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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符F型号页 > 首字符F的型号第419页 > FQI50N06
FQB50N06L / FQI50N06L
2001年5月
QFET
FQB50N06L / FQI50N06L
LOGIC 60V N沟道MOSFET
概述
这些N沟道增强型功率场效应
晶体管采用飞兆半导体专有的，
平面条形， DMOS技术。
这种先进的技术已特别针对
最大限度地减少通态电阻，优越的开关
性能，并能承受高能量脉冲
雪崩和减刑模式。这些装置是公
适用于低电压应用，例如汽车，直流/
DC转换器，以及高效率的电源开关
管理在便携式和电池供电产品。
D
TM
特点
52.4A ， 60V ，R
DS （ ON）
= 0.021 @V
GS
= 10 V
低栅极电荷（典型值24.5 NC）
低的Crss （典型值90 pF的）
快速开关
100％的雪崩测试
改进的dv / dt能力
175°C最高结温额定值
D
!
＆ QUOT ;
G
S
G
!
！ "
＆ QUOT ;
＆ QUOT ;
D
2
-PAK
FQB系列
摹 S
I
2
-PAK
FQI系列
!
S
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GSS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
P
D
T
C
= 25 ° C除非另有说明
参数
漏源电压
- 连续（T
C
= 25°C)
漏电流
- 连续（T
C
= 100°C)
漏电流
- 脉冲
（注1 ）
FQB50N06L / FQI50N06L
60
52.4
37.1
210
±
20
（注2 ）
（注1 ）
（注1 ）
（注3）
单位
V
A
A
A
V
mJ
A
mJ
V / ns的
W
W
W / ℃，
°C
°C
栅源电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
功率耗散（T
A
= 25°C) *
990
52.4
12.1
7.0
3.75
121
0.81
-55到+175
300
T
J
, T
英镑
T
L
功率耗散（T
C
= 25°C)
- 减免上述25℃
工作和存储温度范围
最大无铅焊接温度的目的，
8分之1 ＆ QUOT ;从案例5秒
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
R
θJA
参数
热阻，结到外壳
热阻，结到环境*
热阻，结到环境
典型值
--
--
--
最大
1.24
40
62.5
单位
° C / W
° C / W
° C / W
*当安装在推荐的最小焊盘尺寸（ PCB安装）
2001仙童半导体公司
修订版A1 。 2001年5月
FQB50N06L / FQI50N06L
电气特性
符号
参数
T
C
= 25 ° C除非另有说明
测试条件
民
典型值
最大
单位
开关特性
BV
DSS
ΔBV
DSS
/
T
J
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门体漏电流，正向
门体漏电流，反向
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
A
I
D
= 250
A,
参考25 ℃下
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 48 V ，T
C
= 150°C
V
GS
= 20 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= -20 V, V
DS
= 0 V
60
--
--
--
--
--
--
0.06
--
--
--
--
--
--
1
10
100
-100
V
V /°C的
A
A
nA
nA
基本特征
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
栅极阈值电压
静态漏源
导通电阻
正向跨导
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
A
V
GS
= 10 V，I
D
= 26.2 A
V
GS
= 5 V，I
D
=26.2 A
V
DS
= 25 V，I
D
= 26.2 A
（注4 ）
1.0
--
--
--
--
0.017
0.020
40
2.5
0.021
0.025
--
V
S
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
--
--
--
1250
445
90
1630
580
120
pF
pF
pF
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DS
= 48 V，I
D
= 52.4 A,
V
GS
= 5 V
（注4,5）
V
DD
= 30 V，I
D
= 26.2 A,
R
G
= 25
（注4,5）
--
--
--
--
--
--
--
20
380
80
145
24.5
6
14.5
50
770
170
300
32
--
--
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
漏源二极管的特性和最大额定值
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
最大连续漏源二极管的正向电流
最大脉冲漏源二极管的正向电流
V
GS
= 0 V，I
S
= 52.4 A
漏源二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
GS
= 0 V，I
S
= 52.4 A,
dI
F
/ DT = 100 A / μs的
（注4 ）
--
--
--
--
--
--
--
--
65
125
52.4
210
1.5
--
--
A
A
V
ns
nC
注意事项：
1.重复额定值：脉冲宽度有限的最高结温
2， L = 300μH ，我
AS
= 52.4A ，V
DD
= 25V ，R
G
= 25
,
起始物为
J
= 25°C
3. I
SD
≤
52.4A ， di / dt的
≤
300A / μs的，V
DD
≤
BV
DSS ，
起始物为
J
= 25°C
