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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符F型号页 > 首字符F的型号第150页 > FQD7N10LTM
FQD7N10L N沟道QFET
MOSFET
2013年4月
FQD7N10L
N沟道QFET
MOSFET
100 V， 5.8 A， 350 m
描述
这种N沟道增强型功率MOSFET是
利用飞兆半导体公司生产的
专有
平面条形和DMOS技术。这种先进
MOSFET技术已特别针对减少
通态电阻，并提供优越的开关
性能和高雪崩能量强度。这些
设备适合用于开关模式电源，
音频放大器， DC电机控制和可变开关
电源应用。
特点
5.8 A， 100 V ，R
DS （ ON）
= 350 m （最大） @ V
GS
= 10 V,
ID = 2.9
低栅极电荷（典型值4.6 NC ）
低的Crss （典型值12pF的）
100 ％雪崩测试
D
D
G
S
G
D- PAK
S
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GSS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
P
D
T
C
= 25 ° C除非另有说明
参数
漏源电压
- 连续（T
C
= 25°C)
漏电流
- 连续（T
C
= 100°C)
漏电流
- 脉冲
（注1 ）
FQD7N10L
100
5.8
3.67
23.2
20
（注2 ）
（注1 ）
（注1 ）
（注3）
单位
V
A
A
A
V
mJ
A
mJ
V / ns的
W
W
W / ℃，
°C
°C
栅源电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
功率耗散（T
A
= 25°C) *
功率耗散（T
C
= 25°C)
50
5.8
2.5
6.0
2.5
25
0.2
-55到+150
300
T
J
, T
英镑
T
L
- 减免上述25℃
工作和存储温度范围
最大无铅焊接温度的目的，
8分之1 ＆ QUOT ;从案例5秒
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
R
θJA
参数
热阻，结到外壳，马克斯。
热阻，结到环境*
热阻，结到环境，马克斯。
FQD7N10L
5.0
50
110
单位
° C / W
° C / W
° C / W
*当安装在推荐的最小焊盘尺寸（ PCB安装）
2000仙童半导体公司
FQD7N10L版本C0
1
www.fairchildsemi.com
FQD7N10L N沟道QFET
MOSFET
电气特性
开关特性
BV
DSS
ΔBV
DSS
/
T
J
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
符号
参数
T
C
= 25 ° C除非另有说明
测试条件
民
典型值
最大
单位
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门体漏电流，正向
门体漏电流，反向
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
A
I
D
= 250
A,
参考25 ℃下
V
DS
= 100 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 80 V，T
C
= 125°C
V
GS
= 20 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= -20 V, V
DS
= 0 V
100
--
--
--
--
--
--
0.1
--
--
--
--
--
--
1
10
100
-100
V
V /°C的
A
A
nA
nA
基本特征
V
GS （ TH）
栅极阈值电压
静态漏源
导通电阻
正向跨导
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
A
V
GS
= 10 V，I
D
= 2.9 A
V
GS
= 5 V，I
D
= 2.9 A
V
DS
= 30 V，I
D
= 2.9 A
1.0
--
--
--
0.275
0.300
4.6
2.0
0.35
0.38
--
V
S
R
DS （ ON）
g
FS
动态特性
C
国际空间站
输入电容
输出电容
C
OSS
C
RSS
V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
--
--
--
220
55
12
290
72
15
pF
pF
pF
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
反向传输电容
V
DD
= 50 V，I
D
= 7.3 A,
R
G
= 25
（注4 ）
--
--
--
--
--
--
（注4 ）
9
100
17
50
4.6
1.0
2.6
30
210
45
110
6.0
--
--
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
= 80 V，I
D
= 7.3 A,
V
GS
= 5 V
--
漏源二极管的特性和最大额定值
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
最大连续漏源二极管的正向电流
最大脉冲漏源二极管的正向电流
V
GS
= 0 V，I
S
= 5.8 A
漏源二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
GS
= 0 V，I
S
= 7.3 A,
dI
F
/ DT = 100 A / μs的
--
--
--
--
--
--
--
--
70
140
5.8
23.2
1.5
--
--
A
A
V
ns
nC
注意事项：
1.重复额定值：脉冲宽度有限的最高结温
2， L = 2.23mH ，我
AS
= 5.8A ，V
DD
= 25V ，R
G
= 25
Starting
T
J
= 25°C
3. I
SD
≤
7.3A ， di / dt的
≤
300A / μs的，V
DD
≤
BV
DSS ，
起始物为
J
= 25°C
4.基本上是独立工作温度
2000仙童半导体公司
FQD7N10L版本C0
