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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符F型号页 > 首字符F的型号第173页 > FQD45N03L
FQD45N03L
2004年3月
FQD45N03L
N沟道逻辑电平PWM优化的功率MOSFET
概述
该器件采用了一种新的先进MOSFET技术
和特点，同时保持低通态低栅极电荷
性。
优化用于切换应用程序，该装置改善了
用DC / DC转换器的整体效率，并允许
操作，以更高的开关频率。
特点
快速开关
r
DS （ ON）
= 0.018Ω （典型值） ，V
GS
= 10V
r
DS （ ON）
= 0.028Ω （典型值） ，V
GS
= 5V
Q
g
（典型值） = 9NC ，V
GS
= 5V
Q
gd
（典型值） = 3NC
C
国际空间站
（典型值） = 970pF
应用
DC / DC转换
D
漏极（法兰）
门
来源
G
TO-252
MOSFET的最大额定值
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DSS
V
GS
参数
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
连续（T
C
= 25
o
C，V
GS
= 10V)
I
D
连续（T
C
=
连续（T
C
=
脉冲
P
D
T
J
, T
英镑
功耗
减免上述25
o
C
工作和存储温度
100
o
C,
25
o
C,
V
GS
= 4.5V)
R
θJA
=52
o
C)
V
GS
= 10V,
20
20
8
图4
41
0.33
-55到150
评级
30
±20
S
单位
V
V
A
A
A
A
W
W/
o
C
o
C
热特性
R
θJC
R
θJA
R
θJA
热阻结到外壳TO- 252
热阻结到环境TO- 252
热阻结到环境TO- 252 ， 1英寸
2
铜层的面积
3
100
52
o
C / W
C / W
o
C / W
o
包装标志和订购信息
器件标识
FQD45N03L
设备
FQD45N03L
包
TO-252AA
带尺寸
330mm
胶带宽度
16mm
QUANTITY
2500台
2004仙童半导体公司
FQD45N03L牧师B1
FQD45N03L
电气特性
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
开关特性
B
VDSS
I
DSS
I
GSS
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
V
GS
= 0V
V
GS
=
±20V
T
C
= 150 C
o
30
-
-
-
-
-
-
-
-
1
250
±100
V
A
nA
基本特征
V
GS （ TH）
r
DS （ ON）
门源阈值电压
漏极至源极导通电阻
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
I
D
= 20A ，V
GS
= 10V
I
D
= 18A ，V
GS
= 4.5V
1
-
-
-
0.018
0.028
3
0.023
0.033
V
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G（ TOT ）
Q
g(5)
Q
G（ TH ）
Q
gs
Q
gd
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷，在10V
总栅极电荷为5V
阈值的栅极电荷
门源栅极电荷
栅漏“米勒”充电
(V
GS
= 4.5V)
-
-
V
DD
= 15V ，我
D
= 8A
V
GS
= 5V ，R
GS
= 16
-
-
-
-
(V
GS
= 10V)
-
-
V
DD
= 15V ，我
D
= 8A
V
GS
= 10V ，R
GS
= 16
-
-
-
-
-
7
29
45
27
-
54
-
-
-
-
108
ns
ns
ns
ns
ns
ns
-
11
47
24
28
-
87
-
-
-
-
78
ns
ns
ns
ns
ns
ns
V
DS
= 15V, V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
V
GS
= 0V至10V
V
GS
= 0V至5V V
DD
= 15V
V
GS
= 0V至1V我
D
= 18A
I
g
= 1.0毫安
-
-
-
-
-
-
-
-
970
205
80
18
9
1.0
3.5
3.0
-
-
-
30
16
1.5
-
-
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
nC
开关特性
t
ON
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
关闭
开启时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
打开-O FF时间
开关特性
t
ON
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
关闭
开启时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
打开-O FF时间
非钳位感应开关
t
av
雪崩时间
I
D
= 2.7A ，L = 3MH
180
-
-
s
漏源二极管的特性
V
SD
t
rr
Q
RR
源极到漏极二极管电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
I
SD
= 18A
I
SD
= 9A
I
SD
