【FQD3N60C2006年1月QFETFQD3N60C600V N沟道MOSFET特点 2.4A ，】,IC型号FQD3N60CTF,FQD3N60CTF PDF资料,FQD3N60CTF经销商,ic,电子元器件-51电子网

FQD3N60C

2006年1月

QFET

FQD3N60C

600V N沟道MOSFET

特点

2.4A ， 600V ，R

DS （ ON）

= 3.4 @V

GS

= 10 V

低栅极电荷（典型值10.5 NC）

低C

RSS

（典型值5 pF的）

快速开关

100 ％雪崩测试

改进dv / dt能力

TM

描述

这些N沟道增强型功率场效应

晶体管都采用飞兆半导体专有的，平面出品

条纹， DMOS技术。

这种先进的技术已特别针对

最大限度地减少通态电阻，优越的开关

性能，并能承受高能量脉冲雪崩

和减刑模式。这些装置非常适用于高

效率开关电源，有源功率因数

基于半桥校正，电子镇流器

拓扑结构。

D

G

S

D- PAK

FQD系列

G

S

绝对最大额定值

符号

V

DSS

I

D

I

DM

V

GSS

E

AS

I

AR

E

AR

dv / dt的

P

D

T

J,

T

英镑

T

L

漏源电压

漏电流

栅源电压

单脉冲雪崩能量

雪崩电流

重复性雪崩能量

峰值二极管恢复的dv / dt

功耗

(T

C

= 25°C)

- 减免上述25℃

（注2 ）

（注1 ）

（注3）

参数

- 连续（T

C

= 25°C)

- 连续（T

C

= 100°C)

