FQP10N50CF / FQPF10N50CF 500V N沟道MOSFET
2006年12月
FRFET
F
QP10N50CF / FQPF10N50CF
500V N沟道MOSFET
特点
10A ， 500V ，R
DS （ ON）
= 0.61
@V
GS
= 10 V
低栅极电荷（典型的43 NC）
低的Crss （典型值16pF的）
快速开关
100 ％雪崩测试
改进dv / dt能力
快速恢复体二极管
TM
描述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管
器都采用飞兆半导体专有的，平面条形制作，
DMOS技术。
这种先进的技术已特别针对微型
迈兹的导通电阻，优越的开关perfor-
曼斯，并能承受高能量脉冲雪崩和
换流模式。这些装置非常适用于高艾菲
cient开关模式电源和有源功率因数
校正。
D
G
g DS的
TO-220
FQP系列
GD S
TO-220F
FQPF系列
S
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GSS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
P
D
T
J,
T
英镑
T
L
漏源电压
漏电流
- 连续（T
C
= 25°C)
- 连续（T
C
= 100°C)
漏电流
栅源电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
功耗
(T
C
= 25°C)
- 减免上述25℃
工作和存储温度范围
最大无铅焊接温度的目的，
1/8 ？从案例5秒
（注2 ）
（注1 ）
（注1 ）
（注3）
参数
FQP10N50CF
10
6.35
（注1 ）
FQPF10N50CF
500
10*
6.35*
40*
±
30
388
10
14.3
4.5
单位
V
A
A
A
V
mJ
A
mJ
V / ns的
- 脉冲
40
143
1.14
-55到+150
300
48
0.38
W
W / ℃，
°C
°C
*漏电流受最高结温
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
参数
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
FQP10N50CF
0.87
62.5
FQPF10N50CF
2.58
62.5
单位
° C / W
° C / W
2006仙童半导体公司
1
www.fairchildsemi.com
FQP10N50CF / FQPF10N50CF版本A
FQP10N50CF / FQPF10N50CF 500V N沟道MOSFET
包装标志和订购信息
器件标识
FQP10N50CF
FQPF10N50CF
设备
FQP10N50CF
FQPF10N50CF
包
TO-220
TO-220F
T
C
= 25 ° C除非另有说明
带尺寸
-
-
胶带宽度
-
-
QUANTITY
50
50
电气特性
符号
开关特性
BV
DSS
ΔBV
DSS
/
T
J
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
注意事项：
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门体漏电流，正向
门体漏电流，反向
栅极阈值电压
静态漏源
导通电阻
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250μA ，T
J
= 25°C
I
D
= 250μA ，引用至25℃
V
DS
= 500V, V
GS
= 0V
V
DS
= 400V ，T
C
= 125°C
V
GS
= 30V, V
DS
= 0V
V
GS
= -30V, V
DS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 5A
V
DS
= 40V ，我
D
= 5A
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V,
F = 1.0MHz的
（注4 ）
民
500
--
--
--
--
--
2.0
--
--
--
--
--
典型值
--
0.5
--
--
--
--
--
0.5
15
1610
177
16
29
80
141
80
43
7.5
18.5
--
--
--
50
0.1
最大单位
--
--
10
100
100
-100
4.0
0.61
--
2096
230
24
67
170
290
165
56
--
--
10
40
1.4
--
V
V /°C的
A
A
nA
nA
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
A
A
V
ns
C
基本特征
动态特性
开关特性
V
DD
= 250V ，我
D
= 10A
R
G
= 25
（注4,5）
--
--
--
--
--
--
（注4,5）
V
DS
= 400V ，我
D
= 10A
V
GS
= 10V
--
--
--
--
--
漏源二极管的特性和最大额定值
最大连续漏源二极管的正向电流
最大脉冲漏源二极管的正向电流
漏源二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
GS
= 0V时，我
S
= 10A
V
GS
= 0V时，我
S
= 10A
dI
F
/ DT = 100A / μs的
（注4 ）
--
1.重复评价：脉冲宽度有限的最高结温
2， L = 7MH ，我
AS
= 10A ，V
DD
= 50V ，R
G
= 25
,
起始物为
J
= 25°C
3. I
SD
≤
图10A中， di / dt的
≤
200A / μs的，V
DD
≤
BV
DSS ，
起始物为
J
= 25°C
4.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2%
5.基本上是独立的工作温度典型特征