4.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2%
5.基本上是独立工作温度
2001仙童半导体公司
修订版A1 。 2001年5月
FQB50N06L / FQI50N06L
典型特征
10
2
I
D
，漏电流[ A]
I
D
，漏电流[ A]
V
GS
10.0 V
8.0 V
6.0 V
5.0 V
4.5 V
4.0 V
3.5 V
底部： 3.0 V
上图：
10
2
10
1
10
1
175℃
25℃
-55℃
※
注意事项：
1. V
DS
= 25V
2. 250μ s脉冲测试
※
注意事项：
1. 250μ s脉冲测试
2. T
C
= 25℃
10
-1
10
0
10
10
0
0
10
1
0
2
4
6
8
10
V
DS
，漏源电压[V]
V
GS
，栅源电压[V]
图1.区域特征
图2.传输特性
60
2
50
10
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
[mΩ ],
40
V
GS
= 5V
30
I
DR
，反向漏电流[ A]
V
GS
= 10V
10
1
20
10
※
注：t
J
= 25℃
175℃
0
25℃
※
注意事项：
1. V
GS
= 0V
2. 250μ s脉冲测试
0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
10
I
D
，漏电流[ A]
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
V
SD
，源极 - 漏极电压[ V]
图3.导通电阻变化对比
漏电流和栅极电压
图4.体二极管正向电压
变化与源电流
和温度
4000
C
国际空间站
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
=短路）
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
C
RSS
= C
gd
12
10
V
GS
，栅源电压[V]
3000
V
DS
= 30V
8
V
DS
= 48V
电容[ pF的]
C
OSS
C
国际空间站
2000
※
注意事项：
1. V
GS
= 0 V
2. F = 1 MHz的
6
4
1000
C
RSS
2
※
注：我
D
= 52.4A
0
0
-1
10
0
10
20
30
40
50
10
0
10
1
V
DS
，漏源电压[V]
Q
G
，总栅极电荷[ NC ]
图5.电容特性
图6.栅极电荷特性
2001仙童半导体公司
修订版A1 。 2001年5月
FQB50N06L / FQI50N06L
典型特征
（续）
1.2
2.5
BV
DSS
（范
alized ）
漏源击穿电压
1.0
0.9
※
注意事项：
1. V
GS
= 0 V
2. I
D
= 250
μ
A
R
DS （ ON）
（归一化）
漏源导通电阻
1.1
2.0
1.5
1.0
0.5
※
注意事项：
1. V
GS
= 10 V
2. I
D
= 26.2 A
0.8
-100
-50
0
50
100
o
150
200
0.0
-100
-50
0
50
100
o
150
200
T
J
，结TEM
规律[ C]
T
J
，结温[C]
图7.击穿电压变化
与温度的关系
图8.导通电阻变化
与温度的关系
10
3
60
在这一领域
由R有限公司
DS （ ON）
50
1毫秒
10毫秒
DC
10
1
I
D
，漏电流[ A]
2
I
D
，漏电流[ A]
10
2
100
s
40
30
20
※
注意事项：
1. T
C
= 25 C
2. T
J
= 175 C
3.单脉冲
o
o
10
10
-1
10
0
10
0
10
1
10
0
25
50
75
100
125
150
175
V
DS
，漏源电压[V]
T
C
，外壳温度[
℃
]
图9.最高安全工作区
图10.最大漏极电流
与外壳温度
（T ）和T H的ê马币一l研究（E S） P 0：N发E
10
0
D = 0 .5
0 .2
0 .1
10
-1
※
OTES ：
1 . Z
θ
J·C
( t ) = 1 . 2 4
℃
/ W M A X 。
2 。 ü吨和Y F是C T O服务R，D = T
1
/t
2
3 . T
J·M
- T
C
= P
D M
* Z
θ
J·C
( t )
0 .0 5
0 .0 2
0 .0 1
S IN克乐P ü LS ê
-2
P
DM
t
1
t
2
Z
10
θ
JC
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
t
1
，S单方W AVE P ü LS E D市建局TIO N [秒]
图11.瞬态热响应曲线
2001仙童半导体公司
修订版A1 。 2001年5月
FQB50N06L / FQI50N06L
栅极电荷测试电路波形&
50KΩ
12V
200nF
300nF
同一类型
作为DUT
V
DS
V
GS
Q
g
5V
Q
gs
Q
gd
V
GS
DUT
3mA
收费
电阻开关测试电路波形&
V
DS
V
GS
R
G
R
L
V
DD
V
DS
90%
5V
DUT
V
GS
10%
t
D（上）
t
on
t
r
t
D（关闭）
t
关闭
t
f
非钳位感应开关测试电路波形&
L
V
DS
I
D
R
G
DUT
t
p
BV
DSS
1
---- L I
AS2
--------------------
E
AS
=
2
BV
DSS
- V
DD
BV
DSS
I
AS
V
DD
V
DD
t
p
I
D
(t)
V
DS
(t)
时间
10V
2001仙童半导体公司
修订版A1 。 2001年5月
FQB50N06 / FQI50N06
2001年5月
QFET
FQB50N06 / FQI50N06
60V N沟道MOSFET
概述
这些N沟道增强型功率场效应
晶体管采用飞兆半导体专有的，
平面条形， DMOS技术。
这种先进的技术已特别针对
最大限度地减少通态电阻，优越的开关
性能，并能承受高能量脉冲
雪崩和减刑模式。这些装置是公
适用于低电压应用，例如汽车，直流/
DC转换器，以及高效率的电源开关
管理在便携式和电池供电产品。
D
TM
特点
50A ， 60V ，R
DS （ ON）
= 0.022 @V
GS
= 10 V
低栅极电荷（典型的31 NC）
低的Crss （典型值65 pF的）
快速开关
100％的雪崩测试
改进的dv / dt能力
175°C最高结温额定值
D
!