= 18A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
I
SD
= 18A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
-
-
-
-
-
-
-
-
1.25
1.0
58
70
V
V
ns
nC
2004仙童半导体公司
FQD45N03L牧师B1
FQD45N03L
典型特征
1.2
功耗乘法器
T
C
= 25 ° C除非另有说明
25
1.0
I
D
，漏电流（ A）
20
V
GS
= 10V
15
V
GS
= 5V
10
0.8
0.6
0.4
5
0.2
0
0
25
50
75
100
125
150
25
50
T
A
，环境温度（
o
C)
75
100
125
T
C
，外壳温度（
o
C)
150
0
图1.归功耗与
环境温度
2
1
占空比 - 降序排列
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
图2.最大连续漏极电流VS
外壳温度
Z
θJC
归一化
热阻抗
P
DM
0.1
t
1
单脉冲
t
2
注意事项：
DUTY因子：D = T
1
/t
2
PEAK牛逼
J
= P
DM
X Z
θJC
个R
θJC
+ T
C
0.01
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
吨，矩形脉冲持续时间（ S）
10
-1
10
0
10
1
图3.归一化最大瞬态热阻抗
500
跨
可能限流
在这个区域
I
DM
峰值电流（ A）
V
GS
= 10V
100
V
GS
= 5V
T
C
= 25
o
C
对于温度
上述25
o
C减免PEAK
当前，如下所示：
I = I
25
150 - T
C
125
10
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
T，脉冲宽度（ S）
10
-1
10
0
10
1
图4.峰值电流容量
2004仙童半导体公司
FQD45N03L牧师B1
FQD45N03L
典型特征
（续）T
C
= 25 ° C除非另有说明
50
脉冲持续时间为80μs =
40
I
D
，漏电流（ A）
占空比= 0.5 ％ MAX
V
DD
= 15V
I
D
，漏电流（ A）
40
50
V
GS
= 10V
V
GS
= 5V
30
T
J
= 150
o
C
20
T
J
= 25
o
C
T
J
= -55
o
C
0
1
2
3
4
V
GS
，门源电压（ V）
5
30
V
GS
= 4V
20
10
10
V
GS
= 3V
T
C
= 25
o
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
0
0
0.5
1.0
1.5
V
DS
，漏源极电压（ V）
2.0
图5.传输特性
40
归一漏极至源极
抗性
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
r
DS （ ON）
，漏极到源极
ON电阻（mΩ ）
I
D
= 10A
30
I
D
= 20A
图6.饱和特性
2.0
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
1.5
20
1.0
V
GS
= 10V ，我
D
=20A
10
2
4
6
8
10
0.5
-80
-40
V
GS
，门源电压（ V）
0
40
80
120
T
J
，结温（
o
C)
160
图7.漏极至源极导通电阻VS门
电压和漏极电流
1.2
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
图8.归漏极至源极导
电阻与结Temperatrue
1.2
归一漏极至源极
击穿电压
I
D
= 250A
归一化门
阈值电压
1.0
1.1
0.8
1.0
0.6
0.4
-80
-40
0
40
80
120
(
o
C)
160
0.9
-80
-40
0
40
80
120
(
o
C)
160
T
J
，结温
T
J
，结温
图9.归栅极阈值电压VS
结温
图10.归漏极至源极
击穿电压VS结温
2004仙童半导体公司
FQD45N03L牧师B1
FQD45N03L
典型特征
（续）T
C
= 25 ° C除非另有说明
2000
C
国际空间站
=
C
GS
+ C
GD
V
GS
，门源电压（ V）
10
V
DD
= 15V
8
1000
C，电容（pF ）
C
OSS
C
DS
+ C
GD
6
C
RSS
=
C
GD
4
任意波形
降序排列：
I
D
= 20A
I
D
= 10A
0
5
10
Q
g
，栅极电荷（ NC）
15
20
100
V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
40
0.1
1
10
30
2
0
V
DS
，漏源极电压（ V）
图11.电容VS漏极至源极
电压
100
V
GS
= 4.5V, V
DD
= 15V ，我
D
= 8A
80
t
r
图12.栅极电荷波形为恒
栅电流
150
V
GS
= 10V, V
DD
= 15V ，我
D
= 8A
t
D（关闭）
切换时间（纳秒）
100
切换时间（纳秒）
60
t
f
40
t
D（关闭）
t
D（上）
20
t
f
50
t
r
t
D（上）
0
0
10
20
30
40
50
0
0
10
20
30
40
50
R
GS
，门源电阻（ Ω ）
R
GS
，门源电阻（ Ω ）
图13.开关时间与栅极电阻
图14.开关时间与栅极电阻
测试电路和波形
V
DS
t
P
L
I
AS
异吨
P
获得
所需的峰值I
AS
V
GS
DUT
t
P
0V
R
G
-
BV
DSS
V
DS
V
DD
+
V
DD
I
AS
0.01
0
t
AV
