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FQT1N60C N沟道MOSFET
FQT1N60C
N沟道QFET
MOSFET
600V ， 0.2 A ，
11.5
描述
这种N沟道增强型功率MOSFET是
利用飞兆半导体公司生产的
专有
平面条形和DMOS技术。这种先进
MOSFET技术已特别针对
降低通态电阻，并提供优越的
交换性能和高雪崩能量
强度。这些器件适用于切换模式
电源，有源功率因数校正（PFC） ，并
电子镇流器。
2013年3月
特点
0.2
A,
600
V ，R
DS （ ON）
=9.3
(
= LOW
栅极电荷
（典型值。
低C
RSS
（典型值。
pF的）
100%
雪崩测试
符合RoHS
NC ）
.)@V
GS
=10 V,
I
D
=0.1 A
D
D
S
G
G
SOT-223
S
MOSFET的最大额定值
T
C
= 25
o
C除非另有说明*
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
P
D
T
J
, T
英镑
T
L
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
功耗
(T
C
= 25 C)
o
参数
FQT1N60C
600
±30
25
o
C)
100
o
C)
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注1 ）
（注3）
0.2
0.12
0.8
33
0.2
0.2
4.5
2.1
o
单位
V
V
A
A
mJ
A
mJ
V / ns的
W
W/
o
C
o
C
o
- 连续（T
C
=
- 连续（T
C
=
- 脉冲
- 减免上述25℃
0.02
-55到+150
300
工作和存储温度范围
最大无铅焊接温度的目的，
1/8 ？从案例5秒
C
热特性
符号
R
θJA
参数
热阻，结到环境*
分钟。
-
马克斯。
60
单位
o
C / W
*当安装在推荐的最小焊盘尺寸（ PCB安装）
2007仙童半导体公司
FQT1N60C启示录
C0
1
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FQT1N60C N沟道MOSFET
包装标志和订购信息
T
C
= 25
o
C除非另有说明
器件标识
FQT1N60C
设备
FQT1N60C
包
SOT-223
带尺寸
330mm
胶带宽度
12mm
QUANTITY
4000
电气特性
符号
参数
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
开关特性
BV
DSS
ΔBV
DSS
/
T
J
I
DSS
I
GSS
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门到身体漏电流
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V ，T
J
= 25
o
C
I
D
= 250μA ，参考25
o
C
V
DS
= 600V, V
GS
= 0V
V
GS
= ±30V, V
DS
= 0V
V
DS
= 480V ，T
C
= 125 C
o
600
-
-
-
-
-
0.6
-
-
-
-
-
25
250
±100
V
V/
o
C
A
nA
基本特征
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
栅极阈值电压
静态漏极至源极导通电阻
正向跨导
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 0.1A
V
DS
= 40V ，我
D
= 0.1A
（注4 ）
2.0
-
-
-
9.3
0.75
4.0
11.5
-
V
S
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷，在10V
门源栅极电荷
栅漏“米勒”充电
V
DS
= 480V ，我
D
= 1A
V
GS
= 10V
（注4,5）
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V
F = 1MHz的
-
-
-
-
-
-
130
19
3.5
4.8
0.7
2.7
170
25
6
6.2
-
-
pF
pF
pF
nC
nC
nC
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
V
DD
= 300V ，我
D
= 1A
R
G
= 25
（注4,5）
-
-
-
-
7
21
13
27
24
52
36
64
ns
ns
ns
ns
漏源二极管的特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
注意事项：
1.重复评价：脉冲宽度有限的最高结温
2， L = 59mH ，我
AS
= 1.1A ，V
DD
= 50V ，R
G
= 25Ω ，起始物为
J
= 25°C
3. I
SD
≤
0.2A ， di / dt的
≤
200A / μs的，V
DD
≤
BV
DSS
，起始物为
J
= 25°C
4.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2%
5.基本上是独立的工作温度典型特征
最大连续漏极至源极二极管的正向电流
最大脉冲漏极至源极二极管的正向电流
漏极至源极二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