＆ QUOT ;
G
S
G
!
！ "
＆ QUOT ;
＆ QUOT ;
D
2
-PAK
FQB系列
摹 S
I
2
-PAK
FQI系列
!
S
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GSS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
P
D
T
C
= 25 ° C除非另有说明
参数
漏源电压
- 连续（T
C
= 25°C)
漏电流
- 连续（T
C
= 100°C)
漏电流
- 脉冲
（注1 ）
FQB50N06 / FQI50N06
60
50
35.4
200
±
25
（注2 ）
（注1 ）
（注1 ）
（注3）
单位
V
A
A
A
V
mJ
A
mJ
V / ns的
W
W
W / ℃，
°C
°C
栅源电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
功率耗散（T
A
= 25°C) *
490
50
12
7.0
3.75
120
0.8
-55到+175
300
T
J
, T
英镑
T
L
功率耗散（T
C
= 25°C)
- 减免上述25℃
工作和存储温度范围
最大无铅焊接温度的目的，
8分之1 ＆ QUOT ;从案例5秒
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
R
θJA
参数
热阻，结到外壳
热阻，结到环境*
热阻，结到环境
典型值
--
--
--
最大
1.24
40
62.5
单位
° C / W
° C / W
° C / W
*当安装在推荐的最小焊盘尺寸（ PCB安装）
2001仙童半导体公司
修订版A1 。 2001年5月
FQB50N06 / FQI50N06
电气特性
符号
参数
T
C
= 25 ° C除非另有说明
测试条件
民
典型值
最大
单位
开关特性
BV
DSS
ΔBV
DSS
/
T
J
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门体漏电流，正向
门体漏电流，反向
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
A
I
D
= 250
A,
参考25 ℃下
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 48 V ，T
C
= 150°C
V
GS
= 25 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= -25 V, V
DS
= 0 V
60
--
--
--
--
--
--
0.06
--
--
--
--
--
--
1
10
100
-100
V
V /°C的
A
A
nA
nA
基本特征
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
栅极阈值电压
静态漏源
导通电阻
正向跨导
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
A
V
GS
= 10 V，I
D
= 25 A
V
DS
= 25 V，I
D
= 25 A
（注4 ）
2.0
--
--
--
0.018
22
4.0
0.022
--
V
S
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
--
--
--
1180
440
65
1540
580
90
pF
pF
pF
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DS
= 48 V，I
D
= 50 A,
V
GS
= 10 V
（注4,5）
V
DD
= 30 V，I
D
= 25 A,
R
G
= 25
（注4,5）
--
--
--
--
--
--
--
15
105
60
65
31
8
13
40
220
130
140
41
--
--
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
漏源二极管的特性和最大额定值
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
最大连续漏源二极管的正向电流
最大脉冲漏源二极管的正向电流
V
GS
= 0 V，I
S
= 50 A
漏源二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
GS
= 0 V，I
S
= 50 A,
dI
F
/ DT = 100 A / μs的
（注4 ）
--
--
--
--
--
--
--
--
52
75
50
200
1.5
--
--
A
A
V
ns
nC
注意事项：
1.重复额定值：脉冲宽度有限的最高结温
2， L = 230μH ，我
AS
= 50A ，V
DD
= 25V ，R
G
= 25
,
起始物为
J
= 25°C
3. I
SD
≤
50A ， di / dt的
≤
300A / μs的，V
DD
≤
BV
DSS ，
起始物为
J
= 25°C
4.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2%
5.基本上是独立工作温度
2001仙童半导体公司
修订版A1 。 2001年5月
FQB50N06 / FQI50N06
典型特征
10
