FS10VS-9A
高速开关使用
N沟道功率MOS FET
REJ03G0268-0100
正在开发中
Rev.1.00
Aug.20.2004
特点
驱动电压：10V
V
DSS
: 450 V
r
DS （ ON） （ MAX ）
: 0.73
I
D
: 10 A
概要
LDPAK(S)-1
4
2, 4
1
1
2
3
1.
2.
3.
4.
门
漏
来源
漏
3
应用
的DC-DC ， PDP中，电灯镇流器等
最大额定值
（ TC = 25 ° C）
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
漏电流（脉冲）
雪崩电流
最大功率耗散
通道温度
储存温度
块
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
I
DA
P
D
总胆固醇
TSTG
—
评级
450
±30
10
30
10
100
- 55 + 150
- 55 + 150
1.2
单位
V
V
A
A
A
W
°C
°C
g
条件
V
GS
= 0 V
V
DS
= 0 V
L = 200
H
典型的价值
Rev.1.00 ， Aug.20.2004 ，页6 1
FS10VS-9A
电气特性
（总胆固醇= 25 ℃）下
参数
漏源击穿电压
栅源击穿电压
栅极 - 源极漏电流
漏极 - 源极漏电流
门源阈值电压
漏源导通电阻
漏源通态电压
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源 - 漏电压
热阻
符号
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） GSS
I
GSS
I
DSS
V
GS （ TH）
r
DS （ ON）
V
DS （ ON）
| y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
RTH （ CH -C ）
分钟。
450
±30
—
—
2.5
—
—
5.4
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值。
—
—
—
—
3.0
0.58
2.90
9.0
1100
120
25
20
30
140
40
1.5
—
马克斯。
—
—
±10
1.0
3.5
0.73
3.65
—
—
—
—
—
—
—
—
2.0
1.25
单位
V
V
A
mA
V
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
° C / W
测试条件
I
D
= 1毫安， V
GS
= 0 V
I
G
=
±100 A,
V
DS
= 0 V
V
GS
=
±25
V, V
DS
= 0 V
V
DS
= 450 V, V
GS
= 0 V
I
D
= 1毫安， V
DS
= 10 V
I
D
= 5 A，V
GS
= 10 V
I
D
= 5 A，V
GS
= 10 V
I
D
= 5 A，V
DS
= 10 V
V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V,
F = 1MHz的
V
DD
= 200 V，I
D
= 5 A,
V
GS
= 10 V,
R
根
= R
GS
= 50
I
S
= 5 A，V
GS
= 0 V
渠道情况
Rev.1.00 ， Aug.20.2004 ， 6 2页
FS10VS-9A
性能曲线
漏功耗降额曲线
120
最大安全工作区
10
2
7
5
3
2
10
7
5
3
2
1
漏极功耗P
D
(W)
100
80
60
40
20
0
0
漏电流I
D
(A)
TW = 10微秒
100s
10
0
7
5
3
2
TC = 25°C
10
-1
1ms
单脉冲
DC
50
100
150
200
10
0
2 3 5 710
1
2 3 5 710
2
2 3 5 710
3
壳温度（ ° C）
漏源电压V
DS
(V)
输出特性（典型）
20
6V
TC = 25°C
脉冲测试
输出特性（典型）
10
P
D
= 100W
漏电流I
D
(A)
漏电流I
D
(A)
16
12
8
4
0
0
V
GS
= 20V,10V,8V
8
V
GS
= 20V,10V,
8V,6V
5V
6
4
2
TC = 25°C
脉冲测试
5V
P
D
= 100W
10
20
30
40
50
0
0
4
8
12
16
20
漏源电压V
DS
(V)
漏源电压V
DS
(V)
40
32
24
16
漏源通态电阻R
DS （ ON）
()
漏源通态电压V
DS （ ON）
(V)
导通电压VS.
栅源电压（典型值）
TC = 25°C
脉冲测试
通态电阻VS.
