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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符F型号页 > 首字符F的型号第4页 > FQP3N80C
FQP3N80C/FQPF3N80C
QFET
FQP3N80C/FQPF3N80C
800V N沟道MOSFET
概述
这些N沟道增强型功率场效应
晶体管采用飞兆半导体专有的，
平面条形， DMOS技术。
这种先进的技术已特别针对
最大限度地减少通态电阻，优越的开关
性能，并能承受高能量脉冲
雪崩和减刑模式。这些装置是公
适用于高效率开关模式电源。
TM
特点
3.0A ， 800V ，R
DS （ ON）
= 4.8 @V
GS
= 10 V
低栅极电荷（典型的13 NC）
低的Crss （典型值5.5 pF的）
快速开关
100％的雪崩测试
改进的dv / dt能力
D
!
●
▲
●
●
G
!
g DS的
TO-220
FQP系列
GD S
TO-220F
FQPF系列
!
S
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GSS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
P
D
T
J
, T
英镑
T
L
T
C
= 25 ° C除非另有说明
参数
漏源电压
- 连续（T
C
= 25°C)
漏电流
- 连续（T
C
= 100°C)
漏电流
- 脉冲
（注1 ）
FQP3N80C
800
3
1.9
12
FQPF3N80C
3*
1.9 *
12 *
±
30
320
3
10.7
4.5
单位
V
A
A
A
V
mJ
A
mJ
V / ns的
W
W / ℃，
°C
°C
栅源电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
功率耗散（T
C
= 25°C)
（注2 ）
（注1 ）
（注1 ）
（注3）
- 减免上述25℃
工作和存储温度范围
最大无铅焊接温度的目的，
8分之1 ＆ QUOT ;从案例5秒
107
0.85
-55到+150
300
39
0.31
*漏电流受最高结温。
热特性
符号
R
θJC
R
θCS
R
θJA
参数
热阻，结到外壳
热电阻，凯斯到水槽典型。
热阻，结到环境
FQP3N80C
1.17
0.5
62.5
FQPF3N80C
3.2
--
62.5
单位
° C / W
° C / W
° C / W
2003仙童半导体公司
版本A ， 2003年4月
FQP3N80C/FQPF3N80C
电气特性
符号
参数
T
C
= 25 ° C除非另有说明
测试条件
民
典型值
最大
单位
开关特性
BV
DSS
ΔBV
DSS
/
T
J
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门体漏电流，正向
门体漏电流，反向
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
A
I
D
= 250
A,
参考25 ℃下
V
DS
= 800 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 640 V，T
C
= 125°C
V
GS
= 30 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= -30 V, V
DS
= 0 V
800
--
--
--
--
--
--
1
--
--
--
--
--
--
10
100
100
-100
V
V /°C的
A
A
nA
nA
基本特征
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
栅极阈值电压
静态漏源
导通电阻
正向跨导
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
A
V
GS
= 10 V，I
D
= 1.5 A
V
DS
= 50 V，I
D
= 1.5 A
（注4 ）
3.0
--
--
--
4.0
3
5.0
4.8
--
V
S
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
--
--
--
543
54
5.5
705
70
7.5
pF
pF
pF
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DS
= 640 V，I
D
= 3 A,
V
GS
= 10 V
（注4,5）
V
DD
= 400 V，I
D
= 3 A,
R
G
= 25
（注4,5）
--
--
--
--
--
--
--
15
43.5
22.5
32
13
3.4
5.8
40
95
55
75
16.5
--
--
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
漏源二极管的特性和最大额定值
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
最大连续漏源二极管的正向电流
最大脉冲漏源二极管的正向电流
V
GS
= 0 V，I
S
= 3.0 A
漏源二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
GS
= 0 V，I
S
= 3.0 A,
dI
F
/ DT = 100 A / μs的
（注4 ）
--
--
--
--
--
--
--
--
642
4.0
3.0
12
1.4
--
--
A
A
V
ns
C
注意事项：
1.重复额定值：脉冲宽度有限的最高结温
2， L = 67mH ，我
AS
= 3.0A ，V
DD
= 50V ，R
G
= 25
,
起始物为
J
= 25°C
3. I
SD
≤
图3A中， di / dt的
≤
200A / μs的，V
DD
≤
BV
DSS ，
起始物为
J
= 25°C
4.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2%
5.基本上是独立工作温度
2003仙童半导体公司
版本A ， 2003年4月
FQP3N80C/FQPF3N80C
典型特征
10
1
I
D
，漏电流[ A]
I
D
，漏电流[ A]
10
0
V
GS
15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
底部： 5.5 V
上图：
10
1
150 C
o
o
10
0
-55 C
25 C
o
10
-1
※
注意事项：
1. 250μ s脉冲测试
2. T
C
= 25℃
※
注意事项：
1. V
DS
= 50V
2. 250μ s脉冲测试
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