2
10
1
I
D
，漏电流[ A]
I
D
，漏电流[ A]
V
GS
15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.0 V
5.5 V
5.0 V
底部： 4.5 V
上图：
10
2
10
1
175℃
25℃
※
注意事项：
1. V
DS
= 30V
2. 250μ s脉冲测试
10
0
※
注意事项：
1. 250μ s脉冲测试
2. T
C
= 25℃
-55℃
1
10
-1
10
0
10
0
10
2
4
6
8
10
V
DS
，漏源电压[V]
V
GS
，栅源电压[V]
图1.区域特征
图2.传输特性
0.05
10
2
漏源导通电阻
0.04
0.03
V
GS
= 20V
I
DR
，反向漏电流[ A]
V
GS
= 10V
R
DS （ ON）
[
],
0.02
10
1
0.01
※
注：t
J
= 25℃
175℃
25℃
※
注意事项：
1. V
GS
= 0V
2. 250μ s脉冲测试
0.00
0
50
100
150
200
10
0
I
D
，漏电流[ A]
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
V
SD
，源极 - 漏极电压[ V]
图3.导通电阻变化对比
漏电流和栅极电压
图4.体二极管正向电压
变化与源电流
和温度
3000
C
国际空间站
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
=短路）
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
C
RSS
= C
gd
12
2500
10
V
DS
= 30V
V
DS
= 48V
2000
C
OSS
C
国际空间站
※
注意事项：
1. V
GS
= 0 V
2. F = 1 MHz的
V
GS
，栅源电压[V]
8
电容[ pF的]
1500
6
1000
4
C
RSS
500
2
※
注：我
D
= 50A
0
0
-1
10
0
5
10
15
20
25
30
35
10
0
10
1
V
DS
，漏源电压[V]
Q
G
，总栅极电荷[ NC ]
图5.电容特性
图6.栅极电荷特性
2001仙童半导体公司
修订版A1 。 2001年5月
FQB50N06 / FQI50N06
典型特征
（续）
1.2
2.5
BV
DSS
（归一化）
漏源击穿电压
1.0
0.9
※
注意事项：
1. V
GS
= 0 V
2. I
D
= 250
μ
A
R
DS （ ON）
（归一化）
漏源导通电阻
1.1
2.0
1.5
1.0
0.5
※
注意事项：
1. V
GS
= 10 V
2. I
D
= 25 A
0.8
-100
-50
0
50
100
o
150
200
0.0
-100
-50
0
50
100
o
150
200
T
J
，结温[C]
T
J
，结温[C]
图7.击穿电压变化
与温度的关系
图8.导通电阻变化
与温度的关系
10
3
60
在这一领域
由R有限公司
DS （ ON）
50
I
D
，漏电流[ A]
1毫秒
10毫秒
DC
10
1
I
D
，漏电流[ A]
2
10
2
100μ s
40
30
20
※
注意事项：
1. T
C
= 25 C
2. T
J
= 175 C
3.单脉冲
o
o
10
10
-1
10
0
10
0
10
1
10
0
25
50
75
100
125
150
175
V
DS
，漏源电压[V]
T
C
，外壳温度[
℃
]
图9.最高安全工作区
图10.最大漏极电流
与外壳温度
（T ）和T H的ê马币一l研究（E S） P 0：N发E
10
0
D = 0 .5
0 .2
0 .1
10
-1
※
OTES ：
1 . Z
θ
J·C
( t ) = 1 . 2 4
℃
/ W M A X 。
2 。 ü吨和Y F是C T O服务R，D = T
1
/t
2
3 . T
J·M
- T
C
= P
D M
* Z
θ
J·C
( t )
0 .0 5
0 .0 2
0 .0 1
S IN克乐P ü LS ê
-2
P
DM
t
1
t
2
Z
10
θ
JC
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
t
1
，S单方W AVE P ü LS E D市建局TIO N [秒]
图11.瞬态热响应曲线
2001仙童半导体公司
修订版A1 。 2001年5月
FQB50N06 / FQI50N06
栅极电荷测试电路波形&
50KΩ
12V
200nF
300nF
同一类型
作为DUT
V
DS
V
GS
Q
g
10V
Q
gs
Q
gd
V
GS
DUT
3mA
收费
电阻开关测试电路波形&
V
DS
V
GS
R
G
R
L
V
DD
V
DS
90%
10V
DUT
V
GS
10%
t
D（上）
t
on
t
r
t
D（关闭）
t
关闭
t
f
非钳位感应开关测试电路波形&
L
V
DS
I
D
R
G
DUT
t
p
BV
DSS
1
E
AS
= ---- L I
AS2
--------------------
2
BV
DSS
- V
DD
BV
DSS
I
AS
V
DD
V
DD
t
p
I
D
(t)
V
DS
(t)
时间
10V
2001仙童半导体公司
修订版A1 。 2001年5月
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