【FQP4N602000年4月QFETFQP4N60600V N沟道MOSFET概述这些N沟道增强型功】,IC型号FQP4N60,FQP4N60 PDF资料,FQP4N60经销商,ic,电子元器件-51电子网

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FQP4N60

2000年4月

QFET

FQP4N60

600V N沟道MOSFET

概述

这些N沟道增强型功率场效应

晶体管采用飞兆半导体专有的，

平面条形， DMOS技术。

这种先进的技术已特别针对

最大限度地减少通态电阻，优越的开关

性能，并能承受高能量脉冲

雪崩和减刑模式。这些装置是公

适用于高效率开关模式电源。

TM

特点

4.4A ， 600V ，R

DS （ ON）

= 2.2 @V

GS

= 10 V

低栅极电荷（典型的15 NC）

低的Crss （典型值8.0 pF的）

快速开关

100％的雪崩测试

改进的dv / dt能力

D

!

＆ QUOT ;

G

G

!

DS

！ "

＆ QUOT ;

＆ QUOT ;

TO-220

FQP系列

!

S

绝对最大额定值？

符号

V

DSS

I

D

I

DM

V

GSS

E

AS

I

AR

E

AR

dv / dt的

P

D

T

J

, T

英镑

T

L

T

C

= 25 ° C除非另有说明

参数

漏源电压

- 连续（T

C

= 25°C)

漏电流

- 连续（T

C

= 100°C)

漏电流

- 脉冲

（注1 ）

FQP4N60

600

4.4

2.8

17.6

±30

（注2 ）

（注1 ）

（注1 ）

（注3）

单位

V

A

A

A

V

mJ

A

mJ

V / ns的

W

W / ℃，

°C

°C

栅源电压

单脉冲雪崩能量

雪崩电流

重复性雪崩能量

峰值二极管恢复的dv / dt

功率耗散（T

C

= 25°C)

260

4.4

10.6

4.5

106

0.85

-55到+150

300

- 减免上述25℃

工作和存储温度范围

最大无铅焊接温度的目的，

1/8 ？从案例5秒

热特性

符号

R

θJC

R

θCS

R

θJA

参数

热阻，结到外壳

热电阻，外壳到散热器

热阻，结到环境

典型值

--

0.5

--

最大

1.18

--

62.5

单位

？°C W

？°C W

？°C W

2000仙童半导体国际

版本A ， 2000年4月

FQP4N60

电气特性?????

T

符号

参数

C

= 25 ° C除非另有说明

测试条件

民

典型值

最大

单位

开关特性

BV

DSS

ΔBV

DSS

/

T

J

I

DSS

I

GSSF

I

GSSR

漏源击穿电压

击穿电压温度

系数

零栅极电压漏极电流

门体漏电流，正向

门体漏电流，反向

V

GS

= 0 V，I

D

= 250

A

I

D

= 250

A,

参考25 ℃下

V

DS

= 600 V, V

GS

= 0 V

V

DS

= 480 V ，T

C

= 125°C

V

GS

= 30 V, V

DS

= 0 V

V

GS

= -30 V, V

DS

= 0 V

600

--

--

--

--

--

--

0.6

--

--

--

--

--

--

10

100

100

-100

V

V /°C的

A

A

nA

nA

基本特征

V

GS （ TH）

R

DS （ ON）

g

FS

栅极阈值电压

静态漏源

导通电阻

正向跨导

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250

A

V

GS

= 10 V，I

D

= 2.2 A

V

DS

= 50 V，I

D

= 2.2 A

（注4 ）

3.0

--

--

--

1.77

4.0

5.0

2.2

--

V

S

动态特性

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

输入电容

输出电容

反向传输电容

V

DS

= 25 V, V

GS

= 0 V,

F = 1.0 MHz的

--

--

--

520

70

8

670

90

11

pF

pF

pF

开关特性

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

g

Q

gs

Q

gd

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

V

DS

= 480 V，I

D

= 4.4 A,

V

GS

= 10 V

（注4,5）

V

DD

= 300 V，I

D

= 4.4 A,

R

G

= 25

（注4,5）

--

--

--

--

--

--

--

13

45

25

35

15

3.4

7.1

35

100

60

80

20

--

--

ns

ns

ns

ns

nC

nC

nC

漏源二极管的特性和最大额定值

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

最大连续漏源二极管的正向电流

最大脉冲漏源二极管的正向电流

V

GS

= 0 V，I

S

= 4.4 A

漏源二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

V

GS

= 0 V，I

S

= 4.4 A,

dI

F

/ DT = 100 A / μs的

（注4 ）

--

--

--

--

--

--

--

--

250

1.5

4.4

17.6

1.4

--

--

A

A

V

ns

C

注意事项：

1.重复额定值：脉冲宽度有限的最高结温

2， L = 25mH ，我

AS

= 4.4A ，V

DD

= 50V ，R

G

= 25

,

起始物为

J

= 25°C

3. I

SD

4.4A ， di / dt的

200A / μs的，V

DD

BV

DSS ，

起始物为

J

= 25°C

4.脉冲测试：脉冲宽度

300μS ，占空比

2%

5.基本上是独立工作温度

2000仙童半导体国际

版本A ， 2000年4月

FQP4N60

典型特征

10

1

I

D

，漏电流[ A]

