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三菱N沟道功率MOSFET
.
ATION
NGE 。
pecific要查
INAL SE主题
af
不限制AR
otice :参
N
一些
P
AR
IMIN
REL
Y
FS16UMA-5A
高速开关使用
FS16UMA-5A
外形绘图
10.5MAX.
尺寸(mm)
4.5
3.2
7.0
1.3
16
φ
3.6
3.8MAX.
1.0
12.5MIN.
0.8
2.54
2.54
4.5MAX.
0.5
2.6
来源
q
10V驱动器
q
V
DSS ................................................. ..............................
250V
q
r
DS ( ON) ( MAX ) ........................................... ..................
0.25
q
I
D .........................................................................................
16A
TO-220
应用
C
S
开关CRT显示器
最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
I
DA
P
D
T
ch
T
英镑
( TC = 25 ° C)
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
漏电流(脉冲)
雪崩漏电流(脉冲)
最大功率耗散
通道温度
储存温度
重量
V
GS
= 0V
V
DS
= 0V
条件
评级
250
±20
16
48
16
80
–55 ~ +150
–55 ~ +150
2.0
单位
V
V
A
A
A
W
°C
°C
g
Sep.1998
L = 200μH
典型的价值
三菱N沟道功率MOSFET
.
ATION
NGE 。
pecific要查
INAL SE主题
af
不限制AR
otice :参
N
一些
P
AR
IMIN
REL
Y
FS16UMA-5A
高速开关使用
电气特性
符号
V
( BR ) DSS
I
GSS
I
DSS
V
GS ( TH)
r
DS ( ON)
V
DS ( ON)
y
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
SD
R
TH( CH-C )
参数
漏源击穿电压
(总胆固醇= 25 ℃)下
测试条件
I
D
= 1mA时, V
GS
= 0V
V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V
V
DS
= 250V, V
GS
= 0V
I
D
= 1mA时, V
DS
= 10V
I
D
= 8A ,V
GS
= 10V
I
D
= 8A ,V
GS
= 10V
I
D
= 8A ,V
DS
= 10V
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V , F = 1MHz的
范围
分钟。
250
2.0
典型值。
3.0
0.19
1.52
16.0
1850
180
50
30
50
320
70
0.95
马克斯。
±10
1
4.0
0.25
2.00
1.56
单位
V
A
mA
V
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
° C / W
栅极 - 源极漏电流
漏极 - 源极漏电流
门源阈值电压
漏源导通电阻
漏源通态电压
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源 - 漏电压
热阻
V
DD
= 150V ,我
D
= 8A ,V
GS
= 10V ,R
= R
GS
= 50
I
S
= 8A ,V
GS
= 0V
渠道情况
Sep.1998
我们所有的客户
关于文件中提到的名字,如三菱的变化
电气和三菱XX ,瑞萨科技公司
日立和三菱电机的半导体业务转移到瑞萨
科技公司4月1日2003年这些操作包括微机,逻辑,模拟
和分立器件和存储器芯片比DRAM (闪速存储器,静态存储器等)等
因此,虽然三菱电机,三菱电机株式会社,三菱
半导体及其他三菱品牌名称提到的文件中,这些名称
已在事实上,所有被更改为瑞萨科技公司感谢您的理解。
除了我们的企业商标,标识和公司声明,没有改变任何已经
到文档中的内容作出,而这些变化不构成任何改动的
文件本身的内容。
注:三菱电机将继续高频&光学器件的业务运营
与功率器件。
瑞萨科技公司
客户服务部
2003年4月1日
三菱N沟道功率MOSFET
三菱N沟道功率MOSFET
FS16UMA-5A
FS16UMA-5A
高速开关使用
高速开关使用
FS16UMA-5A
外形绘图
10.5MAX.
尺寸(mm)
4.5
3.2
7.0
1.3
16
φ
3.6
3.8MAX.
1.0
12.5MIN.
0.8
2.54
2.54
4.5MAX.
