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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符F型号页 > 首字符F的型号第371页 > FS1UM-18A
三菱N沟道功率MOSFET
FS1UM-18A
高速开关使用
FS1UM-18A
外形绘图
10.5MAX.
r
3.2
7.0
尺寸（mm）
4.5
1.3
16
φ
3.6
3.8MAX.
1.0
12.5MIN.
0.8
2.54
2.54
4.5MAX.
0.5
2.6
Q宽E
wr
q
门
w
漏
e
来源
r
漏
e
q
V
DSS ................................................. ...............................
900V
r
DS （ ON） （ MAX ） ........................................... ...................
15.0
I
D ............................................................................................
1A
TO-220
应用
开关电源， DC-DC转换器，电池充电器，电源
供应打印机，复印机，硬盘，软驱，电视，录像机， per-
SONAL电脑等。
最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
P
D
T
ch
T
英镑
—
（ TC = 25 ° C）
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
漏电流（脉冲）
最大功率耗散
通道温度
储存温度
重量
V
GS
= 0V
V
DS
= 0V
条件
评级
900
±30
1
3
65
–55 ~ +150
–55 ~ +150
2
单位
V
V
A
A
W
°C
°C
g
Feb.1999
典型的价值
三菱N沟道功率MOSFET
FS1UM-18A
高速开关使用
电气特性
符号
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） GSS
I
GSS
I
DSS
V
GS （ TH）
r
DS （ ON）
V
DS （ ON）
y
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
R
TH（ CH-C ）
参数
（总胆固醇= 25 ℃）下
测试条件
I
D
= 1mA时， V
GS
= 0V
I
GS
=
±100A,
V
DS
= 0V
V
GS
=
±25V,
V
DS
= 0V
V
DS
= 900V, V
GS
= 0V
I
D
= 1mA时， V
DS
= 10V
I
D
= 0.5A ，V
GS
= 10V
I
D
= 0.5A ，V
GS
= 10V
I
D
= 0.5A ，V
DS
= 10V
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
范围
分钟。
900
±30
—
—
2
—
—
0.6
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值。
—
—
—
—
3
11.5
5.75
1.0
270
26
4
9
12
35
30
1.0
—
马克斯。
—
—
±10
1
4
15.0
7.50
—
—
—
—
—
—
—
—
1.5
1.92
单位
V
V
A
mA
V
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
° C / W
漏源击穿电压
栅源击穿电压
栅极 - 源极漏电流
漏极 - 源极漏电流
门源阈值电压
漏源导通电阻
漏源通态电压
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源 - 漏电压
热阻
V
DD
= 200V ，我
D
= 0.5A ，V
GS
= 10V,
R
根
= R
GS
= 50
I
S
= 0.5A ，V
GS
= 0V
渠道情况
性能曲线
功耗降额曲线
100
功耗P
D
(W)
漏电流I
D
(A)
最大安全工作区
10
1
7
5
3
2
10
0
7
5
3
2
10
–1
7
5
3
2
TW = 100毫秒
1ms
10ms
100ms
DC
T
C
= 25°C
单脉冲
80
60
40
20
0
0
50
100
150
200
10
–2 0
10 2 3 5 7 10
1
2 3 5 7 10
2
2 3 5 7 10
3
漏源电压V
DS
(V)
输出特性
（典型值）
V
GE
= 20V 10V
@
5V
T
C
= 25°C
脉冲测试
案例温度T
C
(°C)
输出特性
（典型值）
2.0
T
C
= 25°C
脉冲测试
V
GE
= 20V
10V
P
D
= 65W
1.0
漏电流I
D
(A)
1.6
5V
漏电流I
D
(A)
0.8
1.2
0.6
4.5V
0.8
4.5V
0.4
0.4
4V
0.2
4V
0
0
10
20
30
40
50
0
0
4
8
12
16
20
漏源电压V
DS
(V)
漏源电压V
DS
(V)
Feb.1999
三菱N沟道功率MOSFET
FS1UM-18A
高速开关使用
导通电压VS.
栅源电压
（典型值）
50
漏极 - 源极导通状态
电压V
DS （ ON）
(V)
T
C
= 25°C
脉冲测试
通态电阻VS.
