FQP3N50C / FQPF3N50C 500V N沟道MOSFET
QFET
FQP3N50C/FQPF3N50C
500V N沟道MOSFET
特点
3 A， 500 V ，R
DS （ ON）
= 2.5
@ V
GS
= 10 V
低栅极电荷（典型的10 NC）
低的Crss （典型值8.5 pF的）
快速开关
100 ％雪崩测试
改进dv / dt能力
描述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管
器都采用飞兆半导体专有的，平面条形制作，
DMOS技术。
这种先进的技术已特别针对微型
迈兹的导通电阻，优越的开关perfor-
曼斯，并能承受高能量脉冲雪崩和
换流模式。这些装置非常适用于高艾菲
效率开关电源，有源功率因数cor-
基于半桥拓扑rection ，电子镇流器。
D
●
G
g DS的
▲
●
●
TO-220
FQP系列
GD S
TO-220F
FQPF系列
S
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
漏电流
参数
漏源电压
- 连续（T
C
= 25°C)
- 连续（T
C
= 100°C)
FQP3N50C
500
3
1.8
（注1 ）
FQPF3N50C
3*
1.8 *
12 *
±
30
200
3
6.2
4.5
单位
V
A
A
A
V
mJ
A
mJ
V / ns的
W
W / ℃，
°C
°C
I
DM
V
GSS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
P
D
漏电流
- 脉冲
12
栅源电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
功率耗散（T
C
= 25°C)
- 减免上述25℃
（注2 ）
（注1 ）
（注1 ）
（注3）
62
0.5
-55到+150
300
25
0.2
T
J
, T
英镑
T
L
工作和存储温度范围
最大无铅焊接温度的目的，
8分之1 ＆ QUOT ;从案例5秒
*漏电流受最高结温
热特性
符号
R
θJC
R
θJS
R
θJA
参数
热阻，结到外壳
热电阻，凯斯到水槽典型。
热阻，结到环境
FQP3N50C
2.0
0.5
62.5
FQPF3N50C
4.9
--
62.5
单位
° C / W
° C / W
° C / W
2005仙童半导体公司
1
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FQP3N50C / FQPF3N50C版本A
FQP3N50C / FQPF3N50C 500V N沟道MOSFET
包装标志和订购信息
器件标识
FQP3N50C
FQPF3N50C
设备
FQP3N50C
FQPF3N50C
包
TO-220
TO-220F
带尺寸
--
--
胶带宽度
--
--
QUANTITY
50
50
电气特性
符号
开关特性
BV
DSS
ΔBV
DSS
/
T
J
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
参数
T
C
= 25 ° C除非另有说明
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门体漏电流，正向
门体漏电流，反向
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
A
I
D
= 250
A,
参考25 ℃下
V
DS
= 500 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 400 V ，T
C
= 125°C
V
GS
= 30 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= -30 V, V
DS
= 0 V
500
--
--
--
--
--
--
0.7
--
--
--
--
--
--
1
10
100
-100
V
V /°C的
A
A
nA
nA
基本特征
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
栅极阈值电压
静态漏源
导通电阻
正向跨导
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
A
V
GS
= 10 V，I
D
= 1.5 A
V
DS
= 40 V，I
D
= 1.5 A
（注4 ）
2.0
--
--
--
2.1
1.5
4.0
2.5
--
V
S
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
--
--
--
280
50
8.5
365
65
11
pF
pF
pF
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DS
= 400 V，I
D
= 3 A,
V
GS
= 10 V
（注4,5）
（注4,5）
V
DD
= 250 V，I
D
= 3 A,
R
G
= 25
--
--
--
--
--
--
--
10
25
35
25
10
1.5
5.5
30
60
80
60
13
--
--
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
漏源二极管的特性和最大额定值
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
注意事项：
1.重复额定值：脉冲宽度有限的最高结温
2， L = 40mH ，我
AS
= 3A ，V
DD
= 50V ，R
G
= 25
,
起始物为
J
= 25°C
3. I
SD
≤
图3A中， di / dt的
≤
200A / μs的，V
DD
≤
BV
DSS ，
起始物为
J
= 25°C
4.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2%
5.基本上是独立工作温度
最大连续漏源二极管的正向电流
最大脉冲漏源二极管的正向电流
漏源二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
GS
= 0 V，I
S
= 3 A
V
GS
= 0 V，I
S
= 3 A,
dI
F