漏电流（典型值）
2.0
TC = 25°C
脉冲测试
1.6
1.2
V
GS
= 10V
20V
0.8
0.4
0
-1
10 2 3 5 710
0
2 3 5 710
1
2 3 5 710
2
I
D
= 15A
8
0
0
10A
5A
4
8
12
16
20
栅极 - 源极电压V
GS
(V)
漏电流I
D
(A)
Rev.1.00 ， Aug.20.2004 ， 6个3页
FS10VS-9A
正向转移导纳主场迎战
漏电流（典型值）
正向转移导纳| YFS | （ S）
10
7
5
3
2
10
7
5
3
2
2
传输特性（典型）
20
16
12
8
4
0
0
TC = 25°C
V
DS
= 10V
脉冲测试
漏电流I
D
(A)
TC = 25°C
1
75°C
125°C
10
0
7
5
3
2
10
-1 -1
10
2 3
V
DS
= 10V
脉冲测试
4
8
12
16
20
5 7 10
0
2 3
5 7 10
1
栅极 - 源极电压V
GS
(V)
电容与
漏源极电压（典型值）
3
2
10
7
5
3
2
10
7
5
3
2
3
漏电流I
D
(A)
开关特性（典型）
5
西塞
切换时间（纳秒）
3
2
10
2
7
5
3
2
1
电容（pF）
TD （关闭）
2
科斯
tf
TD （上）
tr
10
1
TCH = 25°C
CRSS
7
F = 1MHz的
5
V
GS
= 0V
3
2 3 5 710
0
2 3 5 710
1
2 3 5 710
2
2 3
10
TCH = 25°C ，V
DD
= 200V
7
V
GS
= 10V ，R
根
= R
GS
= 50
5
-1
0
1
10
2 3 5 7 10
2 3 5 7 10
漏源电压V
DS
(V)
漏电流I
D
(A)
栅源电压与
栅极电荷（典型值）
20
TCH = 25°C
I
D
= 10A
源极 - 漏极二极管的正向
特性（典型值）
40
32
TC = 125°C
栅极 - 源极电压V
GS
(V)
源电流我
S
(A)
16
12
8
4
0
0
V
DS
= 100V
200V
400V
24
75°C
16
25°C
8
V
GS
= 0V
脉冲测试
20
40
60
80
100
0
0
0.8
1.6
2.4
3.2
4.0
栅极电荷Qg （ NC ）
源极 - 漏极电压V
SD
(V)
Rev.1.00 ， Aug.20.2004 ， 6 4页
FS10VS-9A
通态电阻VS.
通道温度（典型）
10
7
V
GS
= 10V
I
D
= 5A
5
脉冲测试
3
2
10
0
7
5
3
2
10
–1
1
漏源通态电阻R
DS （ ON）
(25°C)
漏源通态电阻R
DS （ ON）
（T ° C）
门源阈值电压V
GS （ TH）
(V)
阈值电压 -
通道温度（典型）
5.0
V
DS
= 10V
I
D
= 1毫安
4.0
3.0
2.0
1.0
0
–50
0
50
100
150
–50
0
50
100
150
沟道温度Tch （ ° C）
沟道温度Tch （ ° C）
漏源击穿电压V
（ BR ） DSS
（T ° C）
漏源击穿电压V
（ BR ） DSS
(25°C)
瞬态热阻抗第Z （ CH-C ） （ ° C / W）
击穿电压VS.
通道温度（典型）
1.4
V
GS
= 0V
I
D
= 1毫安
瞬态热阻抗特性
10
1
7
5
3
2
D = 1.0
10
0
0.5
7
5
0.2
3
2
0.1
10
–1
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
7
5
3
2
0.05
0.02
0.01
单脉冲
–50
0
50
100
150
10
–2
–4
–3
–2
–1
0
1
10 2 3 5 710 2 3 5 710 2 3 5 710 2 3 5 710 2 3 5 7 10
沟道温度Tch （ ° C）
脉冲宽度tw （多个）
开关时间测量电路
输入电压监视器
D.U.T.
R
L
VOUT
MONITOR
开关波形
90%
R
根
VIN
VOUT
10%
10%
10%
R
GS
V
DD
90%
TD （上）
tr
90%
TD （关闭）
tf
Rev.1.00 ， Aug.20.2004 ， 6个5页
QQ：2880707522 复制