漏电流
（典型值）
20
漏极 - 源极导通状态
电阻R
DS （ ON）
()
T
C
= 25°C
脉冲测试
V
GS
= 10V
20V
40
I
D
= 2A
16
30
12
20
1A
8
10
0.5A
4
0
10
–2
2 3 5 710
–1
2 3 5 7 10
0
2 3 5 7 10
1
漏电流I
D
(A)
0
0
4
8
12
16
20
栅极 - 源极电压V
GS
(V)
传输特性
（典型值）
2.0
T
C
= 25°C
V
DS
= 50V
脉冲测试
正向转移导纳
VS.DRAIN CURRENT
（典型值）
10
1
7
5
正向传递
导纳
y
fs
(S)
V
DS
= 10V
脉冲测试
漏电流I
D
(A)
1.6
3
2
10
0
7
5
3
2
125°C
T
C
= 25°C
75°C
1.2
0.8
0.4
0
0
4
8
12
16
20
10
–1 –1
10
2 3
5 7 10
0
2 3
5 7 10
1
栅极 - 源极电压V
GS
(V)
漏电流I
D
(A)
电容与
漏源电压
（典型值）
10
3
7
5
3
2
10
2
7
5
3
2
10
1
7
5
TCH = 25°C
3
2
F = 1MH
Z
V
GS
= 0V
开关特性
（典型值）
3
2
西塞
TCH = 25°C
V
DD
= 200V
V
GS
= 10V
R
根
= R
GS
= 50
切换时间（纳秒）
电容
西塞，科斯，的Crss （PF ）
10
2
7
5
3
2
10
1
7
5
3
10
–1
2 3
5 7 10
0
t
f
t
D（关闭）
科斯
t
r
t
D（上）
CRSS
10
0
2 3 5 7 10
0
2 3 5 7 10
1
2 3 5 7 10
2
2
漏源电压V
DS
(V)
2 3
5 7 10
1
漏电流I
D
(A)
Feb.1999
三菱N沟道功率MOSFET
FS1UM-18A
高速开关使用
栅源电压
VS.GATE CHARGE
（典型值）
栅极 - 源极电压V
GS
(V)
源极 - 漏极二极管
正向特性
（典型值）
5
源电流我
S
(A)
V
GS
= 0V
脉冲测试
20
TCH = 25°C
I
D
= 1A
16
4
12
V
DS
= 250V
400V
600V
3
8
2
T
C
= 125°C
75°C
4
1
25°C
0
0
4
8
12
16
20
0
0
0.8
1.6
2.4
3.2
4.0
栅极电荷q
g
（ NC ）
源极 - 漏极电压V
SD
(V)
漏源通态电阻R
DS （ ON）
(25°C)
漏源通态电阻R
DS （ ON）
（T ° C）
通态电阻VS.
通道温度
（典型值）
10
1
7
5
3
2
10
0
7
5
3
2
10
–1
–50
0
50
100
150
V
GS
= 10V
I
D
= 1/2I
D
脉冲测试
阈值电压 -
通道温度
（典型值）
5.0
门极 - 源
电压V
GS （ TH）
(V)
V
DS
= 10V
I
D
= 1毫安
4.0
3.0
2.0
1.0
0
–50
0
50
100
150
沟道温度Tch （ ° C）
沟道温度Tch （ ° C）
漏源击穿电压V
（ BR ） DSS
(25°C)
瞬态热阻抗Z
日（ CH - C ）
（ ° C / W）
漏源击穿电压V
（ BR ） DSS
（T ° C）
击穿电压VS.
通道温度
（典型值）
1.4
V
GS
= 0V
I
D
= 1毫安
瞬态热阻抗
特征
10
1
7
5
3
D = 1.0
2
10
0
7
0.2
5
0.1
3
2
10
–1
7
5
3
2
0.5
1.2
1.0
0.8
P
DM
0.05
0.02
0.01
单脉冲
tw
T
D
=
tw
T
0.6
0.4
–50
0
50
100
150
10
–2 –4
10 2 3 5710
–3
2 3 5710
–2
2 3 5710
–1
2 3 5710
0
2 3 5710
1
2 3 5710
2
脉冲宽度t
w
(s)
Feb.1999
沟道温度Tch （ ° C）
三菱N沟道功率MOSFET
FS1UM-18A
高速开关使用
FS1UM-18A
外形绘图
10.5MAX.
r
3.2
7.0
尺寸（mm）
4.5
1.3
16
φ
3.6
3.8MAX.
