FQB7N60 / FQI7N60
- N沟道QFET
MOSFET
2013年10月
FQB7N60 / FQI7N60
N沟道QFET
MOSFET
800 V ， 3.9 A， 3.6 Ω
描述
这种N沟道增强型功率MOSFET是
采用飞兆半导体专有的
平面条形和DMOS技术。这种先进
MOSFET技术已特别针对
降低通态电阻，并提供优越的
交换性能和高雪崩能量
强度。这些器件适用于切换模式
电源，有源功率因数校正（PFC） ，并
电子镇流器。
特点
3.9 A， 800 V ，R
DS （ ON）
= 3.6
（ MAX 。 ）
@V
GS
= 10 V,
I
D
=
1.95
A
低栅极电荷（典型值19 NC ）
低的Crss （典型值8.6 pF的）
100 ％雪崩测试
D
D
G
G
S
D
2
-PAK
G
DS
I
2
-PAK
S
绝对最大额定值
T
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GSS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
P
D
C
= 25℃，除非另有说明。
o
参数
漏源电压
- 连续（T
C
= 25°C)
漏电流
- 连续（T
C
= 100°C)
漏电流
- 脉冲
（注1 ）
FQB7N60TM
FQB7N60TM_WS
FQI7N60TU
600
7.4
4.7
29.6
±30
（注2 ）
（注1 ）
（注1 ）
（注3）
单位
V
A
A
A
V
mJ
A
mJ
V / ns的
W
W
W / ℃，
°C
°C
栅源电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
功率耗散（T
A
= 25°C) *
功率耗散（T
C
= 25°C)
- 减免上述25℃
工作和存储温度范围
最大
焊接温度
为
焊接，
1/8 ？从
例
5
秒
580
7.4
14.2
4.5
3.13
142
1.14
-55到+150
300
T
J
, T
英镑
T
L
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
参数
热阻，结到外壳，马克斯。
热阻，结到环境（最低
PAD
的2盎司
铜） ，
马克斯。
热阻，结到环境（ * 1
2
PAD
的2盎司
铜） ，
马克斯。
1
FQB7N60TM
FQB7N60TM_WS
FQI7N60TU
0.88
62.5
40
单位
o
C / W
2000
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
FQB7N60 / FQI7N60
牧师C1
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FQB7N60 / FQI7N60
- N沟道QFET
MOSFET
包装标志和订购信息
产品型号
FQB7N60TM
FQB7N60TM_WS
FQI7N60TU
顶标
FQB7N60
FQB7N60S
FQI7N60
包
D
2
-PAK
D
2
-PAK
I
2
-PAK
o
包装方法
磁带和卷轴
磁带和卷轴
管
带尺寸
330 mm
330 mm
不适用
胶带宽度
24
mm
24
mm
不适用
QUANTITY
800
单位
800
单位
50
单位
电气特性
T
符号
参数
C
= 25℃，除非另有说明。
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
开关特性
BV
DSS
ΔBV
DSS
/
T
J
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门体漏电流，正向
门体漏电流，反向
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
A
I
D
= 250
A,
参考25 ℃下
V
DS
= 600 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 480 V ，T
C
= 125°C
V
GS
= 30 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= -30 V, V
DS
= 0 V
600
--
--
--
--
--
--
0.67
--
--
--
--
--
--
10
100
100
-100
V
V /°C的
A
A
nA
nA
基本特征
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
栅极阈值电压
静态漏源
导通电阻
正向跨导
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
A
V
GS
= 10 V，I
D
= 3.7 A
V
DS
= 50 V，I
D
= 3.7 A
3.0
--
--
--
0.8
6.4
5.0
1.0
--
V
S
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
--
--
--
1100
135
16
1430
175
21
pF
pF
pF
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DS
= 480 V，I
D
= 7.4 A,
V
GS
= 10 V
V
DD
= 300 V，I
D
= 7.4 A,
R
G
= 25
（注4 ）
--
--
--
--
--
--
（注4 ）
30
80
65
60
29
7
14.5
70
170
140
130
38
--
--
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
--
漏源二极管的特性和最大额定值
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
最大连续漏源二极管的正向电流
最大脉冲漏源二极管的正向电流
V
GS
= 0 V，I
S
= 7.4 A
漏源二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
GS
= 0 V，I
S
= 7.4 A,
dI
F
/ DT = 100 A / μs的
--
--
--
--
--
--
--
--
320
2.4
7.4
29.6
1.4
--
--
A
A
V
ns
C
1.重复
等级
:
脉宽
受最高结温。
2. L =
19.5
mH的，我
AS
=
7.4
A，V
DD
= 50 V ，R
G
= 25
,
开始
T
J
= 25
o
C.