0.5
2.6
来源
G
10V驱动器
G
V
DSS ................................................. ..............................
250V
G
r
DS ( ON) ( MAX ) ........................................... ...................
0.25
G
I
D .........................................................................................
16A
TO-220
应用
CRT显示器,开关电源,等等。
最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
I
DA
P
D
T
ch
T
英镑
( TC = 25 ° C)
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
漏电流(脉冲)
雪崩电流(脉冲)
最大功率耗散
通道温度
储存温度
重量
V
GS
= 0V
V
DS
= 0V
条件
评级
250
±20
16
48
16
110
–55 ~ +150
–55 ~ +150
2.0
单位
V
V
A
A
A
W
°C
°C
g
2001年9月
L = 200μH
典型的价值
三菱N沟道功率MOSFET
FS16UMA-5A
高速开关使用
电气特性
(总胆固醇= 25 ℃)下
符号
V
( BR ) DSS
I
GSS
I
DSS
V
GS ( TH)
r
DS ( ON)
V
DS ( ON)
y
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
SD
R
TH( CH-C )
参数
漏源击穿电压
栅极 - 源极漏电流
漏极 - 源极漏电流
门源阈值电压
漏源导通电阻
漏源通态电压
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源 - 漏电压
热阻
I
D
= 1mA时, V
GS
= 0V
V
GS
=
±20V,
V
DS
= 0V
V
DS
= 250V, V
GS
= 0V
I
D
= 1mA时, V
DS
= 10V
I
D
= 8A ,V
GS
= 10V
I
D
= 8A ,V
GS
= 10V
I
D
= 8A ,V
DS
= 10V
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V , F = 1MHz的
测试条件
范围
分钟。
250
2.0
典型值。
3.0
0.19
1.52
16.0
1850
180
50
30
50
320
70
1.5
马克斯。
±0.1
1
4.0
0.25
2.00
2.0
1.14
单位
V
A
mA
V
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
° C / W
V
DD
= 150V ,我
D
= 8A ,V
GS
= 10V ,R
= R
GS
= 50
I
S
= 8A ,V
GS
= 0V
渠道情况
性能曲线
功耗降额曲线
200
功耗P
D
(W)
漏电流I
D
(A)
最大安全工作区
7
5
3
2
160
TW =
10s
100s
10
1
7
5
3
2
120
1ms
10ms
T
C
= 25°C
单脉冲
DC
80
10
0
7
5
3
2
40
0
10
–1
0
50
100
150
200
7
2 3 5 7
10
1
2 3 5 7
10
2
2 3 5 7
10
3
2
案例温度T
C
(°C)
漏源电压V
DS
(V)
输出特性
(典型值)
50
V
GS
= 20V,10V,8V,6V
输出特性
(典型值)
20
V
GS
=
20V,10V,8V,6V
T
C
= 25°C
脉冲测试
5V
漏电流I
D
(A)
40
漏电流I
D
(A)
T
C
= 25°C
脉冲测试
16
30
5V
12
20
8
10
P
D
= 110W
4V
4
4V
0
0
4
8
12
16
20
0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
漏源电压V
DS
(V)
漏源电压V
DS
(V)
2001年9月
三菱N沟道功率MOSFET
FS16UMA-5A
高速开关使用
导通电压VS.
栅源电压
(典型值)
20
漏极 - 源极导通状态
电压V
DS ( ON)
(V)
T
C
= 25°C
脉冲测试
通态电阻VS.
