FS10AS-3
高速开关使用
N沟道功率MOS FET
REJ03G1407-0200
（上一篇： MEJ02G0111-0101 ）
Rev.2.00
2006年8月7日
特点
驱动电压：10V
V
DSS
: 150 V
r
DS （ ON） （ MAX ）
: 170 m
I
D
: 10 A
集成的快速恢复二极管（ TYP 。 ） ： 100纳秒
概要
瑞萨封装代码： PRSS0004ZA -A
（包名称： MP -3A ）
2, 4
4
1
12
3
1.
2.
3.
4.
门
漏
来源
漏
3
应用
电机控制，灯控制，电磁阀控制的DC-DC转换器等。
最大额定值
（ TC = 25 ° C）
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
漏电流（脉冲）
雪崩漏电流（脉冲）
源出电流
源电流（脉冲）
最大功率耗散
通道温度
储存温度
块
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
I
DA
I
S
I
SM
P
D
总胆固醇
TSTG
—
评级
150
±20
10
40
10
10
40
35
- 55 + 150
- 55 + 150
0.32
单位
V
V
A
A
A
A
A
W
°C
°C
g
条件
V
GS
= 0 V
V
DS
= 0 V
L = 100
H
典型的价值
Rev.2.00
2006年8月7日
第1页6
FS10AS-3
通态电阻VS.
通道温度（典型）
10
1
7
5
4
3
2
10
0
7
5
4
3
2
10
–1
–50
0
50
100
150
漏源通态电阻R
DS （ ON）
(25°C)
门源阈值电压V
GS （ TH）
(V)
漏源通态电阻R
DS （ ON）
（T ° C）
阈值电压 -
通道温度（典型）
5.0
V
GS
= 10V
I
D
= 5A
脉冲测试
V
DS
= 10V
I
D
= 1毫安
4.0
3.0
2.0
1.0
0
–50
0
50
100
150
沟道温度Tch （ ° C）
沟道温度Tch （ ° C）
漏源击穿电压V
（ BR ） DSS
(25°C)
瞬态热阻抗第Z （ CH-C ） （ ° C / W）
漏源击穿电压V
（ BR ） DSS
（T ° C）
击穿电压VS.
通道温度（典型）
1.4
瞬态热阻抗特性
10
1
7
5
D = 1.0
3
0.5
2
10
0
7
0.1
5
3
2
10
–1
7
5
3
2
0.2
V
GS
= 0V
I
D
= 1毫安
1.2
1.0
0.8
0.05
0.02
0.01
单脉冲
P
DM
tw
T
D
=
tw
T
0.6
0.4
–50
0
50
100
150
10
–2 –4
10 2 3 5710
–3
2 3 5710
–2
2 3 5710
–1
2 3 5710
0
2 3 5710
1
2 3 5710
2
沟道温度Tch （ ° C）
脉冲宽度tw （多个）
开关时间测量电路
输入电压监视器
D.U.T.
R
L
VIN
VOUT
R
GS
V
DD
VOUT
MONITOR
开关波形
90%
R
根
10%
10%
10%
90%
TD （上）
tr
90%
TD （关闭）
tf
Rev.2.00
2006年8月7日
分页： 5 6
三菱N沟道功率MOSFET
FS10AS-3
高速开关使用
FS10AS-3
外形绘图
6.5
5.0
±
0.2
尺寸（mm）
r
5.5
±
0.2
1.5
±
0.2
0.5
±
0.1
1.0MAX.
2.3MIN.
10MAX.
1.0
A
0.5
±
0.2
0.8
0.9MAX.
2.3
2.3
2.3
q
w
e
wr
q
门
w
漏
e
来源
r
漏
e
10V
DRIVE
V
DSS ................................................. ...............................
150V
r
DS （ ON） （ MAX ） ........................................... ................
170m
I
D .........................................................................................
10A
综合
快恢复二极管（ TYP 。 ）
...........
100ns
q
MP-3
应用
电机控制，灯控制，电磁阀控制
直流 - 直流转换器等。
最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
I
DA
I
S
I
SM
P
D
T
ch
T
英镑
—
（ TC = 25 ° C）
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
漏电流（脉冲）
雪崩漏电流（脉冲）
源出电流
源电流（脉冲）
最大功率耗散
通道温度
储存温度
重量
典型的价值
V
GS
= 0V
V
DS
= 0V
条件
评级
150
±20
10
40
10
10
40
35
–55 ~ +150
–55 ~ +150
0.26
单位
V
V
A
A
A
A
A
W
°C
°C
g
Feb.1999
L = 100μH
三菱N沟道功率MOSFET
FS10AS-3
高速开关使用
电气特性
符号
V
（ BR ） DSS
I
GSS
I
DSS
V
GS （ TH）
r
DS （ ON）
V
DS （ ON）
y
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
R
TH（ CH-C ）
t
rr
参数
漏源击穿电压
栅极 - 源极漏电流
漏极 - 源极漏电流
门源阈值电压
（总胆固醇= 25 ℃）下
测试条件
I
D
= 1mA时， V
GS
= 0V
V
GS
=
±20V,
V
DS
= 0V
V
DS
= 150V, V
GS
= 0V
I
D
= 1mA时， V
DS
= 10V
I
D
= 5A ，V
GS
= 10V
I
D
= 5A ，V
GS
= 10V
I
D
= 5A ，V
DS
= 10V
V
DS
= 10V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
范围
分钟。
150
—
—
2.0
—
—
—
—
—
—
—
典型值。
—
—
—
3.0
122
0.61
12
1250
175
75
25
30
60
34
1.0
—
100
马克斯。
—
±0.1
0.1
4.0
170
0.85
—
—
—
—
—
—
—
—
1.5
3.57
—
单位
V
A
mA
V
m