/ DT = 100 A / μs的
（注4 ）
--
--
--
--
--
--
--
--
170
0.7
3
12
1.4
--
--
A
A
V
ns
C
FQP3N50C / FQPF3N50C版本A
2
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FQP3N50C / FQPF3N50C 500V N沟道MOSFET
典型性能特性
图1.区域特征
V
GS
图2.传输特性
10
1
10
1
I
D
，漏电流[ A]
I
D
，漏电流[ A]
15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
5.5 V
底部： 5.0 V
上图：
150
°
C
10
0
10
0
25
°
-55
°
10
-1
注意事项：
1. 250
s脉冲测试
2. T
C
= 25
°
C
-1
记
1. V
DS
= 40V
2. 250
s脉冲测试
-1
10
10
0
10
1
10
2
4
6
8
10
V
DS
，漏源电压[V]
V
GS
，栅源电压[V]
图3.导通电阻变化对比
漏电流和栅极电压
图4.体二极管正向电压
变化与源电流
和Temperatue
8.0
7.5
R
DS （ ON）
[
],
漏源导通电阻
7.0
6.5
6.0
5.5
5.0
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
0
2
4
6
注：t
J
= 25
°
C
V
GS
= 10V
I
DR
，反向漏电流[ A]
10
0
V
GS
= 20V
150
°
C
25
°
C
注意事项：
1. V
GS
= 0V
2. 250
s脉冲测试
8
10
10
-1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
I
D
，漏电流[ A]
V
SD
，源极 - 漏极电压[ V]
图5.电容特性
C
国际空间站
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
=短路）
图6.栅极电荷特性
12
600
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
C
RSS
= C
gd
10
V
GS
，栅源电压[V]
V
DS
= 100V
V
DS
= 250V
V
DS
= 400V
电容[ pF的]
C
国际空间站
400
8
C
OSS
6
200
C
RSS
注意;
1. V
GS
= 0 V
2. F = 1 MHz的
4
2
注：我
D
= 3A
0
-1
10
0
10
0
10
1
0
5
10
V
DS
，漏源电压[V]
Q
G
，总栅极电荷[ NC ]
FQP3N50C / FQPF3N50C版本A
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FQP3N50C / FQPF3N50C 500V N沟道MOSFET
典型性能特性
（续）
图7.击穿电压变化
与温度的关系
1.2
图8.导通电阻变化
与温度的关系
3.0
BV
DSS
（归一化）
漏源击穿电压
1.1
R
DS （ ON）
（归一化）
漏源导通电阻
2.5
2.0
1.0
1.5
1.0
注意事项：
1. V
GS
= 10 V
2. I
D
= 1.5 A
0.9
注意事项：
1. V
GS
= 0 V
2. I
D
= 250
A
0.5
0.8
-100
-50
0
50
100
150
200
0.0
-100
-50
0
50
100
150
200
T
J
，结温[
°
C]
T
J
，结温[
°
C]
图9-1 。最大安全工作区
FQP3N50C的
2
图9-2 。最大安全工作区
FQPF3N50C的
2
10
在这一领域
由R有限公司
DS （ ON）
10
在这一领域
由R有限公司
DS （ ON）
I
D
，漏电流[ A]
10
1
I
D
，漏电流[ A]
100
s
1毫秒
10毫秒
100毫秒
DC
注意事项：
1. T
C
= 25
°
C
2. T
J
= 150
°
C
3.单脉冲
10
1
100
s
1毫秒
10毫秒
100毫秒
DC
10
0
10
0
10
-1
10
-1
注意事项：
1. T
C
= 25
°
C
2. T
J
= 150
°
C
3.单脉冲
10
-2
10
0
10
1
10
2
10
3
10
-2
10
0
10
1
10
2
10
3
V
DS
，漏源电压[V]
V
DS
，漏源电压[V]
图10. MaximumDrain电流
3
I
D
，漏电流[ A]
2
1
0
25
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度[
°
C]
FQP3N50C / FQPF3N50C版本A
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FQP3N50C / FQPF3N50C 500V N沟道MOSFET
典型性能特性
（续）
图11-1 。 FQP3N50C的ransient热响应曲线
10
0
D=0.5
Z
θ
JC
（T ） ，热响应
0.2
0.1
10
-1
OTES ：
1. Z
θ
JC
(t) = 2
°
C /女男斧头。
2.占空比，D = T
1
/t
2
3. T
JM
- T
C
= P
DM
* Z
θ
JC
(t)
0.05
0.02
0.01
单脉冲
10
-2
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
t
1
，广场W AVE脉冲持续时间[秒]
图11-2 。 FQPF3N50C的ransient热响应曲线
D=0.5
Z
θ
JC
（T ） ，热响应
10
0
0.2
0.1
0.05
注意事项：
1. Z
θ
JC
(t) = 4.9
°
C / W最大。
2.占空比，D = T
1
/t
2
3. T
JM
- T
C
= P
DM
* Z
θ
JC
(t)
10
-1
0.02
0.01
单脉冲
10
-2
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
t
1
，广场W AVE脉冲持续时间[秒]
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