【FQD13N10L / FQU13N10LN沟道QFETMOSFETN沟道QFETMOSFET100】,IC型号FQU13N10LTU,FQU13N10LTU PDF资料,FQU13N10LTU经销商,ic,电子元器件-51电子网

FQD13N10L / FQU13N10L

N沟道

QFET

MOSFET

N沟道

QFET

MOSFET

100

V,

10

A,

180

m

描述

FQD13N10L / FQU13N10L

七月

2013

这

N沟道

增强型功率MOSFET是

采用飞兆半导体Semiconductor的专有生产

平面条形和DMOS技术。这种先进

MOSFET技术已特别针对减少

通态电阻，并提供优越的开关

性能和高雪崩能量强度。这些

设备适合用于开关模式电源，

音频放大器， DC电机控制和可变开关

电源应用。

特点

10

A,

60

V ，R

DS （ ON）

=

180

m

（最大）

@V

GS

= 10 V,

I

D

=

5.0

A

低栅极电荷（典型值。

8.7

NC ）

低的Crss （典型值。

20

pF的）

100 ％雪崩测试

低的水平栅极驱动要求可直接

操作形式逻辑驱动器

D

!

＆ QUOT ;

G

S

G

!

！ "

＆ QUOT ;

D- PAK

(TO252)

摹 S

I- PAK

(TO251)

!

S

T

C

= 25 ° C除非另有说明

绝对最大额定值

符号

V

DSS

I

D

I

DM

V

GSS

E

AS

I

AR

E

AR

dv / dt的

P

D

参数

漏源电压

- 连续（T

C

= 25°C)

漏电流

- 连续（T

C

= 100°C)

漏电流

- 脉冲

（注1 ）

FQD13N10L / FQU13N10L

100

10

6.3

40

±

20

（注2 ）

（注1 ）

（注3）

单位

V

A

V

mJ

A

mJ

V / ns的

W

W / ℃，

°C

栅源电压

单脉冲雪崩能量

雪崩电流

重复性雪崩能量

峰值二极管恢复的dv / dt

功率耗散（T

A

= 25°C) *

功率耗散（T

C

= 25°C)

95

10

4.0

6.0

2.5

40

0.32

-55到+150

300

T

J

, T

英镑

T

L

- 减免上述25℃

工作和存储温度范围

最大无铅焊接温度的目的，

1/8 ？从案例5秒

热特性

符号

R

θJC

R

θJA

R

θJA

参数

热阻，结到外壳，

马克斯。

热阻，结到环境，

马克斯。

*

热阻，结到环境，

马克斯。

FQD13N10L / FQU13N10L

3.13

50

110

单位

° C / W

*当安装在推荐的最小焊盘尺寸（ PCB安装）

2000仙童半导体公司

FQD13N10L

/ FQU13N10L

启示录

C2

www.fairchildsemi.com

FQD13N10L / FQU13N10L

N沟道

QFET

MOSFET

电气特性

符号

参数

T

C

= 25 ° C除非另有说明

测试条件

民

典型值

最大

单位

开关特性

BV

DSS

ΔBV

DSS

/

T

J

I

DSS

I

GSSF

I

GSSR

漏源击穿电压

击穿电压温度

系数

零栅极电压漏极电流

门体漏电流，正向

门体漏电流，反向

V

GS

= 0 V，I

D

= 250

A

I

D

= 250

A,

参考25 ℃下

V

DS

= 100 V, V

GS

= 0 V

V

DS

= 80 V，T

C

= 125°C

V

GS

= 20 V, V

DS

= 0 V

V

GS

= -20 V, V

DS

= 0 V

100

--

0.09

--

1

10

100

-100

V

V /°C的

A

nA

基本特征

V

GS （ TH）

R

DS （ ON）

g

FS

栅极阈值电压

静态漏源

导通电阻

正向跨导

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250

A

V

GS

= 10 V，I

D

= 5.0 A

V

GS

= 5 V，I

D

= 5.0 A

V

DS

= 30 V，I

D

= 5.0 A

1.0

--

0.142

0.158

8.7

2.0

0.18

0.2

--

V

S

动态特性

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

输入电容

输出电容

反向传输电容

V

DS

= 25 V, V

GS

= 0 V,

F = 1.0 MHz的

--

400

95

20

520

125

25

pF

开关特性

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

g

Q

gs

Q

gd

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

V

DS

= 80 V，I

D

= 12.8 A,

V

GS

= 5 V

（注4 ）

V

DD

= 50 V，I

D

= 12.8 A,

R

G

= 25

（注4 ）

--

7.5

220

22

72

8.7

2.0

5.3

25

450

55

150

12

--

ns

nC

漏源二极管的特性和最大额定值

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

最大连续漏源二极管的正向电流

最大脉冲漏源二极管的正向电流

V

GS

= 0 V，I

S

= 10 A

漏源二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

V

GS

= 0 V，I

S

= 12.8 A,

dI

F

/ DT = 100 A / μs的

--

75

0.17

10

40

1.5

--

A

V

ns

C

注意事项：

1.重复额定值：脉冲宽度有限的最高结温

2， L = 1.43mH ，我

AS

= 10A ，V

DD

= 25V ，R

G

= 25

,

起始物为

J

= 25°C

3. I

SD

≤

12.8A ， di / dt的

≤

300A / μs的，V

DD

≤

BV

DSS ，

起始物为

J

= 25°C

4.