漏电流
(典型值)
0.5
漏极 - 源极导通状态
电阻R
DS ( ON)
()
T
C
= 25°C
脉冲测试
16
0.4
12
0.3
V
GS
=
10V
8
I
D
=
32A
0.2
20V
4
16A
4A
0.1
0
10
–1
2 3 5 7
10
0
2 3 5 7
10
1
2 3 5 7
10
2
漏电流I
D
(A)
0
0
4
8
12
16
20
栅极 - 源极电压V
GS
(V)
传输特性
(典型值)
50
3
2
正向转移导纳
与漏电流
(典型值)
漏电流I
D
(A)
正向传递
导纳
y
fs
(S)
40
10
1
7
5
3
2
T
C
= 25°C,75°C,125°C
30
20
10
0
7
5
3
2
V
DS
= 10V
脉冲测试
7
10
0
2
3
5 7
10
1
2
3
5 7
10
0
T
C
= 25°C
V
DS
= 10V
脉冲测试
0
4
8
12
16
20
10
–1
栅极 - 源极电压V
GS
(V)
漏电流I
D
(A)
电容与
漏源电压
(典型值)
5
3
2
西塞
5
3
开关特性
(典型值)
t
D(关闭)
10
3
7
5
3
2
10
2
7
5
3总胆固醇= 25°C
2 V
GS
= 0V
F = 1MHz的
10
1
2 3 5 7
10
0
2 3
切换时间(纳秒)
2
电容
西塞,科斯,的Crss (PF )
10
2
7
5
3
2
t
f
t
r
科斯
t
D(上)
TCH = 25°C
V
GS
= 10V
V
DD
= 150V
R
= R
GS
= 50
7
10
0
2
3
5 7
10
1
2
3
5 7
CRSS
5 7
10
1
2 3
5 7
10
2
2
10
1
7
5
漏源电压V
DS
(V)
漏电流I
D
(A)
2001年9月
三菱N沟道功率MOSFET
FS16UMA-5A
高速开关使用
栅源电压
VS.栅极电荷
(典型值)
源极 - 漏极二极管
正向特性
(典型值)
40
栅极 - 源极电压V
GS
(V)
20
16
源电流我
S
(A)
V
DS
= 50V
100V
150V
32
T
C
=
25°C
75°C
12
24
125°C
8
16
V
GS
= 0V
脉冲测试
4
T
C
H = 25℃
I
D
= 16A
8
0
0
40
80
120
160
200
0
0
0.8
1.6
2.4
3.2
4.0
栅极电荷q
g
( NC )
源极 - 漏极电压V
SD
(V)
漏源通态电阻R
DS ( ON)
(25°C)
漏源通态电阻R
DS ( ON)
(T ° C)
通态电阻VS.
通道温度
(典型值)
10
1
V
GS
= 10V
7
I
D
= 8A
5脉冲测试
3
2
阈值电压 -
通道温度
(典型值)
5.0
V
DS
= 10V
I
D
= 1毫安
门极 - 源
电压V
GS ( TH)
(V)
0
50
100
150
4.0
3.0
10
0
7
5
3
2
2.0
1.0
10
–1
–50
0
–50
0
50
100
150
沟道温度Tch ( ° C)
沟道温度Tch ( ° C)
漏源击穿电压V
( BR ) DSS
(25°C)
瞬态热阻抗Z
TH( CH -C)
( ° C / W)
漏源击穿电压V
( BR ) DSS
(T ° C)
击穿电压VS.
通道温度
(典型值)
1.4
V
GS
= 0V
I
D
= 1毫安
瞬态热阻抗
特征
10
1
7
5
3
2
1.2
D = 1.0
= 0.5
= 0.2
= 0.1
= 0.05
= 0.02
= 0.01
单脉冲
P
DM
tw
T
D
=
tw
T
10
0
7
5
3
2
1.0
0.8
10
–1
7
5
3
2
0.6
0.4
–50
0
50
100
150
10
–2 –4
10
2 3 5 7
10
–3
2 3 5 7
10
–2
2 3 5 7
10
–1
2 3 5 7
10
0
2 3 5 7
10
1
2 3 5 7
10
2
脉冲宽度t
w
(s)
沟道温度Tch ( ° C)
2001年9月
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    FS16UMA-5A
    -
    -
    -
    -
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
FS16UMA-5A
MIT
14+
56000
DIP
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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联系人:刘先生
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FS16UMA-5A
√ 欧美㊣品
▲10/11+
10211
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