FQP10N50CF / FQPF10N50CF版本A
2
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FQP10N50CF / FQPF10N50CF 500V N沟道MOSFET
典型性能特性
图1.区域特征
图2.传输特性
10
1
I
D
，漏电流[ A]
I
D
，漏电流[ A]
V
GS
15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.0 V
5.5 V
5.0 V
底部： 4.5 V
上图：
10
1
150 C
-55 C
o
o
25 C
10
0
o
10
0
※
注意事项：
1. 250μs的脉冲测试
2. T
C
= 25
℃
※
注意事项：
1. V
DS
= 40V
2. 250μs的脉冲测试
10
-1
10
-1
-1
10
10
0
10
1
2
4
6
8
10
V
DS
，漏源电压[V]
V
GS
，栅源电压[V]
图3.导通电阻变化对比
漏电流和栅极电压
图4.体二极管正向电压
变化与源电流
和Temperatue
R
DS （ ON）
[ ],
漏源导通电阻
I
DR
，反向漏电流[ A]
1.5
V
GS
= 10V
10
1
1.0
10
0
V
GS
= 20V
0.5
※
注：t
J
= 25
℃
150
℃
25
℃
-1
※
注意事项：
1. V
GS
= 0V
2. 250μs的脉冲测试
0
5
10
15
20
25
30
35
10
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
I
D
，漏电流[ A]
V
SD
，源极 - 漏极电压[ V]
图5.电容特性
图6.栅极电荷特性
4000
C
国际空间站
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
=短路）
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
C
RSS
= C
gd
12
10
V
DS
= 100V
V
DS
= 250V
V
DS
= 400V
3000
电容[ pF的]
C
国际空间站
2000
*注意：
1. V
GS
= 0 V
2. F = 1 MHz的
V
GS
，栅源电压[V]
C
OSS
8
6
4
1000
C
RSS
2
*注：我
D
= 10A
0
-1
10
0
10
0
10
1
0
10
20
30
40
50
V
DS
，漏源电压[V]
Q
G
，总栅极电荷[ NC ]
FQP10N50CF / FQPF10N50CF版本A
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典型性能特性
（续）
图7.击穿电压变化
与温度的关系
1.2
图8.导通电阻变化
与温度的关系
3.0
BV
DSS
（归一化）
漏源击穿电压
2.5
R
DS （ ON）
（归一化）
漏源导通电阻
1.1
2.0
1.0
1.5
1.0
*注意：
1. V
GS
= 10 V
2. I
D
= 5.0 A
0.9
※
注意事项：
1. V
GS
= 0 V
2. I
D
= 250 A
0.5
0.8
-100
-50
0
50
100
o
150
200
0.0
-100
-50
0
50
100
o
150
200
T
J
，结温[C]
T
J
，结温[C]
图9-1 。最大安全工作区
对于FQP10N50CF
10
2
图9-2 。最大安全工作区
对于FQPF10N50CF
10
2
10
s
100
s
10
1
10
s
100
s
10
1
1ms
I
D
，漏电流[ A]
I
D
，漏电流[ A]
10ms
100ms
10
0
1ms
10ms
100ms
DC
在这一领域
由R有限公司
DS （ ON）
10
0
在这一领域
由R有限公司
DS （ ON）
DC
10
-1
*注意：
o
1. T
C
= 25 C
2. T
J
= 150 C
3.单脉冲
o
10
-1
*注意：
o
1. T
C
= 25 C
2. T
J
= 150 C
3.单脉冲
o
10
-2
10
0
10
1
10
2
10
3
10
-2
10
0
10
1
10
2
10
3
V
DS
，漏SourceVoltage [V ]
V
DS
，漏SourceVoltage [V ]
图10.最大漏极电流
与外壳温度
12
10
I
D
，漏电流[ A]
8
6
4
2
0
25
50
75
100
o
125
150
T
C
，外壳温度[C]
FQP10N50CF / FQPF10N50CF版本A
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FQP10N50CF / FQPF10N50CF 500V N沟道MOSFET
典型性能特性
（续）
图11-1 。瞬态热响应曲线FQP10N50CF
10
0
D=0.5
Z
？ JC
热响应
(t),
0.2
10
-1
0.1
0.05
0.02
0.01
P
DM
t
1
t
2
10
-2
单脉冲
*注意：
0
1. Z
？ JC
= 0.87 C / W
(t)
2.占空比，D = T
1
/t
2
3. T
JM
- T
C
= P
DM
* Z
？ JC
(t)
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
t
1
，方波脉冲持续时间（秒）
图11-2 。瞬态热响应曲线FQPF10N50CF
10
0
D=0.5
0.2
0.1
0.05
Z
？ JC
热响应
(t),
10
-1
0.02
0.01
P
DM
t
1
t
2
10
-2
单脉冲
*注意：
0
(t)
1. Z
？ JC
= 2.58 C / W
2.占空比，D = T
1
/t
2
3. T
JM
- T
C
= P
DM
* Z
？ JC
(t)
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
t
1
，方波脉冲持续时间（秒）