- 脉冲

（注1 ）

FQD3N60C

600

2.4

1.5

9.6

±30

150

2.4

5.0

4.5

50

0.4

-55到+150

300

单位

V

A

V

mJ

A

mJ

V / ns的

W

W / ℃，

°C

工作和存储温度范围

最大无铅焊接温度的目的，

1/8 ？从案例5秒

热特性

符号

R

θJC

R

θJA

*

R

θJA

参数

热阻，结到外壳

热阻，结到环境*

热阻，结到环境

典型值。

--

马克斯。

2.5

50

110

单位

° C / W

*当安装在推荐的最小焊盘尺寸（ PCB安装）

2006仙童半导体公司

1

www.fairchildsemi.com

FQD3N60C REV 。一

600V N沟道MOSFET

包装标志和订购信息

器件标识

FQD3N60C

设备

FQD3N60CTM

FQD3N60CTF

包

D- PAK

T

C

= 25 ° C除非另有说明

带尺寸

380mm

胶带宽度

16mm

QUANTITY

2500

2000

电气特性

符号

开关特性

BV

DSS

ΔBV

DSS

/

T

J

I

DSS

I

GSSF

I

GSSR

V

GS （ TH）

R

DS （ ON）

g

FS

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

g

Q

gs

Q

gd

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

注意事项：

参数

漏源击穿电压

击穿电压温度

系数

零栅极电压漏极电流

门体漏电流，正向

门体漏电流，反向

栅极阈值电压

静态漏源

导通电阻

正向跨导

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

条件

V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

I

D

= 250μA ，引用至25℃

V

DS

= 600V, V

GS

= 0V

V

DS

= 480V ，T

C

= 125°C

V

GS

= 30V, V

DS

= 0V

V

GS

= -30V, V

DS

= 0V

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250A

V

GS

= 10V ，我

D

= 1.2A

V

DS

= 40V ，我

D

= 1.2A

V

DS

= 25V, V

GS

= 0V,

F = 1.0MHz的

（注4 ）

分钟。

600

--

2.0

--

典型值。

--

0.6

--

2.8

3.5

435

45

5

12

30

35

10.5

2.1

4.5

最大单位

--

1

10

100

-100

4.0

3.4

--

565

60

8

34

70

80

14

--

V

V /°C的

A

nA

V

S

pF

ns

nC

基本特征

动态特性

开关特性

V

DD

= 300V ，我

D

= 3A

R

G

= 25

（注4,5）

--

（注4,5）

V

DS

= 480V ，我

D

= 3A

V

GS

= 10V

--

漏源二极管的特性和最大额定值

最大连续漏源二极管的正向电流

最大脉冲漏源二极管的正向电流

漏源二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

V

GS

= 0V时，我

S

= 2.4A

V

GS

= 0V时，我

S

= 3A

dI

F

/ DT = 100A / μs的

（注4 ）

--

260

1.6

3

12

1.4

--

A

V

ns

C

1.重复评价：脉冲宽度有限的最高结温

2. I

AS

= 2.4A ，V

DD

= 50V ，L = 47mH ，R

G

= 25Ω ，起始物为

J

= 25°C

3. I

SD

≤

图3A中， di / dt的

≤

200A / μs的，V

DD

≤

BV

DSS

，起始物为

J

= 25°C

4.脉冲测试：脉冲宽度

≤

300μS ，占空比

≤

2%

5.基本上是独立的工作温度典型特征

600V N沟道MOSFET REV 。一

2

www.fairchildsemi.com

600V N沟道MOSFET

典型性能特性

图1.区域特征

10

1

图2.传输特性

10

1

I

D

，漏电流[ A]

10

0

I

D

，漏电流[ A]

V

GS

上图：

15.0 V

10.0 V

8.0 V

7.0 V

6.5 V

6.0 V

5.5 V

底部： 5.0 V

150 C

25 C

-55 C

※

注意事项：

1. V

DS

= 40V

2. 250μ s脉冲测试

o

※

注意事项：

1. 250μ s脉冲测试

2. T

C

= 25

℃

10

-1

10

0

10

1

10

0

2

4

6

8

10

V

DS

，漏源电压[V]

V

GS

，栅源电压[V]

图3.导通电阻变化对比

漏电流和栅极电压

图4.体二极管正向电压

变化与源电流

和温度

12

10

1

R

DS （ ON）

[ ],

漏源导通电阻

8

6

V

GS

= 10V

I

DR

，反向漏电流[ A]

10

0

150

℃

25

℃

※

注意事项：

1. V

GS

= 0V

2. 250μ s脉冲测试

4

V

GS

= 20V

2

※

注：t

J

= 25

℃

0

1

2

3

4

5

6

7

10

-1

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

I

D

，漏电流[ A]

V

SD

，源极 - 漏极电压[ V]

图5.电容特性

12

800

700

600

C

国际空间站

= C

gs

+ C

gd

(C

ds

=短路）

C

OSS

= C

ds

+ C

gd

C

RSS

= C

gd

图6.栅极电荷特性

C

OSS

C

国际空间站

V

GS

，栅源电压[V]

10

V

DS

= 120V

V

DS

= 300V

V

DS

= 480V

8

电容[ pF的]

500

400

300

200

100

0

-1

10

6

4

C

RSS

※

注意;

1. V

GS

= 0 V

2. F = 1 MHz的

2

※

注：我

D

= 10A

0

10

0

10

1

0

2

4

6

8

10

12

V

DS

，漏源电压[V]

Q

G

，总栅极电荷[ NC ]

600V N沟道MOSFET REV 。一

3

www.fairchildsemi.com

600V N沟道MOSFET

典型性能特性

（续）

图7.击穿电压变化

与温度的关系

1.2

图8.导通电阻变化

与温度的关系

3.0

BV

DSS

（归一化）

漏源击穿电压

R

DS （ ON）

（归一化）

漏源导通电阻

2.5

1.1

2.0

1.0

1.5

0.9

注意事项：

1.0

注意事项：

1. V

GS

= 0 V

2. I

D

= 250

A

0.5

1. V

GS

= 10 V

2. I

D

= 1.2 A

0.8

-100

-50

0

50

100

o

150

200

0.0

-100

-50

0

50

100

o

150

200

T

J

，结温[C]

T

J

，结温[C]

图9.最高安全工作区

图10.最大漏极电流

与外壳温度

2.5

在这一领域

由R有限公司

DS （ ON）

10

1

2.0

I

D

，漏电流[ A]

1毫秒

10

0

I

D

，漏电流[ A]

100

s

10毫秒

DC

10

s

1.5

1.0

10

-1

※

注意事项：

1. T

C

= 25 C

2. T

J

= 150 C

3.单脉冲

o

0.5

10

-2

10

0

0.0

25

50

75

100

125

150

V

DS

，漏源电压[V]

T

C

，外壳温度[

℃

]

图11.瞬态热响应曲线

Z

θ

JC

（T ），热响应

10

0

D = 0 .5

0 .2

0 .1

0 .0 5

※

N 2 O TE S：

1 . Z

θ

J·C

( t) = 2 .5

℃

/ W M A X 。

2 。 ü TY F A C到R，D = T

1

/t

2

3 . T

J·M

- T

C

= P

D M

* Z

θ

J·C

( t)

10

-1

0 .0 2

0 .0 1

S IN克乐P ü LS ê

P

DM

t

1

t

2

10

-2

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

10

-1

10

0

10

1

t

1

，S单方W AVE P ü LS E D市建局TIO N [秒]