-1
4
6
8
10
V
DS
，漏源电压[V]
V
GS
，栅源电压[V]
图1.区域特征
图2.传输特性
10
10
1
V
GS
= 10V
R
DS （ ON）
[
Ω
],
漏源导通电阻
V
GS
= 20V
6
I
DR
，反向漏电流[ A]
8
10
0
4
150℃
25℃
※
注意事项：
1. V
GS
= 0V
2. 250μ s脉冲测试
※
注：t
J
= 25℃
2
0
2
4
6
8
10
-1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
I
D
，漏电流[ A]
V
SD
，源极 - 漏极电压[ V]
图3.导通电阻变化VS
漏电流和栅极电压
图4.体二极管正向电压
变化与源电流
和温度
800
12
C
国际空间站
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
=短路）
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
C
RSS
= C
gd
V
DS
= 160V
10
C
国际空间站
600
V
DS
= 400V
V
DS
= 640V
V
GS
，栅源电压[V]
8
电容[ pF的]
400
C
OSS
※
注意事项：
1. V
GS
= 0 V
2. F = 1 MHz的
6
4
200
C
RSS
2
※
注：我
D
= 3A
0
-1
10
0
10
0
10
1
0
3
6
9
12
15
V
DS
，漏源电压[V]
Q
G
，总栅极电荷[ NC ]
图5.电容特性
图6.栅极电荷特性
2003仙童半导体公司
版本A ， 2003年4月
FQP3N80C/FQPF3N80C
典型特征
（续）
1.2
3.0
2.5
BV
DSS
（归一化）
漏源击穿电压
R
DS （ ON）
（归一化）
漏源导通电阻
1.1
2.0
1.0
1.5
1.0
※
注意事项：
1. V
GS
= 10 V
2. I
D
= 1.5 A
0.9
※
注意事项：
1. V
GS
= 0 V
2. I
D
= 250
μ
A
0.5
0.8
-100
-50
0
50
100
o
150
200
0.0
-100
-50
0
50
100
o
150
200
T
J
，结温[C]
T
J
，结温[C]
图7.击穿电压变化
与温度
图8.导通电阻变化
与温度
在这一领域
由R有限公司
DS （ ON）
在这一领域
由R有限公司
DS （ ON）
10
1
100
s
1毫秒
10毫秒
100毫秒
DC
10
1
100
s
1毫秒
I
D
，漏电流[ A]
I
D
，漏电流[ A]
10
0
10
0
10毫秒
100毫秒
DC
10
-1
10
-1
※
注意事项：
1. T
C
= 25 C
o
2. T
J
= 150 C
3.单脉冲
o
※
注意事项：
1. T
C
= 25 C
o
2. T
J
= 150 C
3.单脉冲
o
10
-2
10
0
-2
10
10
1
10
2
10
3
10
0
10
1
10
2
10
3
V
DS
，漏源电压[V]
V
DS
，漏源电压[V]
图9-1 。最大安全工作区
对于FQP3N80C
图9-2 。最大安全工作区
对于FQPF3N80C
4
3
I
D
，漏电流[ A]
2
1
0
25
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度[
℃
]
图10.最大漏极电流
VS外壳温度
2003仙童半导体公司
版本A ， 2003年4月
FQP3N80C/FQPF3N80C
典型特征
（续）
（T ）和T H的ê马币一l研究（E S） P 0：N发E
10
0
D = 0 .5
0 .2
-1
10
0 .1
0 .0 5
0 .0 2
0 .0 1
S IN克乐P ü LS ê
※
N 2 O TE S：
1 . Z
θ
J·C
(t) = 1 .1 7
℃
/ W M A X 。
2 。 ü TY F A C到R，D = T
1
/t
2
3 . T
J·M
- T
C
= P
D M
* Z
θ
J·C
(t)
P
DM
t
1
t
2
Z
θ
JC
10
-2
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
t
1
，S之四重W AVE P ü LS E D市建局TIO N [秒]
图11-1 。瞬态热响应曲线FQP3N80C
（T ）和T H的é R M一l研究（E S） P 0：N发E
D = 0 .5
10
0
0 .2
0 .1
0 .0 5
10
-1
※
N 2 O TE S：
1 . Z
θ
J·C
(t) = 3 .2
℃
/ W M A X 。
2 。 ü TY F A C到R，D = T
1
/t
2
3 . T
J·M
- T
C
= P
D M
* Z
θ
J·C
(t)
0 .0 2
0 .0 1
S IN克乐P ü LS ê
θ
JC
P
DM
t
1
t
2
Z
10
-2
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
t
1
，S之四重W AVE P ü LS E D市建局TIO N [秒]
图11-2 。瞬态热响应曲线FQPF3N80C
2003仙童半导体公司
版本A ， 2003年4月
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FS8853-30PL
FR02FR10P-S
FM810LFS3
FU-68PDF-V510M169B
FX20SM3
FSTYC9055D1
FTR-F2AL024T
FU-653SEA-V93F
FT100DM-8
FA1A4P-T1B
FYS-5611AX-2
FYD-4021IX
FMC4A
FSUSB63UMX
FAIDM220
FC22-007-24
FX5545G0063V9B1E2
FYE-600XZX-3
FM2400TSIM
FX5545G0082V0T1E2
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封装
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    电话：0755-23063133/23042311
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    FQP3N80C
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    FQP3N80C
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联系人：骆
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