图15.松开能源利用检测电路
2004仙童半导体公司
图16.松开能源波形
FQD45N03L牧师B1
FQD45N03L
2004年3月
FQD45N03L
N沟道逻辑电平PWM优化的功率MOSFET
概述
该器件采用了一种新的先进MOSFET技术
和特点，同时保持低通态低栅极电荷
性。
优化用于切换应用程序，该装置改善了
用DC / DC转换器的整体效率，并允许
操作，以更高的开关频率。
特点
快速开关
r
DS （ ON）
= 0.018Ω （典型值） ，V
GS
= 10V
r
DS （ ON）
= 0.028Ω （典型值） ，V
GS
= 5V
Q
g
（典型值） = 9NC ，V
GS
= 5V
Q
gd
（典型值） = 3NC
C
国际空间站
（典型值） = 970pF
应用
DC / DC转换
D
漏极（法兰）
门
来源
G
TO-252
MOSFET的最大额定值
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DSS
V
GS
参数
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
连续（T
C
= 25
o
C，V
GS
= 10V)
I
D
连续（T
C
=
连续（T
C
=
脉冲
P
D
T
J
, T
英镑
功耗
减免上述25
o
C
工作和存储温度
100
o
C,
25
o
C,
V
GS
= 4.5V)
R
θJA
=52
o
C)
V
GS
= 10V,
20
20
8
图4
41
0.33
-55到150
评级
30
±20
S
单位
V
V
A
A
A
A
W
W/
o
C
o
C
热特性
R
θJC
R
θJA
R
θJA
热阻结到外壳TO- 252
热阻结到环境TO- 252
热阻结到环境TO- 252 ， 1英寸
2
铜层的面积
3
100
52
o
C / W
C / W
o
C / W
o
包装标志和订购信息
器件标识
FQD45N03L
设备
FQD45N03L
包
TO-252AA
带尺寸
330mm
胶带宽度
16mm
QUANTITY
2500台
2004仙童半导体公司
FQD45N03L牧师B1
FQD45N03L
电气特性
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
开关特性
B
VDSS
I
DSS
I
GSS
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
V
GS
= 0V
V
GS
=
±20V
T
C
= 150 C
o
30
-
-
-
-
-
-
-
-
1
250
±100
V
A
nA
基本特征
V
GS （ TH）
r
DS （ ON）
门源阈值电压
漏极至源极导通电阻
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
I
D
= 20A ，V
GS
= 10V
I
D
= 18A ，V
GS
= 4.5V
1
-
-
-
0.018
0.028
3
0.023
0.033
V
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G（ TOT ）
Q
g(5)
Q
G（ TH ）
Q
gs
Q
gd
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷，在10V
总栅极电荷为5V
阈值的栅极电荷
门源栅极电荷
栅漏“米勒”充电
(V
GS
= 4.5V)
-
-
V
DD
= 15V ，我
D
= 8A
V
GS
= 5V ，R
GS
= 16
-
-
-
-
(V
GS
= 10V)
-
-
V
DD
= 15V ，我
D
= 8A
V
GS
= 10V ，R
GS
= 16
-
-
-
-
-
7
29
45
27
-
54
-
-
-
-
108
ns
ns
ns
ns
ns
ns
-
11
47
24
28
-
87
-
-
-
-
78
ns
ns
ns
ns
ns
ns
V
DS
= 15V, V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
V
GS
= 0V至10V
V
GS
= 0V至5V V
DD
= 15V
V
GS
= 0V至1V我
D
= 18A
I
g
= 1.0毫安
-
-
-
-
-
-
-
-
970
205
80
18
9
1.0
3.5
3.0
-
-
-
30
16
1.5
-
-
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
nC
开关特性
t
ON
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
关闭
开启时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
打开-O FF时间
开关特性
t
ON
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
关闭
开启时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
打开-O FF时间
非钳位感应开关
t
av
雪崩时间
I
D
= 2.7A ，L = 3MH
180
-
-
s
漏源二极管的特性
V
SD
t
rr
Q
RR
源极到漏极二极管电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
I
SD
= 18A
I
SD
= 9A
I
SD
= 18A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
I
SD
= 18A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