I

D

，漏电流[ A]

V

GS

15 V

10 V

8.0 V

7.0 V

6.5 V

6.0 V

底部： 5.5 V

上图：

10

1

150

10

0

10

0

25

-55

注意事项：

1. V

DS

= 50V

2. 250 ？脉冲测试

s

10

-1

注意事项：

1. 250 ？脉冲测试

s

2. T

C

= 25

10

-1

10

0

10

1

10

-1

2

4

6

8

10

V

DS

，漏源电压[V]

V

GS

，栅源电压[V]

图1.区域特征

图2.传输特性

6

10

5

1

V

GS

= 10V

R

DS （ ON）

[

],

漏源导通电阻

4

V

GS

= 20V

3

I

DR

，反向漏电流[ A]

10

0

2

150

25

注意事项：

1. V

GS

= 0V

2. 250 ？脉冲测试

s

1

注：t

J

= 25

0

0

2

4

6

8

10

12

10

-1

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

1.8

I

D

，漏电流[ A]

V

SD

，源极 - 漏极电压[ V]

图3.导通电阻变化对比

漏电流和栅极电压

图4.体二极管正向电压

变化与源电流

和温度

1000

C

国际空间站

= C

gs

+ C

gd

(C

ds

=短路）

C

OSS

= C

ds

+ C

gd

C

RSS

= C

gd

12

800

10

V

DS

= 120V

V

DS

= 300V

C

国际空间站

V

GS

，栅源电压[V]

8

V

DS

= 480V

电容[ pF的]

600

C

OSS

6

400

注意事项：

1. V

GS

= 0 V

2. F = 1 MHz的

4

C

RSS

200

2

注：我

D

= 4.4 A

0

-1

10

0

10

0

10

1

0

3

6

9

12

15

V

DS

，漏源电压[V]

Q

G

，总栅极电荷[ NC ]

图5.电容特性

图6.栅极电荷特性

2000仙童半导体国际

版本A ， 2000年4月

FQP4N60

典型特征

（续）

1.2

3.0

2.5

BV

DSS

（范

alized ）

漏源击穿电压

R

DS （ ON）

（归一化）

漏源导通电阻

1.1

2.0

1.0

1.5

1.0

注意事项：

1. V

GS

= 10 V

2. I

D

= 2.2 A

0.9

注意事项：

1. V

GS

= 0 V

2. I

D

= 250

A

0.5

0.8

-100

-50

0

50

100

o

150

200

0.0

-100

-50

0

50

100

o

150

200

T

J

，结温[C]

T

J

，结温[C]

图7.击穿电压变化

与温度的关系

图8.导通电阻变化

与温度的关系

5

在这一领域

由R有限公司

DS （ ON）

4

10

1

100

s

1毫秒

10毫秒

DC

I

D

，漏电流[ A]

I

D

，漏电流[ A]

3

3

2

10

0

注意事项：

1. T

C

= 25 C

2. T

J

= 150 C

3.单脉冲

o

o

1

10

-1

10

0

10

1

10

2

10

0

25

50

75

100

125

150

V

DS

，漏源电压[V]

T

C

，外壳温度[

]

图9.最高安全工作区

图10.最大漏极电流

与外壳温度

（T ）和T H的é R M一l研究（E S） P 0：N发E

10

0

D = 0 .5

0 .2

0 .1

10

-1

N 2 O TE S：

1 . Z

J·C

( t ) = 1 . 1 8

/ W M A X 。

2 。 ü TY F A （C T） R，D = T

1

/t

2

3 . T

J·M

- T

C

= P

D M

* Z

J·C

( t )

0 .0 5

0 .0 2

0 .0 1

S IN克乐P ü LS ê

10

-2

P

DM

t

1

t

2

Z

JC

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

10

-1

10

0

10

1

t

1

，S单方W AVE P ü LS E D URAT IO N [秒]

图11.瞬态热响应曲线

2000仙童半导体国际

版本A ， 2000年4月

FQP4N60

栅极电荷测试电路波形&

50K

12V

200nF

300nF

同一类型

作为DUT

V

DS

V

GS

Q

g

10V

Q

gs

Q

gd

V

GS

DUT

3mA

收费

电阻开关测试电路波形&

V

DS

V

GS

R

G

R

L

V

DD

V

DS

90%

10V

DUT

V

GS

10%

t

D（上）

t

on

t

r

t

D（关闭）

t

关闭

t

f

非钳位感应开关测试电路波形&

L

V

DS

I

D

R

G

V

DD

DUT

t

p

BV

DSS

1

---- L I

AS2

--------------------

E

AS

=

2

BV

DSS

- V

DD

BV

DSS

I

AS

I

D

(t)

V

DD

t

p

10V

V

DS

(t)

时间

2000仙童半导体国际

版本A ， 2000年4月

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12000

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原装正品样品可售长期货源

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5960

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VB

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