2
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FQD7N10L N沟道QFET
MOSFET
10
1
I
D
，漏电流[ A]
I
D
，漏电流[ A]
V
GS
10.0 V
8.0 V
6.0 V
5.0 V
4.5 V
4.0 V
3.5 V
底部： 3.0 V
上图：
10
1
150
℃
10
0
10
0
25
℃
-55
℃
※
注意事项：
1. V
DS
= 30V
2. 250μ s脉冲测试
※
注意事项：
1. 250μ s脉冲测试
2. T
C
= 25
℃
10
-1
10
-1
10
0
10
1
10
-1
0
2
4
6
8
10
V
DS
，漏源电压[V]
V
GS
，栅源电压[V]
图1.区域特征
图2.传输特性
1.5
I
DR
，反向漏电流[ A]
1.2
10
1
R
DS （ ON）
[ ],
漏源导通电阻
V
GS
= 5V
0.9
V
GS
= 10V
0.6
10
0
150
℃
25
℃
※
注意事项：
1. V
GS
= 0V
2. 250μ s脉冲测试
0.3
※
注：t
J
= 25
℃
0.0
0
5
10
15
20
10
-1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
I
D
，漏电流[ A]
V
SD
，源极 - 漏极电压[ V]
图3.导通电阻变化对比
漏电流和栅极电压
图4.体二极管正向电压
变化与源电流
和温度
600
V
GS
，栅源电压[V]
500
C
国际空间站
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
=短路）
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
C
RSS
= C
gd
12
10
V
DS
= 50V
8
电容[ pF的]
400
300
C
国际空间站
C
OSS
※
注意事项：
1. V
GS
= 0 V
2. F = 1 MHz的
V
DS
= 80V
6
200
4
100
C
RSS
2
※
注：我
D
= 7.3 A
0
-1
10
10
0
10
1
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
V
DS
，漏源电压[V]
Q
G
，总栅极电荷[ NC ]
图5.电容特性
图6.栅极电荷特性
2000仙童半导体公司
FQD7N10L版本C0
3
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FQD7N10L N沟道QFET
MOSFET
典型特征
（续）
1.2
3.0
BV
DSS
（归一化）
漏源击穿电压
1.1
R
DS （ ON）
（归一化）
漏源导通电阻
2.5
2.0
1.0
1.5
1.0
0.9
※
注意事项：
1. V
GS
= 0 V
2. I
D
= 250
μA
0.5
※
注意事项：
1. V
GS
= 5 V
2. I
D
= 2.9 A
0.8
-100
-50
0
50
100
o
150
200
0.0
-100
-50
0
50
100
o
150
200
T
J
，结温[C]
T
J
，结温[C]
图7.击穿电压变化
与温度的关系
图8.导通电阻变化
与温度的关系
10
2
6
在这一领域
由R有限公司
DS （ ON）
5
I
D
，漏电流[ A]
10
1
I
D
，漏电流[ A]
100
s
1毫秒
10毫秒
DC
4
3
10
0
2
※
注意事项：
1. T
C
= 25 C
2. T
J
= 150 C
3.单脉冲
o
o
1
10
-1
10
0
10
1
10
2
0
25
50
75
100
125
150
V
DS
，漏源电压[V]
T
C
，外壳温度[
℃
]
图9.最高安全工作区
图10.最大漏极电流
与外壳温度
Z
θ
JC
（T ） ，热响应
D = 0 .5
0 .2
0 .1
0 .0 5
0 .0 2
10
-1
10
0
※
N 2 O TE S：
1 . Z
θ
J·C
( t ) = 5 .0
℃
/ W M A X 。
2 。 ü吨 F A C到R，D = T
1
/ t
2
3 . T
J·M
- T
C
= P
D M
* Z
θ
J·C
( t )
P
DM
S IN克乐P ü LS ê
0 .0 1
t
1
t
2
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
t
1
，S单方W AVE P ü LS E D URAT IO N [秒]
图11.瞬态热响应曲线
2000仙童半导体公司
FQD7N10L版本C0
4
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FQD7N10L N沟道QFET
MOSFET
栅极电荷测试电路波形&
50KΩ
12V
200nF
300nF
同一类型
作为DUT
V
DS
V
GS
5V
Q
gs
Q
g
V
GS
Q
gd
DUT
3mA
收费
电阻开关测试电路波形&
V
DS
R
G
5V
V
GS
R
L
V
DD
V
DS
90%
DUT
V
GS
10%
t
D（上）
t
on
t
r
t
D（关闭）
t
关闭
t
f
非钳位感应开关测试电路波形&
L
V
DS
I
D
R
G
10V
t
p
BV
DSS
1
2
--------------------
E
AS
= ---- L I
AS
2
BV
DSS
- V
DD
BV
DSS
I
AS
V
DD
I
D
(t)
V
DD
t
p
DUT
V
DS
(t)
时间
2000仙童半导体公司
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FS8853-23PI
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FQI85N06
FX-104-DFC-A229
FRF507G
FX4C2-68S-1.27DSAL
FDP46N30
FB1003L
FSTD16450
FTR-K1AL005T-MA
FTR-K1AK024W-
FTRJ1419P1BCL
FSYE13A0D
FSYC260D1
FU-68PDF-V510M75B
F54S
F931A476MCC
FQA16N25C
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