-
-
-
-
-
-
-
-
1.25
1.0
58
70
V
V
ns
nC
2004仙童半导体公司
FQD45N03L牧师B1
FQD45N03L
典型特征
1.2
功耗乘法器
T
C
= 25 ° C除非另有说明
25
1.0
I
D
，漏电流（ A）
20
V
GS
= 10V
15
V
GS
= 5V
10
0.8
0.6
0.4
5
0.2
0
0
25
50
75
100
125
150
25
50
T
A
，环境温度（
o
C)
75
100
125
T
C
，外壳温度（
o
C)
150
0
图1.归功耗与
环境温度
2
1
占空比 - 降序排列
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
图2.最大连续漏极电流VS
外壳温度
Z
θJC
归一化
热阻抗
P
DM
0.1
t
1
单脉冲
t
2
注意事项：
DUTY因子：D = T
1
/t
2
PEAK牛逼
J
= P
DM
X Z
θJC
个R
θJC
+ T
C
0.01
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
吨，矩形脉冲持续时间（ S）
10
-1
10
0
10
1
图3.归一化最大瞬态热阻抗
500
跨
可能限流
在这个区域
I
DM
峰值电流（ A）
V
GS
= 10V
100
V
GS
= 5V
T
C
= 25
o
C
对于温度
上述25
o
C减免PEAK
当前，如下所示：
I = I
25
150 - T
C
125
10
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
T，脉冲宽度（ S）
10
-1
10
0
10
1
图4.峰值电流容量
2004仙童半导体公司
FQD45N03L牧师B1
FQD45N03L
典型特征
（续）T
C
= 25 ° C除非另有说明
50
脉冲持续时间为80μs =
40
I
D
，漏电流（ A）
占空比= 0.5 ％ MAX
V
DD
= 15V
I
D
，漏电流（ A）
40
50
V
GS
= 10V
V
GS
= 5V
30
T
J
= 150
o
C
20
T
J
= 25
o
C
T
J
= -55
o
C
0
1
2
3
4
V
GS
，门源电压（ V）
5
30
V
GS
= 4V
20
10
10
V
GS
= 3V
T
C
= 25
o
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
0
0
0.5
1.0
1.5
V
DS
，漏源极电压（ V）
2.0
图5.传输特性
40
归一漏极至源极
抗性
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
r
DS （ ON）
，漏极到源极
ON电阻（mΩ ）
I
D
= 10A
30
I
D
= 20A
图6.饱和特性
2.0
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
1.5
20
1.0
V
GS
= 10V ，我
D
=20A
10
2
4
6
8
10
0.5
-80
-40
V
GS
，门源电压（ V）
0
40
80
120
T
J
，结温（
o
C)
160
图7.漏极至源极导通电阻VS门
电压和漏极电流
1.2
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
图8.归漏极至源极导
电阻与结Temperatrue
1.2
归一漏极至源极
击穿电压
I
D
= 250A
归一化门
阈值电压
1.0
1.1
0.8
1.0
0.6
0.4
-80
-40
0
40
80
120
(
o
C)
160
0.9
-80
-40
0
40
80
120
(
o
C)
160
T
J
，结温
T
J
，结温
图9.归栅极阈值电压VS
结温
图10.归漏极至源极
击穿电压VS结温
2004仙童半导体公司
FQD45N03L牧师B1
FQD45N03L
典型特征
（续）T
C
= 25 ° C除非另有说明
2000
C
国际空间站
=
C
GS
+ C
GD
V
GS
，门源电压（ V）
10
V
DD
= 15V
8
1000
C，电容（pF ）
C
OSS
C
DS
+ C
GD
6
C
RSS
=
C
GD
4
任意波形
降序排列：
I
D
= 20A
I
D
= 10A
0
5
10
Q
g
，栅极电荷（ NC）
15
20
100
V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
40
0.1
1
10
30
2
0
V
DS
，漏源极电压（ V）
图11.电容VS漏极至源极
电压
100
V
GS
= 4.5V, V
DD
= 15V ，我
D
= 8A
80
t
r
图12.栅极电荷波形为恒
栅电流
150
V
GS
= 10V, V
DD
= 15V ，我
D
= 8A
t
D（关闭）
切换时间（纳秒）
100
切换时间（纳秒）
60
t
f
40
t
D（关闭）
t
D（上）
20
t
f
50
t
r
t
D（上）
0
0
10
20
30
40
50
0
0
10
20
30
40
50
R
GS
，门源电阻（ Ω ）
R
GS
，门源电阻（ Ω ）
图13.开关时间与栅极电阻
图14.开关时间与栅极电阻
测试电路和波形
V
DS
t
P
L
I
AS
异吨
P
获得
所需的峰值I
AS
V
GS
DUT
t
P
0V
R
G
-
BV
DSS
V
DS
V
DD
+
V
DD
I
AS
0.01
0
t
AV
图15.松开能源利用检测电路
2004仙童半导体公司
图16.松开能源波形
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