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2006年12月
FRFET
F
QP10N50CF / FQPF10N50CF
500V N沟道MOSFET
特点
10A ， 500V ，R
DS （ ON）
= 0.61
@V
GS
= 10 V
低栅极电荷（典型的43 NC）
低的Crss （典型值16pF的）
快速开关
100 ％雪崩测试
改进dv / dt能力
快速恢复体二极管
TM
描述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管
器都采用飞兆半导体专有的，平面条形制作，
DMOS技术。
这种先进的技术已特别针对微型
迈兹的导通电阻，优越的开关perfor-
曼斯，并能承受高能量脉冲雪崩和
换流模式。这些装置非常适用于高艾菲
cient开关模式电源和有源功率因数
校正。
D
G
g DS的
TO-220
FQP系列
GD S
TO-220F
FQPF系列
S
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GSS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
P
D
T
J,
T
英镑
T
L
漏源电压
漏电流
- 连续（T
C
= 25°C)
- 连续（T
C
= 100°C)
漏电流
栅源电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
功耗
(T
C
= 25°C)
- 减免上述25℃
工作和存储温度范围
最大无铅焊接温度的目的，
1/8 ？从案例5秒
（注2 ）
（注1 ）
（注1 ）
（注3）
参数
FQP10N50CF
10
6.35
（注1 ）
FQPF10N50CF
500
10*
6.35*
40*
±
30
388
10
14.3
4.5
单位
V
A
A
A
V
mJ
A
mJ
V / ns的
- 脉冲
40
143
1.14
-55到+150
300
48
0.38
W
W / ℃，
°C
°C
*漏电流受最高结温
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
参数
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
FQP10N50CF
0.87
62.5
FQPF10N50CF
2.58
62.5
单位
° C / W
° C / W
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包装标志和订购信息
器件标识
FQP10N50CF
FQPF10N50CF
设备
FQP10N50CF
FQPF10N50CF
包
TO-220
TO-220F
T
C
= 25 ° C除非另有说明
带尺寸
-
-
胶带宽度
-
-
QUANTITY
50
50
电气特性
符号
开关特性
BV
DSS
ΔBV
DSS
/
T
J
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
注意事项：
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门体漏电流，正向
门体漏电流，反向
栅极阈值电压
静态漏源
导通电阻
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250μA ，T
J
= 25°C
I
D
= 250μA ，引用至25℃
V
DS
= 500V, V
GS
= 0V
V
DS
= 400V ，T
C
= 125°C
V
GS
= 30V, V
DS
= 0V
V
GS
= -30V, V
DS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 5A
V
DS
= 40V ，我
D
= 5A
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V,
F = 1.0MHz的
（注4 ）
民
500
--
--
--
--
--
2.0
--
--
--
--
--
典型值
--
0.5
--
--
--
--
--
0.5
15
1610
177
16
29
80
141
80
43
7.5
18.5
--
--
--
50
0.1
最大单位
--
--
10
100
100
-100
4.0
0.61
--
2096
230
24
67
170
290
165
56
--
--
10
40
1.4
--
V
V /°C的
A
A
nA
nA
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
A
A
V
ns
C
基本特征
动态特性
开关特性
V
DD
= 250V ，我
D
= 10A
R
G
= 25
（注4,5）
--
--
--
--
--
--
（注4,5）
V
DS
= 400V ，我
D
= 10A
V
GS
= 10V
--
--
--
--
--
漏源二极管的特性和最大额定值
最大连续漏源二极管的正向电流
最大脉冲漏源二极管的正向电流
漏源二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
GS
= 0V时，我
S
= 10A
V
GS
= 0V时，我
S
= 10A
dI
F
/ DT = 100A / μs的
（注4 ）
--
1.重复评价：脉冲宽度有限的最高结温
2， L = 7MH ，我
AS
= 10A ，V
DD
= 50V ，R
G
= 25
,
起始物为
J
= 25°C
3. I
SD
≤
图10A中， di / dt的
≤
200A / μs的，V
DD
≤
BV
DSS ，
起始物为
J
= 25°C
4.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2%
5.基本上是独立的工作温度典型特征
FQP10N50CF / FQPF10N50CF版本A
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典型性能特性