3. I
SD
≤
7.4
A， di / dt的≤
200
A / μs的，V
DD
= BV
DSS
开始
T
J
= 25
o
C.
4.基本上是独立的工作温度。
2000
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10
1
10
0
I
D
，漏电流[ A]
I
D
，漏电流[ A]
V
GS
15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.5 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
底部： 5.5 V
上图：
10
1
10
0
150
25
-55
注意事项：
1. V
DS
= 50V
2. 250 ？脉冲测试
s
10
-1
注意事项：
1. 250 ？脉冲测试
s
2. T
C
= 25
10
-1
10
0
10
1
10
-1
2
4
6
8
10
V
DS
，漏源电压[V]
V
GS
，栅源电压[V]
图1.区域特征
图2.传输特性
2.5
2.0
V
GS
= 10V
V
GS
= 20V
10
1
漏源导通电阻
1.5
1.0
I
DR
，反向漏电流[ A]
R
DS （ ON）
[
],
10
0
0.5
注：t
J
= 25
150
-1
25
注意事项：
1. V
GS
= 0V
2. 250 ？脉冲测试
s
0.0
0
5
10
15
20
25
10
I
D
，漏电流[ A]
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
SD
，源极 - 漏极电压[ V]
图3.导通电阻变化对比
漏电流和栅极电压
图4.体二极管正向电压
变化与源电流
和温度
12
2000
C
国际空间站
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
=短路）
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
C
RSS
= C
gd
V
DS
= 120V
10
V
GS
，栅源电压[V]
1600
C
国际空间站
V
DS
= 300V
V
DS
= 480V
8
电容[ pF的]
1200
C
OSS
6
800
C
RSS
400
注意事项：
1. V
GS
= 0 V
2. F = 1 MHz的
4
2
注：我
D
= 7.4A
0
-1
10
0
0
5
10
15
20
25
30
35
10
0
10
1
V
DS
，漏源电压[V]
Q
G
，总栅极电荷[ NC ]
图5.电容特性
图6.栅极电荷特性
2000
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1.2
3.0
2.5
BV
DSS
（范
alized ）
漏源击穿电压
R
DS （ ON）
（归一化）
漏源导通电阻
1.1
2.0
1.0
1.5
1.0
注意事项：
1. V
GS
= 10 V
2. I
D
= 3.7 A
0.9
注意事项：
1. V
GS
= 0 V
2. I
D
= 250
A
0.5
0.8
-100
-50
0
50
100
o
150
200
0.0
-100
-50
0
50
100
o
150
200
T
J
，结TEM
规律[ C]
T
J
，结温[C]
图7.击穿电压变化
与温度的关系
8
10
2
图8.导通电阻变化
与温度的关系
在这一领域
由R有限公司
DS （ ON）
6
I
D
，漏电流[ A]
10
1
1毫秒
10毫秒
DC
I
D
，漏电流[ A]
100
s
4
10
0
注意事项：
1. T
C
= 25 C
2. T
J
= 150 C
3.单脉冲
o
o
2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
0
25
50
75
100
125
150
V
DS
，漏源电压[V]
T
C
，外壳温度[
]
图9.最高安全工作区
图10.最大漏极电流
与外壳温度
Z
θJC
（T ） ，热响应[
o
C / W]
10
0
D = 0 .5
0 .2
10
-1
0 .1
0 .0 5
0 .0 2
0 .0 1
S IN克乐P ü LS ê
OTES ：
1 . Z
J·C
( t ) = 0 . 8 8
/ W M A X 。
2 。 ü吨和Y F是C T O服务R，D = T
1
/t
2
3 . T
J·M
- T
C
= P
D M
* Z
J·C
( t )
P
DM
t
1
t
2
10
-2
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
t
1
，矩形脉冲持续时间（秒）
图11.瞬态热响应曲线
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50KΩ
12V
200nF
300nF
同一类型
作为DUT
V
DS
V
GS
10V
Q
gs
Q
g
V
GS
DUT
I
G
=常数。
3mA
Q
gd
收费
图12.栅极电荷测试电路波形&
V
DS
R
G
V
GS
10V
R
L
V
DD
V
DS
90%
V
GS
DUT
V
GS
10%
t
D（上）
t
on
t
r
t
D（关闭）
t
关闭
t
f
图13.电阻开关测试电路波形&
V
DS
I
D
R
G
V
GS
10V
GS
t
p
L
BV
DSS
I
AS
V
DD
DUT
V
DD
BV
DSS
1
---- L I
AS2
--------------------
E
AS
=
2
BV
DSS
- V
DD
I
D
(t)
V
DS
(t)
t
p
时间
图14.非钳位感应开关测试电路波形&
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