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FQD4P25TM_WS / FQU4P25
2011年10月27日
FQD4P25TM_WS / FQU4P25
250V P沟道MOSFET
概述
这些P沟道增强型功率场效应
晶体管采用飞兆半导体专有的,
平面条形, DMOS技术。
这种先进的技术是特别针对减少
导通状态
性,
提供
开关
性能,并能承受高能量脉冲
雪崩和减刑模式。这些装置是公
适用于高效率开关DC / DC转换器。
特点
-3.1A , -250V ,R
DS ( ON)
= 2.1 @V
GS
= -10 V
低栅极电荷(典型的10 NC)
低的Crss (典型值10.3 pF的)
快速开关
100%的雪崩测试
改进的dv / dt能力
符合RoHS
S
D
G
G
S
D- PAK
FQD系列
I- PAK
摹 S
FQU系列
D
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GSS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
P
D
T
C
= 25 ° C除非另有说明
参数
漏源电压
- 连续(T
C
= 25°C)
漏电流
- 连续(T
C
= 100°C)
漏电流
- 脉冲
(注1 )
FQD4P25TM_WS / FQU4P25
-250
-3.1
-1.96
-12.4
±
30
(注2 )
(注1 )
(注1 )
(注3)
单位
V
A
A
A
V
mJ
A
mJ
V / ns的
W
W
W / ℃,
°C
°C
栅源电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
功率耗散(T
A
= 25°C) *
功率耗散(T
C
= 25°C)
280
-3.1
4.5
-5.5
2.5
45
0.36
-55到+150
300
T
J
, T
英镑
T
L
- 减免上述25℃
工作和存储温度范围
最大无铅焊接温度的目的,
8分之1 & QUOT ;从案例5秒
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
R
θJA
参数
热阻,结到外壳
热阻,结到环境*
热阻,结到环境
典型值
--
--
--
最大
2.78
50
110
单位
° C / W
° C / W
° C / W
*当安装在推荐的最小焊盘尺寸( PCB安装)
2011仙童半导体国际
牧师A4 , 2011年10月
FQD4P25TM_WS / FQU4P25
电气特性
符号
参数
T
C
= 25 ° C除非另有说明
测试条件
典型值
最大
单位
开关特性
BV
DSS
ΔBV
DSS
/
T
J
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门体漏电流,正向
门体漏电流,反向
V
GS
= 0 V,I
D
= -250
A
I
D
= -250
A,
参考25 ℃下
V
DS
= -250 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= -200 V,T
C
= 125°C
V
GS
= -30 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= 30 V, V
DS
= 0 V
-250
--
--
--
--
--
--
-0.21
--
--
--
--
--
--
-1
-10
-100
100
V
V /°C的
A
A
nA
nA
基本特征
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
g
FS
栅极阈值电压
静态漏源
导通电阻
正向跨导
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250
A
V
GS
= -10 V,I
D
= -1.55 A
V
DS
= -40 V,I
D
= -1.55 A
(注4 )
-3.0
--
--
--
1.63
2.0
-5.0
2.1
--
V
S
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
DS
= -25 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
--
--
--
325
65
10
420
85
13
pF
pF
pF
开关特性
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DD
= -125 V,I
D
= -4.0 A,
R
G
= 25
(注4,5)
--
--
--
--
--
--
--
9.5
60
14
27
10.3
2.7
5.2
30
130
40
65
14
--
--
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
= -200 V,I
D
= -4.0 A,
V
GS
= -10 V
(注4,5)
漏源二极管的特性和最大额定值
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
最大连续漏源二极管的正向电流
最大脉冲漏源二极管的正向电流
V
GS
= 0 V,I
S
= -3.1 A
漏源二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
GS
= 0 V,I
S
= -4.0 A,
dI
F
/ DT = 100 A / μs的
(注4 )
--
--
--
--
--
--
--
--
140
0.64
-3.1
-12.4
-5.0
--
--
A
A
V
ns
C
注意事项:
1.重复额定值:脉冲宽度有限的最高结温
2, L = 46.6mH ,我
AS
= -3.1A ,V
DD
= -50V ,R
G