600V N沟道MOSFET REV 。一

4

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600V N沟道MOSFET

栅极电荷测试电路波形&

电阻开关测试电路波形&

非钳位感应开关测试电路波形&

600V N沟道MOSFET REV 。一

5

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FQD3N60C

2006年1月

QFET

FQD3N60C

600V N沟道MOSFET

特点

2.4A ， 600V ，R

DS （ ON）

= 3.4 @V

GS

= 10 V

低栅极电荷（典型值10.5 NC）

低C

RSS

（典型值5 pF的）

快速开关

100 ％雪崩测试

改进dv / dt能力

TM

描述

这些N沟道增强型功率场效应

晶体管都采用飞兆半导体专有的，平面出品

条纹， DMOS技术。

这种先进的技术已特别针对

最大限度地减少通态电阻，优越的开关

性能，并能承受高能量脉冲雪崩

和减刑模式。这些装置非常适用于高

效率开关电源，有源功率因数

基于半桥校正，电子镇流器

拓扑结构。

D

G

S

D- PAK

FQD系列

G

S

绝对最大额定值

符号

V

DSS

I

D

I

DM

V

GSS

E

AS

I

AR

E

AR

dv / dt的

P

D

T

J,

T

英镑

T

L

漏源电压

漏电流

栅源电压

单脉冲雪崩能量

雪崩电流

重复性雪崩能量

峰值二极管恢复的dv / dt

功耗

(T

C

= 25°C)

- 减免上述25℃

（注2 ）

（注1 ）

（注3）

参数

- 连续（T

C

= 25°C)

- 连续（T

C

= 100°C)

- 脉冲

（注1 ）

FQD3N60C

600

2.4

1.5

9.6

±30

150

2.4

5.0

4.5

50

0.4

-55到+150

300

单位

V

A

V

mJ

A

mJ

V / ns的

W

W / ℃，

°C

工作和存储温度范围

最大无铅焊接温度的目的，

1/8 ？从案例5秒

热特性

符号

R

θJC

R

θJA

*

R

θJA

参数

热阻，结到外壳

热阻，结到环境*

热阻，结到环境

典型值。

--

马克斯。

2.5

50

110

单位

° C / W

*当安装在推荐的最小焊盘尺寸（ PCB安装）

2006仙童半导体公司

1

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FQD3N60C REV 。一

600V N沟道MOSFET

包装标志和订购信息

器件标识

FQD3N60C

设备

FQD3N60CTM

FQD3N60CTF

包

D- PAK

T

C

= 25 ° C除非另有说明

带尺寸

380mm

胶带宽度

16mm

QUANTITY

2500

2000

电气特性

符号

开关特性

BV

DSS

ΔBV

DSS

/

T

J

I

DSS

I

GSSF

I

GSSR

V

GS （ TH）

R

DS （ ON）

g

FS

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

g

Q

gs

Q

gd

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

注意事项：

参数

漏源击穿电压

击穿电压温度

系数

零栅极电压漏极电流

门体漏电流，正向

门体漏电流，反向

栅极阈值电压

静态漏源

导通电阻

正向跨导

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

条件

V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

I

D

= 250μA ，引用至25℃

V

DS

= 600V, V

GS

= 0V

V

DS

= 480V ，T

C

= 125°C

V

GS

= 30V, V

DS

= 0V

V

GS

= -30V, V

DS

= 0V

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250A

V

GS

= 10V ，我

D

= 1.2A

V

DS

= 40V ，我

D

= 1.2A

V

DS

= 25V, V

GS

= 0V,

F = 1.0MHz的

（注4 ）

分钟。

600

--

2.0

--

典型值。

--

0.6

--

2.8

3.5

435

45

5

12

30

35

10.5

2.1

4.5

最大单位

--

1

10

100

-100

4.0

3.4

--

565

60

8

34

70

80

14

--

V

V /°C的

A

nA

V

S

pF

ns

nC

基本特征

动态特性

开关特性

V

DD

= 300V ，我

D

= 3A

R

G

= 25

（注4,5）

--

（注4,5）

V

DS

= 480V ，我

D

= 3A

V

GS

= 10V

--

漏源二极管的特性和最大额定值

最大连续漏源二极管的正向电流

最大脉冲漏源二极管的正向电流

漏源二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

V

GS

= 0V时，我

S

= 2.4A

V

GS

= 0V时，我

S

= 3A

dI

F

/ DT = 100A / μs的

（注4 ）

--

260

1.6

3

12

1.4

--

A

V

ns

C

1.重复评价：脉冲宽度有限的最高结温

2. I

AS

= 2.4A ，V

DD

= 50V ，L = 47mH ，R

G

= 25Ω ，起始物为

J

= 25°C

3. I

SD

≤

图3A中， di / dt的

≤

200A / μs的，V

DD

≤

BV

DSS

，起始物为

J

= 25°C

4.脉冲测试：脉冲宽度

≤

300μS ，占空比

≤

2%

5.基本上是独立的工作温度典型特征

600V N沟道MOSFET REV 。一

2

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600V N沟道MOSFET

典型性能特性

图1.区域特征

10

1

图2.传输特性

10

1

I

D

，漏电流[ A]

