 10V

V

DS

= 25V, V

GS

= 0V ， F = 1MHz的

范围

分钟。

300

±30

—

2

—

8.5

—

典型值。

—

3

0.20

2.0

13.0

1400

280

55

25

50

150

65

1.5

—

马克斯。

—

±10

1

4

0.26

2.6

—

2.0

0.83

单位

V

A

mA

V

S

pF

ns

V

° C / W

漏源击穿电压

栅源击穿电压

栅极 - 源极漏电流

漏极 - 源极漏电流

门源阈值电压

漏源导通电阻

漏源通态电压

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

源 - 漏电压

热阻

V

DD

= 150V ，我

D

= 10A ，V

GS

= 10V ，R

根

= R

GS

= 50

I

S

= 10A ，V

GS

= 0V

Channle以案例

性能曲线

功耗降额曲线

200

功耗P

D

(W)

漏电流I

D

(A)

最大安全工作区

10

2

7

5

3

2

10

1

7

5

3

2

10

0

7

5

3

2

10

–1

tw=10s

100s

1ms

10ms

T

C

= 25°C

单脉冲

DC

160

120

80

40

0

50

100

150

200

2 3 5 7 10

1

2 3 5 7 10

2

2 3 5 7 10

3

2

漏源电压V

DS

(V)

输出特性

（典型值）

V

GS

=20V

10V

6V P

D

= 150W

5.5V

案例温度T

C

(°C)

输出特性

（典型值）

P

D

= 150W

V

DS

= 20V

10V

漏电流I

D

(A)

50

20

T

C

= 25°C

脉冲测试

40

漏电流I

D

(A)

7V

16

30

6V

20

5V

10

4V

0

10

20

30

40

50

12

5V

8

4.5V

4

T

C

= 25°C

脉冲测试

0

4

8

12

16

20

漏源电压V

DS

(V)

漏源电压V

DS

(V)

Feb.1999

三菱N沟道功率MOSFET

FS20SM-6

高速开关使用

导通电压VS.

栅源电压

（典型值）

20

0.5

T

C

= 25°C

脉冲测试

16

通态电阻VS.

漏电流

（典型值）

T

C

= 25°C

脉冲测试

0.4

漏极 - 源极导通状态

电压V

DS （ ON）

(V)

漏极 - 源极导通状态

电阻R

DS （ ON）

()

12

I

D

= 40A

8

20A

10A

0

4

8

12

16

20

0.3

V

GS

= 10V

20V

0.2

4

0.1

0

10

–1

2 3 5 7 10

0

2 3 5 7 10

1

2 3 5 7 10

2

漏电流I

D

(A)

栅极 - 源极电压V

GS

(V)

传输特性

（典型值）

40

T

C

= 25°C

V

DS

= 50V

脉冲测试

10

2

7

5

正向转移导纳

VS.DRAIN CURRENT

（典型值）

V

DS

= 10V

脉冲测试

漏电流I

D

(A)

正向传递

导纳

y

fs

(S)

32

24

3

2

10

1

7

5

3

2

10

0 0

10

2 3

5 7 10

1

T

C

= 25°C

16

75°C

125°C

2 3

5 7 10

2

8

0

4

8

12

16

20

栅极 - 源极电压V

GS

(V)

漏电流I

D

(A)

电容与

漏源电压

（典型值）

5

3

2

西塞

10

3

7

5

开关特性

（典型值）

TCH = 25°C

V

DD

= 150V

V

GS

= 10V

R

根

= R

GS

= 50

t

D（关闭）

10

3

7

5

3

2

10

2

7

5

科斯

切换时间（纳秒）

电容

西塞，科斯，的Crss （PF ）

3

2

10

2

7

5

3

2

10

1

10

0

2 3

t

f

t

r

t

D（上）

5 7 10

1

2 3

5 7 10

2

CRSS

3总胆固醇= 25°C

2 F = 1MHz的

V

GS

= 0V

10

1

2 3 5 7 10

0

2 3 5 7 10

1

2 3 5 7 10

2

2 3

漏源电压V

DS

(V)

漏电流I

D

(A)

Feb.1999

三菱N沟道功率MOSFET

FS20SM-6

高速开关使用

栅源电压

VS.GATE CHARGE

（典型值）

20

栅极 - 源极电压V

GS

(V)

源电流我

S

(A)

源极 - 漏极二极管

正向特性

（典型值）

40

V

GS

= 0V

脉冲测试

25°C

24

75°C

TCH = 25°C

I

D

= 20A

16

V

DS

= 50V

100V

200V

8

T

C

= 125°C

32

12

16

4

8

0

20

40

60

80

100

0

0.8

1.6

2.4

3.2

4.0

栅极电荷q

g

（ NC ）

源极 - 漏极电压V

SD

(V)

漏源通态电阻R

DS （ ON）

(25°C)

漏源通态电阻R

DS （ ON）

（T ° C）

通态电阻VS.

通道温度

（典型值）

10

1

7

5

3

2

10

0

7

5

3

2

10

–1

–50

0

50

100

150

5.0

门极 - 源

电压V

GS （ TH）

(V)

阈值电压 -

通道温度

（典型值）

V

DS

= 10V

I

D

= 1毫安

4.0

V

GS

= 10V

I

D

= 1/2I

D

脉冲测试

3.0

2.0

1.0

0

–50

0

50

100

150

沟道温度Tch （ ° C）

漏源击穿电压V

（ BR ） DSS

(25°C)

瞬态热阻抗Z

日（ CH - C ）

（ ° C / W）

漏源击穿电压V

（ BR ） DSS

（T ° C）

击穿电压VS.

通道温度

（典型值）

1.4

V

GS

= 0V

I

D

= 1毫安

1.2

瞬态热阻抗

特征

10

1

7

5

3

2

10

0

D=1

7

5 0.5

3 0.2

2

0.1

10

–1

7

5

3

2

1.0

0.8

P

DM

tw

0.6

0.05

0.02

0.01

T

D = TW

T

0.4

–50

0

50

100

150

单脉冲

10

–2

–4

2 3 5710

–3

2 3 5710

–2

2 3 5710

–1

2 3 5710

0

2 3 5710

1

2 3 5710

2

10

脉冲宽度t

w

(s)

Feb.1999

沟道温度Tch （ ° C）