GS
= 0V时，我
SD
= 0.2A
V
GS
= 0V时，我
SD
= 1A
dI
F
/ DT = 100A / μs的
（注4 ）
-
-
-
-
-
-
-
-
190
0.53
0.2
0.8
1.4
-
-
A
A
V
ns
C
2007仙童半导体公司
FQT1N60C启示录
C0
2
www.fairchildsemi.com
FQT1N60C N沟道MOSFET
典型性能特性
图1.区域特征
V
GS
15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
5.5 V
5.0 V
底部： 4.5 V
上图：
图2.传输特性
10
0
I
D
，漏电流[ A]
I
D
，漏电流[ A]
10
0
150 C
-55 C
25 C
o
o
o
10
-1
※
注意事项：
1. 250μs的脉冲测试
2. T
C
= 25
℃
10
-2
10
-1
-1
※
注意事项：
1. V
DS
= 40V
2. 250μs的脉冲测试
10
10
0
10
1
2
4
6
8
10
V
DS
，漏源电压[V]
V
GS
，栅源电压[V]
图3.导通电阻变化对比
漏电流和栅极电压
30
图4.体二极管正向电压
变化与源电流
和温度
I
DR
，反向漏电流[ A]
R
DS （ ON）
[ ],
漏源导通电阻
25
V
GS
= 10V
20
10
0
15
10
V
GS
= 20V
150
℃
25
℃
10
-1
5
※
N： T = 25
℃
OTE
J
※
注意事项：
1. V
GS
= 0V
2. 250μ s脉冲测试
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
I
D
，漏电流[ A]
V
SD
，源极 - 漏极电压[ V]
图5.电容特性
250
C
国际空间站
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
=短路）
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
C
RSS
= C
gd
图6.栅极电荷特性
12
V
GS
，栅源电压[V]
200
10
V
DS
= 120V
V
DS
= 300V
电容[ pF的]
C
国际空间站
150
8
V
DS
= 480V
C
OSS
100
※
注意事项;
1. V
GS
= 0 V
2. F = 1M的
Hz
6
4
50
C
RSS
2
※
注：我
D
= 1A
0
-1
10
0
10
0
10
1
0
1
2
3
4
5
6
V
DS
，漏源电压[V]
Q
G
，总栅极电荷[ NC ]
2007仙童半导体公司
FQT1N60C启示录
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FQT1N60C N沟道MOSFET
典型性能特性
（续）
图7.击穿电压变化
与温度的关系
1.2
图8.导通电阻变化
与温度的关系
3.0
BV
DSS
（归一化）
漏源击穿电压
1.1
R
DS （ ON）
（归一化）
漏源导通电阻
2.5
2.0
1.0
1.5
1.0
※
注意事项：
1. V
GS
= 10 V
2. I
D
= 0.1 A
0.9
※
N :
OTES
1. V
GS
= 0 V
2. I
D
= 250 A
0.5
0.8
-100
-50
0
50
100
o
150
200
0.0
-100
-50
0
50
100
o
150
200
T
J
，结TEM
规律[ C]
T
J
，结温[C]
图9.最高安全工作区
在这一领域
由R有限公司
DS （ ON）
图10.最大漏极电流
与外壳温度
0.20
0.18
10
0
I
D
，漏电流[ A]
100
s
0.16
I
D
，漏电流[ A]
10
3
1毫秒
10毫秒
10
-1
0.14
0.12
0.10
0.08
0.06
0.04
0.02
100毫秒
1s
DC
10
-2
※
注意事项：
1. T
C
= 25 C
2. T
J
= 150 C
3.单脉冲
o
o
10
-3
10
0
10
1
10
2
0.00
25
50
75
100
125
150
V
DS
，漏源电压[V]
T
C
，外壳温度[
°
C]
图11.瞬态热响应曲线
10
2
D = 0 .5
Z
θ
JC
热响应
(t),
10
1
0 .2
0 .1
0 .0 5
0 .0 2
※
N 2 O TE S：
1 . Z
θ
J·C
t) = 6 0
℃
/ W M A X 。
(
2 。 ü TY F A C到R，D = T
1
/t
2
3 . T
J·M
- T
C
= P
D M
* Z
θ
J·C
t)
(
P
DM
t
1
S IN克乐P ü LS ê
10
0
0 .0 1
t
2
10
-1
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
t
1
，S单方W AVE P ü LS E D市建局TIO N [秒]
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栅极电荷测试电路波形&
电阻开关测试电路波形&
非钳位感应开关测试电路波形&
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    FQT1N60CTF-WS
    -
    -
    -
    -
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