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FS10AS-2
高速开关使用
N沟道功率MOS FET
REJ03G0244-0200
Rev.2.00
2006年11月21日
特点
驱动电压:10V
V
DSS
: 100 V
r
DS ( ON) ( MAX )
: 0.23
I
D
: 10 A
综合快恢复二极管的恢复时间(典型值) : 100纳秒
概要
瑞萨封装代码: PRSS0004ZA -A
(包名称: MP -3A )
2, 4
4
1
12
3
1.
2.
3.
4.
来源
3
应用
电机控制,灯控制,电磁阀控制的DC-DC转换器等。
最大额定值
( TC = 25 ° C)
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
漏电流(脉冲)
雪崩电流(脉冲)
源出电流
源电流(脉冲)
最大功率耗散
通道温度
储存温度
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
I
DA
I
S
I
SM
P
D
总胆固醇
TSTG
评级
100
±20
10
40
10
10
40
30
- 55 + 150
- 55 + 150
0.32
单位
V
V
A
A
A
A
A
W
°C
°C
g
条件
V
GS
= 0 V
V
DS
= 0 V
L = 100
H
典型的价值
Rev.2.00
2006年11月21日
第1页6
FS10AS-2
电气特性
(总胆固醇= 25 ℃)下
参数
漏源击穿电压
栅极 - 源极漏电流
漏极 - 源极漏电流
门源阈值电压
漏源导通电阻
漏源通态电压
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源 - 漏电压
热阻
反向恢复时间
符号
V
( BR ) DSS
I
GSS
I
DSS
V
GS ( TH)
r
DS ( ON)
V
DS ( ON)
| y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
SD
RTH ( CH -C )
t
rr
分钟。
100
2.0
典型值。
3.0
0.16
0.80
9.0
600
125
40
18
20
30
18
1.0
100
马克斯。
±0.1
0.1
4.0
0.23
1.15
1.5
4.17
单位
V
A
mA
V
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
° C / W
ns
测试条件
I
D
= 1毫安, V
GS
= 0 V
V
GS
=
±20
V, V
DS
= 0 V
V
DS
= 100 V, V
GS
= 0 V
I
D
= 1毫安, V
DS
= 10 V
I
D
= 5 A,V
GS
= 10 V
I
D
= 5 A,V
GS
= 10 V
I
D
= 5 A,V
DS
= 5 V
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V,
F = 1MHz的
V
DD
= 50 V,I
D
= 5 A,
V
GS
= 10 V,
R
= R
GS
= 50
I
S
= 5 A,V
GS
= 0 V
渠道情况
I
S
= 10 A, DIS / DT = -100 A / μs的
Rev.2.00
2006年11月21日
第2 6
FS10AS-2
性能曲线
漏功耗降额曲线
漏极功耗P
D
(W)
50
5
3
2
最大安全工作区
TW = 10微秒
漏电流I
D
(A)
40
30
10
1
7
5
3
2
10
0
7
5
3
2
100s
1ms
10ms
DC
20
10
0
0
50
100
150
200
10
–1
TC = 25°C
7
单脉冲
5
2 3 5 7 10
0
2 3 5 7 10
1
2 3 5 7 10
2
2
壳温度( ° C)
漏源电压V
DS
(V)
输出特性(典型)
20
输出特性(典型)
10
TC = 25°C
脉冲测试
V
GS
= 20V
10V
7V
TC = 25°C
脉冲测试
V
GS
= 20V
10V
7V
6V
漏电流I
D
(A)
12
漏电流I
D
(A)
16
8
6V
P
D
= 30W
6
8
4
5V
2
4
5V
0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
漏源电压V
DS
(V)
漏源电压V
DS
(V)
漏源通态电压V
DS ( ON)
(V)
漏源通态电阻R
DS ( ON)
()
导通电压VS.
栅源电压(典型值)
5.0
通态电阻VS.