1.0
12.5MIN.
0.8
2.54
2.54
4.5MAX.
0.5
2.6
Q宽E
wr
q
门
w
漏
e
来源
r
漏
e
q
V
DSS ................................................. ...............................
900V
r
DS （ ON） （ MAX ） ........................................... ...................
15.0
I
D ............................................................................................
1A
TO-220
应用
开关电源， DC-DC转换器，电池充电器，电源
供应打印机，复印机，硬盘，软驱，电视，录像机， per-
SONAL电脑等。
最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
P
D
T
ch
T
英镑
—
（ TC = 25 ° C）
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
漏电流（脉冲）
最大功率耗散
通道温度
储存温度
重量
V
GS
= 0V
V
DS
= 0V
条件
评级
900
±30
1
3
65
–55 ~ +150
–55 ~ +150
2
单位
V
V
A
A
W
°C
°C
g
Feb.1999
典型的价值
三菱N沟道功率MOSFET
FS1UM-18A
高速开关使用
电气特性
符号
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） GSS
I
GSS
I
DSS
V
GS （ TH）
r
DS （ ON）
V
DS （ ON）
y
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
R
TH（ CH-C ）
参数
（总胆固醇= 25 ℃）下
测试条件
I
D
= 1mA时， V
GS
= 0V
I
GS
=
±100A,
V
DS
= 0V
V
GS
=
±25V,
V
DS
= 0V
V
DS
= 900V, V
GS
= 0V
I
D
= 1mA时， V
DS
= 10V
I
D
= 0.5A ，V
GS
= 10V
I
D
= 0.5A ，V
GS
= 10V
I
D
= 0.5A ，V
DS
= 10V
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
范围
分钟。
900
±30
—
—
2
—
—
0.6
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值。
—
—
—
—
3
11.5
5.75
1.0
270
26
4
9
12
35
30
1.0
—
马克斯。
—
—
±10
1
4
15.0
7.50
—
—
—
—
—
—
—
—
1.5
1.92
单位
V
V
A
mA
V
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
° C / W
漏源击穿电压
栅源击穿电压
栅极 - 源极漏电流
漏极 - 源极漏电流
门源阈值电压
漏源导通电阻
漏源通态电压
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源 - 漏电压
热阻
V
DD
= 200V ，我
D
= 0.5A ，V
GS
= 10V,
R
根
= R
GS
= 50
I
S
= 0.5A ，V
GS
= 0V
渠道情况
性能曲线
功耗降额曲线
100
功耗P
D
(W)
漏电流I
D
(A)
最大安全工作区
10
1
7
5
3
2
10
0
7
5
3
2
10
–1
7
5
3
2
TW = 100毫秒
1ms
10ms
100ms
DC
T
C
= 25°C
单脉冲
80
60
40
20
0
0
50
100
150
200
10
–2 0
10 2 3 5 7 10
1
2 3 5 7 10
2
2 3 5 7 10
3
漏源电压V
DS
(V)
输出特性
（典型值）
V
GE
= 20V 10V
@
5V
T
C
= 25°C
脉冲测试
案例温度T
C
(°C)
输出特性
（典型值）
2.0
T
C
= 25°C
脉冲测试
V
GE
= 20V
10V
P
D
= 65W
1.0
漏电流I
D
(A)
1.6
5V
漏电流I
D
(A)
0.8
1.2
0.6
4.5V
0.8
4.5V
0.4
0.4
4V
0.2
4V
0
0
10
20
30
40
50
0
0
4
8
12
16
20
漏源电压V
DS
(V)
漏源电压V
DS
(V)
Feb.1999
三菱N沟道功率MOSFET
FS1UM-18A
高速开关使用
导通电压VS.
栅源电压
（典型值）
50
漏极 - 源极导通状态
电压V
DS （ ON）
(V)
T
C
= 25°C
脉冲测试
通态电阻VS.