图1.区域特征
图2.传输特性
10
1
I
D
，漏电流[ A]
I
D
，漏电流[ A]
V
GS
15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.0 V
5.5 V
5.0 V
底部： 4.5 V
上图：
10
1
150 C
-55 C
o
o
25 C
10
0
o
10
0
※
注意事项：
1. 250μs的脉冲测试
2. T
C
= 25
℃
※
注意事项：
1. V
DS
= 40V
2. 250μs的脉冲测试
10
-1
10
-1
-1
10
10
0
10
1
2
4
6
8
10
V
DS
，漏源电压[V]
V
GS
，栅源电压[V]
图3.导通电阻变化对比
漏电流和栅极电压
图4.体二极管正向电压
变化与源电流
和Temperatue
R
DS （ ON）
[ ],
漏源导通电阻
I
DR
，反向漏电流[ A]
1.5
V
GS
= 10V
10
1
1.0
10
0
V
GS
= 20V
0.5
※
注：t
J
= 25
℃
150
℃
25
℃
-1
※
注意事项：
1. V
GS
= 0V
2. 250μs的脉冲测试
0
5
10
15
20
25
30
35
10
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
I
D
，漏电流[ A]
V
SD
，源极 - 漏极电压[ V]
图5.电容特性
图6.栅极电荷特性
4000
C
国际空间站
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
=短路）
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
C
RSS
= C
gd
12
10
V
DS
= 100V
V
DS
= 250V
V
DS
= 400V
3000
电容[ pF的]
C
国际空间站
2000
*注意：
1. V
GS
= 0 V
2. F = 1 MHz的
V
GS
，栅源电压[V]
C
OSS
8
6
4
1000
C
RSS
2
*注：我
D
= 10A
0
-1
10
0
10
0
10
1
0
10
20
30
40
50
V
DS
，漏源电压[V]
Q
G
，总栅极电荷[ NC ]
FQP10N50CF / FQPF10N50CF版本A
3
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FQP10N50CF / FQPF10N50CF 500V N沟道MOSFET
典型性能特性
（续）
图7.击穿电压变化
与温度的关系
1.2
图8.导通电阻变化
与温度的关系
3.0
BV
DSS
（归一化）
漏源击穿电压
2.5
R
DS （ ON）
（归一化）
漏源导通电阻
1.1
2.0
1.0
1.5
1.0
*注意：
1. V
GS
= 10 V
2. I
D
= 5.0 A
0.9
※
注意事项：
1. V
GS
= 0 V
2. I
D
= 250 A
0.5
0.8
-100
-50
0
50
100
o
150
200
0.0
-100
-50
0
50
100
o
150
200
T
J
，结温[C]
T
J
，结温[C]
图9-1 。最大安全工作区
对于FQP10N50CF
10
2
图9-2 。最大安全工作区
对于FQPF10N50CF
10
2
10
s
100
s
10
1
10
s
100
s
10
1
1ms
I
D
，漏电流[ A]
I
D
，漏电流[ A]
10ms
100ms
10
0
1ms
10ms
100ms
DC
在这一领域
由R有限公司
DS （ ON）
10
0
在这一领域
由R有限公司
DS （ ON）
DC
10
-1
*注意：
o
1. T
C
= 25 C
2. T
J
= 150 C
3.单脉冲
o
10
-1
*注意：
o
1. T
C
= 25 C
2. T
J
= 150 C
3.单脉冲
o
10
-2
10
0
10
1
10
2
10
3
10
-2
10
0
10
1
10
2
10
3
V
DS
，漏SourceVoltage [V ]
V
DS
，漏SourceVoltage [V ]
图10.最大漏极电流
与外壳温度
12
10
I
D
，漏电流[ A]
8
6
4
2
0
25
50
75
100
o
125
150
T
C
，外壳温度[C]
FQP10N50CF / FQPF10N50CF版本A
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FQP10N50CF / FQPF10N50CF 500V N沟道MOSFET
典型性能特性
（续）
图11-1 。瞬态热响应曲线FQP10N50CF
10
0
D=0.5
Z
？ JC
热响应
(t),
0.2
10
-1
0.1
0.05
0.02
0.01
P
DM
t
1
t
2
10
-2
单脉冲
*注意：
0
1. Z
？ JC
= 0.87 C / W
(t)
2.占空比，D = T
1
/t
2
3. T
JM
- T
C
= P
DM
* Z
？ JC
(t)
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
t
1
，方波脉冲持续时间（秒）
图11-2 。瞬态热响应曲线FQPF10N50CF
10
0
D=0.5
0.2
0.1
0.05
Z
？ JC
热响应
(t),
10
-1
0.02
0.01
P
DM
t
1
t
2
10
-2
单脉冲
*注意：
0
(t)
1. Z
？ JC
= 2.58 C / W
2.占空比，D = T
1
/t
2
3. T
JM
- T
C
= P
DM
* Z
？ JC
(t)
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
t
1
，方波脉冲持续时间（秒）
FQP10N50CF / FQPF10N50CF版本A
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