漏电流(典型值)
0.5
TC = 25°C
脉冲测试
4.0
TC = 25°C
脉冲测试
0.4
3.0
I
D
= 15A
0.3
2.0
10A
5A
0.2
V
GS
= 10V
20V
1.0
0.1
0
10
–1
2 3 5 7 10
0
2 3 5 7 10
1
2 3 5 7 10
2
0
0
4
8
12
16
20
栅极 - 源极电压V
GS
(V)
漏电流I
D
(A)
Rev.2.00
2006年11月21日
第3页6
FS10AS-2
正向转移导纳主场迎战
漏电流(典型值)
正向转移导纳| YFS | ( S)
10
2
7
V
DS
= 5V
脉冲测试
5
4
3
2
传输特性(典型)
20
漏电流I
D
(A)
16
TC = 25°C
V
DS
= 10V
脉冲测试
12
TC = 25°C
10
1
7
5
4
3
2
10
0 0
10
2
3
5 7 10
1
2
3
5 7 10
2
8
75°C
125°C
4
0
0
4
8
12
16
20
栅极 - 源极电压V
GS
(V)
电容与
漏源极电压(典型值)
10
4
7
5
3
2
10
3
7
5
3
2
10
2
7
5
3
2
10
1
漏电流I
D
(A)
开关特性(典型)
10
2
7
5
4
3
2
10
1
7
5
4
3
2
10
0
10
0
2
3
切换时间(纳秒)
TCH = 25°C
F = 1MHz的
V
GS
= 0V
TD (关闭)
TD (上)
tf
tr
电容(pF)
西塞
科斯
CRSS
3 5 7 10
0
2 3 5 7 10
1
2 3 5 7 10
2
2 3
TCH = 25°C
V
DD
= 50V
V
GS
= 10V
R
= R
GS
= 50
5 7 10
1
2
3
5 7 10
2
漏源电压V
DS
(V)
漏电流I
D
(A)
源极 - 漏极二极管的正向
特性(典型值)
40
栅源电压与
栅极电荷(典型值)
20
栅极 - 源极电压V
GS
(V)
TCH = 25°C
I
D
= 10A
16
V
GS
= 0V
脉冲测试
源电流我
S
(A)
32
12
24
8
V
DS
= 20V
50V
80V
16
TC = 125°C
75°C
25°C
4
8
0
0
4
8
12
16
20
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
栅极电荷Qg ( NC )
源极 - 漏极电压V
SD
(V)
Rev.2.00
2006年11月21日
第4 6
FS10AS-2
通态电阻VS.
通道温度(典型)
10
1
7
5
4
3
2
10
0
7
5
4
3
2
10
–1
–50
0
50
100
150
漏源通态电阻R
DS ( ON)
(25°C)
漏源通态电阻R
DS ( ON)
(T ° C)
门源阈值电压V
GS ( TH)
(V)
阈值电压 -
通道温度(典型)
5.0
V
GS
= 10V
I
D
= 1/2 I
D
脉冲测试
V
DS
= 10V
I
D
= 1毫安
4.0
3.0
2.0
1.0
0
–50
0
50
100
150
沟道温度Tch ( ° C)
沟道温度Tch ( ° C)
漏源击穿电压V
( BR ) DSS
(25°C)
漏源击穿电压V
( BR ) DSS
(T ° C)
瞬态热阻抗第Z ( CH-C ) ( ° C / W)
击穿电压VS.
通道温度(典型)
1.4
瞬态热阻抗特性
10
2
7
5
3
2
10
1
7
5
D = 1.0
3
0.5
2
0.2
10
0
7
5
3
2
V
GS
= 0V
I
D
= 1毫安
1.2
1.0
0.8
P
DM
0.6
0.4
–50
0
50
100
150
10
–1
10
–4
2 3 5710
–3
2 3 5710
–2
2 3 5710
–1
2 3 5710
0
2 3 5710
1
2 3 5710
2
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
tw
T
tw
D=
T
沟道温度Tch ( ° C)
脉冲宽度tw (多个)
开关时间测量电路
输入电压监视器
D.U.T.
R
L
VIN
VOUT
R
GS
V
DD
VOUT
MONITOR
开关波形
90%
R
10%
10%
10%
90%
TD (上)
tr
90%
TD (关闭)
tf
Rev.2.00
2006年11月21日
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