= 25
,
起始物为
J
= 25°C
3. I
SD
-4.0A , di / dt的
300A / μs的,V
DD
BV
DSS ,
起始物为
J
= 25°C
4.脉冲测试:脉冲宽度
300μS ,占空比
2%
5.基本上是独立工作温度
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牧师A4 , 2011年10月
FQD4P25TM_WS / FQU4P25
典型特征
10
1
10
0
-I
D
,漏电流[ A]
-I
D
,漏电流[ A]
V
GS
-15.0 V
-10.0 V
-8.0 V
-7.0 V
-6.5 V
-6.0 V
下图: -5.5 V
上图:
10
1
10
0
150
10
-1
25
-55
10
-1
注意事项:
1. 250μ s脉冲测试
2. T
C
= 25
注意事项:
1. V
DS
= -50V
2. 250μ s脉冲测试
10
-2
10
-1
10
0
10
1
2
4
6
8
10
-V
DS
,漏源电压[V]
-V
GS
,栅源电压[V]
图1.区域特征
图2.传输特性
8
10
1
R
DS ( ON)
[
],
漏源导通电阻
6
V
GS
= - 10V
V
GS
= - 20V
4
-I
DR
,反向漏电流[ A]
10
0
2
注:t
J
= 25
150
25
注意事项:
1. V
GS
= 0V
2. 250μ s脉冲测试
0
0
3
6
9
12
10
-1
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
-I
D
,漏电流[ A]
-V
SD
,源极 - 漏极电压[ V]
图3.导通电阻变化对比
漏电流和栅极电压
图4.体二极管正向电压
变化与源电流
和温度
700
C
国际空间站
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
=短路)
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
C
RSS
= C
gd
12
V
DS
= -50V
600
-V
GS
,栅源电压[V]
10
V
DS
= -125V
V
DS
= -200V
500
电容[ pF的]
C
国际空间站
400
8
C
OSS
300
注意事项:
1. V
GS
= 0 V
2. F = 1 MHz的
6
4
200
C
RSS
100
2
注:我
D
= -4.0 A
0
-1
10
0
10
0
10
1
0
2
4
6
8
10
12
-V
DS
,漏源电压[V]
Q
G
,总栅极电荷[ NC ]
图5.电容特性
图6.栅极电荷特性
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牧师A4 , 2011年10月
FQD4P25TM_WS / FQU4P25
典型特征
(续)
1.2
3.0
-bv
DSS
(归一化)
漏源击穿电压
1.1
R
DS ( ON)
(归一化)
漏源导通电阻
2.5
2.0
1.0
1.5
1.0
注意事项:
1. V
GS
= -10 V
2. I
D
= -2.0 A
0.9
注意:
1. V
GS
= 0 V
2. I
D
= -250 A
0.5
0.8
-100
-50
0
50
100
o
150
200
0.0
-100
-50
0
50
100
o
150
200
T
J
,结温[C]
T
J
,结温[C]
图7.击穿电压变化
与温度的关系
图8.导通电阻变化
与温度的关系
3.5
在这一领域
由R有限公司
DS ( ON)
3.0
10
1
-I
D
,漏电流[ A]
-I
D
,漏电流[ A]
100
s
1毫秒
10毫秒
2.5
2.0
10
0
DC
1.5
1.0
注意事项:
1. T
C
= 25 C
o
10
-1
2. T
J
= 150 C
3.单脉冲
0
o
0.5
10
10
1
10
2
0.0
25
50
75
100
125
150
-V
DS
,漏源电压[V]
T
C
,外壳温度[
]
图9.最高安全工作区
图10.最大漏极电流
与外壳温度
Z
? JC
(T ) ,热响应
D = 0 .5
10
0
0 .2
0 .1
0 .0 5
10
-1
N 2 O TE S:
1 . Z
θ J·C
( t) = 2 . 7 8
/ W M A X 。
2 。 ü TY F A (C T) R,D = T
1
/t
2
3 . T
J·M
- T
C
= P
D M
* Z
θ J·C
( t)
0 .0 2
0 .0 1
S IN克乐P ü LS ê
P
DM
t
1
t
2
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
t
1
,S单方W AVE P ü LS E D URAT IO N [秒]
图11.瞬态热响应曲线
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牧师A4 , 2011年10月
FQD4P25TM_WS / FQU4P25
栅极电荷测试电路波形&
50KΩ
12V
200nF
300nF
同一类型
作为DUT
V
DS
V
GS
Q
g
-10V
Q
gs
Q
gd
V
GS
DUT
-3mA
收费
电阻开关测试电路波形&
V
DS
V
GS
R
G
R
L
V
DD
t
D(上)
t
on
t
r
t
D(关闭)
t
关闭
t
f
V
GS
10%
-10V
DUT
V
DS
90%
非钳位感应开关测试电路波形&
L
V
DS
I
D
R
G
-10V
t
p
BV
DSS
1
---- L I
AS2
--------------------
E
AS
=
2
BV
DSS
- V
DD
t
p
时间
V
DS
(t)
V
DD
DUT
V
DD
I
D
(t)
I
AS
BV
DSS
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