10

0

I

D

，漏电流[ A]

V

GS

上图：

15.0 V

10.0 V

8.0 V

7.0 V

6.5 V

6.0 V

5.5 V

底部： 5.0 V

150 C

25 C

-55 C

※

注意事项：

1. V

DS

= 40V

2. 250μ s脉冲测试

o

※

注意事项：

1. 250μ s脉冲测试

2. T

C

= 25

℃

10

-1

10

0

10

1

10

0

2

4

6

8

10

V

DS

，漏源电压[V]

V

GS

，栅源电压[V]

图3.导通电阻变化对比

漏电流和栅极电压

图4.体二极管正向电压

变化与源电流

和温度

12

10

1

R

DS （ ON）

[ ],

漏源导通电阻

8

6

V

GS

= 10V

I

DR

，反向漏电流[ A]

10

0

150

℃

25

℃

※

注意事项：

1. V

GS

= 0V

2. 250μ s脉冲测试

4

V

GS

= 20V

2

※

注：t

J

= 25

℃

0

1

2

3

4

5

6

7

10

-1

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

I

D

，漏电流[ A]

V

SD

，源极 - 漏极电压[ V]

图5.电容特性

12

800

700

600

C

国际空间站

= C

gs

+ C

gd

(C

ds

=短路）

C

OSS

= C

ds

+ C

gd

C

RSS

= C

gd

图6.栅极电荷特性

C

OSS

C

国际空间站

V

GS

，栅源电压[V]

10

V

DS

= 120V

V

DS

= 300V

V

DS

= 480V

8

电容[ pF的]

500

400

300

200

100

0

-1

10

6

4

C

RSS

※

注意;

1. V

GS

= 0 V

2. F = 1 MHz的

2

※

注：我

D

= 10A

0

10

0

10

1

0

2

4

6

8

10

12

V

DS

，漏源电压[V]

Q

G

，总栅极电荷[ NC ]

600V N沟道MOSFET REV 。一

3

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600V N沟道MOSFET

典型性能特性

（续）

图7.击穿电压变化

与温度的关系

1.2

图8.导通电阻变化

与温度的关系

3.0

BV

DSS

（归一化）

漏源击穿电压

R

DS （ ON）

（归一化）

漏源导通电阻

2.5

1.1

2.0

1.0

1.5

0.9

注意事项：

1.0

注意事项：

1. V

GS

= 0 V

2. I

D

= 250

A

0.5

1. V

GS

= 10 V

2. I

D

= 1.2 A

0.8

-100

-50

0

50

100

o

150

200

0.0

-100

-50

0

50

100

o

150

200

T

J

，结温[C]

T

J

，结温[C]

图9.最高安全工作区

图10.最大漏极电流

与外壳温度

2.5

在这一领域

由R有限公司

DS （ ON）

10

1

2.0

I

D

，漏电流[ A]

1毫秒

10

0

I

D

，漏电流[ A]

100

s

10毫秒

DC

10

s

1.5

1.0

10

-1

※

注意事项：

1. T

C

= 25 C

2. T

J

= 150 C

3.单脉冲

o

0.5

10

-2

10

0

0.0

25

50

75

100

125

150

V

DS

，漏源电压[V]

T

C

，外壳温度[

℃

]

图11.瞬态热响应曲线

Z

θ

JC

（T ），热响应

10

0

D = 0 .5

0 .2

0 .1

0 .0 5

※

N 2 O TE S：

1 . Z

θ

J·C

( t) = 2 .5

℃

/ W M A X 。

2 。 ü TY F A C到R，D = T

1

/t

2

3 . T

J·M

- T

C

= P

D M

* Z

θ

J·C

( t)

10

-1

0 .0 2

0 .0 1

S IN克乐P ü LS ê

P

DM

t

1

t

2

10

-2

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

10

-1

10

0

10

1

t

1

，S单方W AVE P ü LS E D市建局TIO N [秒]

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