基本上是独立工作温度

2000仙童半导体公司

FQD13N10L

/ FQU13N10L

启示录

C2

www.fairchildsemi.com

FQD13N10L / FQU13N10L

N沟道

QFET

MOSFET

典型特征

I

D

，漏电流[ A]

I

D

，漏电流[ A]

10

1

V

GS

10.0 V

8.0 V

6.0 V

5.0 V

4.5 V

4.0 V

3.5 V

底部： 3.0 V

上图：

10

1

150℃

10

0

25℃

-55℃

※

注意事项：

1. V

DS

= 30V

2. 250 ？脉冲测试

s

10

0

※

注意事项：

1. 250 ？脉冲测试

s

2. T

C

= 25℃

-1

0

1

10

-1

10

0

2

4

6

8

10

V

DS

，漏源电压[V]

V

GS

，栅源电压[V]

图1.区域特征

图2.传输特性

0.8

R

DS （ ON）

[

Ω

],

漏源导通电阻

0.4

V

GS

= 10V

I

DR

，反向漏电流[ A]

0.6

10

1

V

GS

= 5V

10

0

0.2

150℃

-1

25℃

※

注：t

J

= 25℃

※

注意事项：

1. V

GS

= 0V

2. 250 ？脉冲测试

s

0.0

0

10

20

30

40

10

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

1.8

I

D

，漏电流[ A]

V

SD

，源极 - 漏极电压[ V]

图3.导通电阻变化对比

漏电流和栅极电压

图4.体二极管正向电压

变化与源电流

和温度

1000

C

国际空间站

= C

gs

+ C

gd

(C

ds

=短路）

C

OSS

= C

ds

+ C

gd

C

RSS

= C

gd

12

800

10

V

DS

= 50V

V

GS

，栅源电压[V]

8

V

DS

= 80V

电容[ pF的]

600

C

国际空间站

6

400

C

OSS

※

注意事项：

1. V

GS

= 0 V

2. F = 1 MHz的

4

200

C

RSS

2

※

注：我

D

= 12.8A

0

10

-1

10

0

10

1

0

4

8

12

16

V

DS

，漏源电压[V]

Q

G

，总栅极电荷[ NC ]

图5.电容特性

图6.栅极电荷特性

2000仙童半导体公司

FQD13N10L

/ FQU13N10L

启示录

C2

www.fairchildsemi.com

FQD13N10L / FQU13N10L

N沟道

QFET

MOSFET

典型特征

（续）

1.2

2.5

BV

DSS

（归一化）

漏源击穿电压

2.0

R

DS （ ON）

（归一化）

漏源导通电阻

1.1

1.5

1.0

0.9

※

注意事项：

1. V

GS

= 0 V

2. I

D

= 250

μ

A

0.5

※

注意事项：

1. V

GS

= 10 V

2. I

D

= 5.0 A

0.8

-100

-50

0

50

100

o

150

200

0.0

-100

-50

0

50

100

o

150

200

T

J

，结温[C]

T

J

，结温[C]

图7.击穿电压变化

与温度的关系

图8.导通电阻变化

与温度的关系

10

2

10

在这一领域

由R有限公司

DS （ ON）

8

I

D

，漏电流[ A]

2

I

D

，漏电流[ A]

100

s

10

1

1毫秒

10毫秒

DC

6

4

10

0

※

注意事项：

1. T

C

= 25 C

2. T

J

= 150 C

3.单脉冲

o

2

10

-1

10

0

10

1

10

0

25

50

75

100

125

150

V

DS

，漏源电压[V]

T

C

，外壳温度[

℃

]

图9.最高安全工作区

图10.最大漏极电流

与外壳温度

（T ）和T H的é R M一l研究（E S） P 0：N发E

D = 0 .5

10

0

0 .2

0 .1

0 .0 5

-1

※

N 2 O TE S：

1 . Z

θ

J·C

( t) = 3 .1 3

℃

/ W M A X 。

2 。 ü TY F A C到R，D = T

1

/t

2

3 . T

J·M

- T

C

= P

D M

* Z

θ

J·C

( t)

θ

JC

10

0 .0 2

0 .0 1

的I N G - 乐P ü LS ê

P

DM

t

1

t

2

Z

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

10

-1

10

0

10

1

t

1

，S单方W AVE P ü LS E D URAT IO N [秒]

图11.瞬态热响应曲线

2000仙童半导体公司

FQD13N10L

/ FQU13N10L

启示录

C2

www.fairchildsemi.com

FQD13N10L / FQU13N10L

N沟道

QFET

MOSFET

栅极电荷测试电路波形&

50KΩ

12V

200nF

300nF

同一类型

作为DUT

V

DS

V

GS

Q

g

5V

Q

gs

Q

gd

V

GS

DUT

3mA

收费

电阻开关测试电路波形&

V

DS

V

GS

R

G

R

L

V

DD

V

DS

90%

5V

DUT

V

GS

10%

t

D（上）

t

on

t

r

t

D（关闭）

t

关闭

t

f

非钳位感应开关测试电路波形&

L

V

DS

I

D

R

G

10V

t

p

BV

DSS

1

2

--------------------

E

AS

= ---- L I

AS

2

BV

DSS

- V

DD

BV

DSS

I

AS

V

DD

I

D

(t)

V

DD

t

p

DUT

V

DS

(t)

时间

2000仙童半导体公司

FQD13N10L

/ FQU13N10L

启示录

C2

www.fairchildsemi.com