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FQS4901
N沟道MOSFET
2013年3月
FQS4901
N沟道QFET
MOSFET
400
V,
0.45
A,
4.2
描述
这种N沟道增强型功率MOSFET是
利用飞兆半导体公司生产的
专有
平面条形和DMOS技术。这种先进
MOSFET技术已特别针对
降低通态电阻，并提供优越的
交换性能和高雪崩能量
强度。这些器件适用于切换模式
电源，有源功率因数校正（PFC） ，并
电子镇流器。
特点
0.45
A,
400
V ，R
DS （ ON）
=4.2
Ω(Max.)@V
GS
=10 V,
I
D
=0.225 A
= LOW
栅极电荷
（典型值。
5.8
NC ）
低C
RSS
（典型值。
5
pF的）
100%
雪崩测试

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FQS4901
N沟道MOSFET
  

  

 

 

  














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