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FQP3P50

2000年8月

QFET

FQP3P50

500V P沟道MOSFET

概述

这些P沟道增强型功率场效应

晶体管采用飞兆半导体专有的，

平面条形， DMOS技术。

这种先进的技术已特别针对

最大限度地减少通态电阻，优越的开关

性能，并能承受高能量脉冲

雪崩和减刑模式。这些装置是公

基于免费的适合于电子镇流器

半桥。

TM

特点

-2.7A ， -500V ，R

DS （ ON）

= 4.9 @V

GS

= -10 V

低栅极电荷（典型的18 NC）

低的Crss （典型值9.5 pF的）

快速开关

100％的雪崩测试

改进的dv / dt能力

S

!

●

●

G

!

▲

●

g DS的

TO-220

FQP系列

!

D

绝对最大额定值

符号

V

DSS

I

D

I

DM

V

GSS

E

AS

I

AR

E

AR

dv / dt的

P

D

T

J

, T

英镑

T

L

T

C

= 25 ° C除非另有说明

参数

漏源电压

- 连续（T

C

= 25°C)

漏电流

- 连续（T

C

= 100°C)

漏电流

- 脉冲

（注1 ）

FQP3P50

-500

-2.7

-1.71

-10.8

±

30

（注2 ）

（注1 ）

（注1 ）

（注3）

单位

V

A

A

A

V

mJ

A

mJ

V / ns的

W

W / ℃，

°C

°C

栅源电压

单脉冲雪崩能量

雪崩电流

重复性雪崩能量

峰值二极管恢复的dv / dt

功率耗散（T

C

= 25°C)

250

-2.7

8.5

-4.5

85

0.68

-55到+150

300

- 减免上述25℃

工作和存储温度范围

最大无铅焊接温度的目的，

8分之1 ＆ QUOT ;从案例5秒

热特性

符号

R

θJC

R

θCS

R

θJA

参数

热阻，结到外壳

热电阻，外壳到散热器

热阻，结到环境

典型值

--

0.5

--

最大

1.47

--

62.5

单位

° C / W

° C / W

° C / W

2000仙童半导体国际

版本A ， 2000年8月

FQP3P50

Elerical特点

符号

参数

T

C

= 25 ° C除非另有说明

测试条件

民

典型值

最大

单位

开关特性

BV

DSS

ΔBV

DSS

/

T

J

I

DSS

I

GSSF

I

GSSR

漏源击穿电压

击穿电压温度

系数

零栅极电压漏极电流

门体漏电流，正向

门体漏电流，反向

V

GS

= 0 V，I

D

= -250

A

I

D

= -250

A,

参考25 ℃下

V

DS

= -500 V, V

GS

= 0 V

V

DS

= -400 V，T

C

= 125°C

V

GS

= -30 V, V

DS

= 0 V

V

GS

= 30 V, V

DS

= 0 V

-500

--

--

--

--

--

--

0.42

--

--

--

--

--

--

-1

-10

-100

100

V

V /°C的

A

A

nA

nA

基本特征

V

GS （ TH）

R

DS （ ON）

g

FS

栅极阈值电压

静态漏源

导通电阻

正向跨导

V

DS

= V

GS

, I

D

= -250

A

V

GS

= -10 V，I

D

= -1.35 A

V

DS

= -50 V，I

D

= -1.35 A

（注4 ）

-3.0

--

--

--

3.9

2.35

-5.0

4.9

--

V

S

动态特性

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

输入电容

输出电容

反向传输电容

V

DS

= -25 V, V

GS

= 0 V,

F = 1.0 MHz的

--

--

--

510

70

9.5

660

90

12

pF

pF

pF

开关特性

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

g

Q

gs

Q

gd

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

V

DD

= -250 V，I

D

= -2.7 A,

R

G

= 25

（注4,5）

--

--

--

--

--

--

--

12

56

35

45

18

3.6

9.2

35

120

80

100

23

--

--

ns

ns

ns

ns

nC

nC

nC

V

DS

= -400 V，I

D

= -2.7 A,

V

GS

= -10 V

（注4,5）

漏源二极管的特性和最大额定值

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

最大连续漏源二极管的正向电流

最大脉冲漏源二极管的正向电流

V

GS

= 0 V，I

S

= -2.7 A

漏源二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

V

GS

= 0 V，I

S

= -2.7 A,

dI

F

/ DT = 100 A / μs的

（注4 ）

--

--

--

--

--

--

--

--

270

1.5

-2.7

-10.8

-5.0

--

--

A

A

V

ns

C

注意事项：

1.重复额定值：脉冲宽度有限的最高结温

2， L = 62mH ，我

AS

= -2.7A ，V

DD

= -50V ，R

G

= 25

,

起始物为

J

= 25°C

3. I

SD

≤

-2.7A ， di / dt的

≤

200A / μs的，V

DD

≤

BV

DSS ，

起始物为

J

= 25°C

4.脉冲测试：脉冲宽度

≤

300μS ，占空比

≤

2%

5.基本上是独立工作温度

2000仙童半导体国际

版本A ， 2000年8月

FQP3P50

典型特征

10

1

-I

D

，漏电流[ A]