漏电流
（典型值）
20
漏极 - 源极导通状态
电阻R
DS （ ON）
()
T
C
= 25°C
脉冲测试
V
GS
= 10V
20V
40
I
D
= 2A
16
30
12
20
1A
8
10
0.5A
4
0
10
–2
2 3 5 710
–1
2 3 5 7 10
0
2 3 5 7 10
1
漏电流I
D
(A)
0
0
4
8
12
16
20
栅极 - 源极电压V
GS
(V)
传输特性
（典型值）
2.0
T
C
= 25°C
V
DS
= 50V
脉冲测试
正向转移导纳
VS.DRAIN CURRENT
（典型值）
10
1
7
5
正向传递
导纳
y
fs
(S)
V
DS
= 10V
脉冲测试
漏电流I
D
(A)
1.6
3
2
10
0
7
5
3
2
125°C
T
C
= 25°C
75°C
1.2
0.8
0.4
0
0
4
8
12
16
20
10
–1 –1
10
2 3
5 7 10
0
2 3
5 7 10
1
栅极 - 源极电压V
GS
(V)
漏电流I
D
(A)
电容与
漏源电压
（典型值）
10
3
7
5
3
2
10
2
7
5
3
2
10
1
7
5
TCH = 25°C
3
2
F = 1MH
Z
V
GS
= 0V
开关特性
（典型值）
3
2
西塞
TCH = 25°C
V
DD
= 200V
V
GS
= 10V
R
根
= R
GS
= 50
切换时间（纳秒）
电容
西塞，科斯，的Crss （PF ）
10
2
7
5
3
2
10
1
7
5
3
10
–1
2 3
5 7 10
0
t
f
t
D（关闭）
科斯
t
r
t
D（上）
CRSS
10
0
2 3 5 7 10
0
2 3 5 7 10
1
2 3 5 7 10
2
2
漏源电压V
DS
(V)
2 3
5 7 10
1
漏电流I
D
(A)
Feb.1999
三菱N沟道功率MOSFET
FS1UM-18A
高速开关使用
栅源电压
VS.GATE CHARGE
（典型值）
栅极 - 源极电压V
GS
(V)
源极 - 漏极二极管
正向特性
（典型值）
5
源电流我
S
(A)
V
GS
= 0V
脉冲测试
20
TCH = 25°C
I
D
= 1A
16
4
12
V
DS
= 250V
400V
600V
3
8
2
T
C
= 125°C
75°C
4
1
25°C
0
0
4
8
12
16
20
0
0
0.8
1.6
2.4
3.2
4.0
栅极电荷q
g
（ NC ）
源极 - 漏极电压V
SD
(V)
漏源通态电阻R
DS （ ON）
(25°C)
漏源通态电阻R
DS （ ON）
（T ° C）
通态电阻VS.
通道温度
（典型值）
10
1
7
5
3
2
10
0
7
5
3
2
10
–1
–50
0
50
100
150
V
GS
= 10V
I
D
= 1/2I
D
脉冲测试
阈值电压 -
通道温度
（典型值）
5.0
门极 - 源
电压V
GS （ TH）
(V)
V
DS
= 10V
I
D
= 1毫安
4.0
3.0
2.0
1.0
0
–50
0
50
100
150
沟道温度Tch （ ° C）
沟道温度Tch （ ° C）
漏源击穿电压V
（ BR ） DSS
(25°C)
瞬态热阻抗Z
日（ CH - C ）
（ ° C / W）
漏源击穿电压V
（ BR ） DSS
（T ° C）
击穿电压VS.
通道温度
（典型值）
1.4
V
GS
= 0V
I
D
= 1毫安
瞬态热阻抗
特征
10
1
7
5
3
D = 1.0
2
10
0
7
0.2
5
0.1
3
2
10
–1
7
5
3
2
0.5
1.2
1.0
0.8
P
DM
0.05
0.02
0.01
单脉冲
tw
T
D
=
tw
T
0.6
0.4
–50
0
50
100
150
10
–2 –4
10 2 3 5710
–3
2 3 5710
–2
2 3 5710
–1
2 3 5710
0
2 3 5710
1
2 3 5710
2
脉冲宽度t
w
(s)
Feb.1999
沟道温度Tch （ ° C）
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