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
° C / W
ns
漏源导通电阻
漏源通态电压
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源 - 漏电压
热阻
反向恢复时间
V
DD
= 80V ，我
D
= 5A ，V
GS
= 10V ，R
根
= R
GS
= 50
—
—
—
—
—
—
I
S
= 5A ，V
GS
= 0V
渠道情况
I
S
= 10A ， DIS / DT = -100A / μs的
性能曲线
功耗降额曲线
50
功耗P
D
(W)
漏电流I
D
(A)
最大安全工作区
3
2
10
2
7
5
3
2
10
1
7
5
3
2
40
30
TW = 10毫秒
20
100ms
10
0
0
50
100
150
200
10
0
7
T
C
= 25°C
10ms
5
单脉冲
DC
3
2 3 5 7 10
1
2 3 5 7 10
2
2 3 5 7 10
3
2
漏源电压V
DS
(V)
输出特性
（典型值）
5
V
GS
= 20V 10V 7V 6V
T
C
= 25°C
脉冲测试
1ms
案例温度T
C
(°C)
输出特性
（典型值）
10
V
GS
= 20V 10V 7V 6V
T
C
= 25°C
脉冲测试
漏电流I
D
(A)
8
漏电流I
D
(A)
4
5V
6
3
4
5V
2
2
1
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
漏源电压V
DS
(V)
漏源电压V
DS
(V)
Feb.1999
三菱N沟道功率MOSFET
FS10AS-3
高速开关使用
FS10AS-3
外形绘图
6.5
5.0
±
0.2
尺寸（mm）
r
5.5
±
0.2
1.5
±
0.2
0.5
±
0.1
1.0MAX.
2.3MIN.
10MAX.
1.0
A
0.5
±
0.2
0.8
0.9MAX.
2.3
2.3
2.3
q
w
e
wr
q
门
w
漏
e
来源
r
漏
e
10V
DRIVE
V
DSS ................................................. ...............................
150V
r
DS （ ON） （ MAX ） ........................................... ................
170m
I
D .........................................................................................
10A
综合
快恢复二极管（ TYP 。 ）
...........
100ns
q
MP-3
应用
电机控制，灯控制，电磁阀控制
直流 - 直流转换器等。
最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
I
DA
I
S
I
SM
P
D
T
ch
T
英镑
—
（ TC = 25 ° C）
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
漏电流（脉冲）
雪崩漏电流（脉冲）
源出电流
源电流（脉冲）
最大功率耗散
通道温度
储存温度
重量
典型的价值
V
GS
= 0V
V
DS
= 0V
条件
评级
150
±20
10
40
10
10
40
35
–55 ~ +150
–55 ~ +150
0.26
单位
V
V
A
A
A
A
A
W
°C
°C
g
Feb.1999
L = 100μH
三菱N沟道功率MOSFET
FS10AS-3
高速开关使用
电气特性
符号
V
（ BR ） DSS
I
GSS
I
DSS
V
GS （ TH）
r
DS （ ON）
V
DS （ ON）
y
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
R
TH（ CH-C ）
t
rr
参数
漏源击穿电压
栅极 - 源极漏电流
漏极 - 源极漏电流
门源阈值电压
（总胆固醇= 25 ℃）下
测试条件
I
D
= 1mA时， V
GS
= 0V
V
GS
=
±20V,
V
DS
= 0V
V
DS
= 150V, V
GS
= 0V
I
D
= 1mA时， V
DS
= 10V
I
D
= 5A ，V
GS
= 10V
I
D
= 5A ，V
GS
= 10V
I
D
= 5A ，V
DS
= 10V
V
DS
= 10V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
范围
分钟。
150
—
—
2.0
—
—
—
—
—
—
—
典型值。
—
—
—
3.0
122
0.61
12
1250
175
75
25
30
60
34
1.0
—
100
马克斯。
—
±0.1
0.1
4.0
170
0.85
—
—
—
—
—
—
—
—
1.5
3.57
—
单位
V
A
mA
V
m
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
° C / W
ns
漏源导通电阻
漏源通态电压
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源 - 漏电压
热阻
反向恢复时间
V
DD
= 80V ，我
D
= 5A ，V
GS
= 10V ，R
根
= R
GS
= 50
—
—
—
—
—
—
I
S
= 5A ，V
GS
= 0V
渠道情况
I
S
= 10A ， DIS / DT = -100A / μs的
性能曲线
功耗降额曲线
50
功耗P
D
(W)
漏电流I
D
(A)
最大安全工作区
3
2
10
2
7
5
3
2
10
1
7
5
3
2
40
30
TW = 10毫秒
20
100ms
10
0
0
50
100
150
200
10
0
7
T
C
= 25°C
10ms
5
单脉冲
DC
3
2 3 5 7 10
1
2 3 5 7 10
2
2 3 5 7 10
3
2
漏源电压V
DS
(V)
输出特性
（典型值）
5
V
GS
= 20V 10V 7V 6V
T
C
= 25°C
脉冲测试
1ms
案例温度T
C
(°C)
输出特性
（典型值）
10
V
GS
= 20V 10V 7V 6V
T
C
= 25°C
脉冲测试
漏电流I
D
(A)
8
漏电流I
D
(A)
4
5V
6
3
4
5V
2
2
1
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
漏源电压V
DS
(V)
漏源电压V
DS
(V)
Feb.1999
QQ：2881677436 复制