-I

D

，漏电流[ A]

10

0

V

GS

上图：

-15.0 V

-10.0 V

-8.0 V

-7.0 V

-6.5 V

-6.0 V

下图： -5.5 V

10

1

10

0

150℃

10

-1

25℃

-55℃

※

注意事项：

1. V

DS

= -50V

2. 250 ？脉冲测试

s

※

注意事项：

1. 250 ？脉冲测试

s

2. T

C

= 25℃

10

-2

10

-1

10

0

10

1

10

-1

2

4

6

8

10

-V

DS

，漏源电压[V]

-V

GS

，栅源电压[V]

图1.区域特征

图2.传输特性

8

10

1

7

R

DS （ ON）

[

],

漏源导通电阻

6

V

GS

= - 20V

5

-I

DR

，反向漏电流[ A]

V

GS

= - 10V

10

0

4

3

※

注：t

J

= 25℃

150℃

25℃

※

注意事项：

1. V

GS

= 0V

2. 250 ？脉冲测试

s

2

0

2

4

6

8

10

-1

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

-I

D

，漏电流[ A]

-V

SD

，源极 - 漏极电压[ V]

图3.导通电阻变化对比

漏电流和栅极电压

图4.体二极管正向电压

变化与源电流

和温度

1200

C

国际空间站

= C

gs

+ C

gd

(C

ds

=短路）

C

OSS

= C

ds

+ C

gd

C

RSS

= C

gd

12

1000

10

V

DS

= -100V

V

DS

= -250V

-V

GS

，栅源电压[V]

800

8

电容[ pF的]

C

国际空间站

600

V

DS

= -400V

6

C

OSS

400

※

注意事项：

1. V

GS

= 0 V

2. F = 1 MHz的

4

200

C

RSS

2

※

注：我

D

= -2.7 A

0

-1

10

0

10

0

10

1

0

2

4

6

8

10

12

14

16

18

20

V

DS

，漏源电压[V]

Q

G

，总栅极电荷[ NC ]

图5.电容特性

图6.栅极电荷特性

2000仙童半导体国际

版本A ， 2000年8月

FQP3P50

典型特征

（续）

1.2

2.5

-bv

DSS

（归一化）

漏源击穿电压

2.0

R

DS （ ON）

（归一化）

漏源导通电阻

1.1

1.5

1.0

1.0

0.9

※

注意事项：

1. V

GS

= 0 V

A

2. I

D

= -250

μ

0.5

※

注意事项：

1. V

GS

= -10 V

2. I

D

= -1.35 A

0.8

-100

-50

0

50

100

o

150

200

0.0

-100

-50

0

50

100

o

150

200

T

J

，结温[C]

T

J

，结温[C]

图7.击穿电压变化

与温度的关系

图8.导通电阻变化

与温度的关系

3.0

在这一领域

由R有限公司

DS （ ON）

2.5

10

1

100

s

10毫秒

-I

D

，漏电流[ A]

10

0

DC

-I

D

，漏电流[ A]

3

1毫秒

2.0

1.5

1.0

10

-1

※

注意事项：

1. T

C

= 25 C

2. T

J

= 150 C

3.单脉冲

o

o

0.5

10

-2

10

0

10

1

10

2

10

0.0

25

50

75

100

125

150

-V

DS

，漏源电压[V]

T

C

，外壳温度[

℃

]

图9.最高安全工作区

图10.最大漏极电流

与外壳温度

（T ）和T H的é R M一l研究（E S） P 0：N发E

10

0

D = 0 .5

※

N 2 O TE S：

1 . Z

θ

J·C

( t ) = 1 . 4 7

℃

/ W M A X 。

2 。 ü TY F A （C T） R，D = T

1

/t

2

3 . T

J·M

- T

C

= P

D M

* Z

θ

J·C

( t )

0 .2

0 .1

10

-1

0 .0 5

0 .0 2

0 .0 1

S IN克乐P ü LS ê

P

DM

t

1

t

2

Z

θ

JC

10

-2

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

10

-1

10

0

10

1

t

1

，S单方W AVE P ü LS E D URAT IO N [秒]

图11.瞬态热响应曲线

2000仙童半导体国际

版本A ， 2000年8月

FQP3P50

栅极电荷测试电路波形&

50KΩ

12V

200nF

300nF

同一类型

作为DUT

V

DS

V

GS

Q

g

-10V

Q

gs

Q

gd

V

GS

DUT

-3mA

收费

电阻开关测试电路波形&

V

DS

V

GS

R

G

R

L

V

DD

t

D（上）

t

on

t

r

t

D（关闭）

t

关闭

t

f

V

GS

10%

-10V

DUT

V

DS

90%

非钳位感应开关测试电路波形&

L

V

DS

I

D

R

G

DUT

t

p

BV

DSS

1

E

AS

= ---- L I

AS2

--------------------

2

BV

DSS

- V

DD

t

p

时间

V

DS

(t)

V

DD

V

DD

I

D

(t)

I

AS

BV

DSS

-10V

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