FQB34P10TM_F085 100V P沟道MOSFET
2012年3月
QFET
FQB34P10TM_F085
100V P沟道MOSFET
概述
这些P沟道增强型功率场效应
晶体管采用飞兆半导体专有的，
平面条形， DMOS技术。
这种先进的技术已特别针对
最大限度地减少通态电阻，优越的开关
性能，并能承受高能量脉冲
雪崩和减刑模式。这些装置是公
适用于低电压应用，例如音频放大器，
高效率的开关型DC / DC转换器和DC马达
控制权。
TM
特点
-33.5A ， -100V ，R
DS （ ON）
= 0.06 @V
GS
= -10 V
低栅极电荷（典型的85 NC）
低的Crss （典型值170 pF的）
快速开关
100％的雪崩测试
改进的dv / dt能力
175°C最高结温额定值
符合AEC Q101
RoHS指令
柔顺
S
D
G
!
!
●
●
▲
G
S
FQB系列
D
2
-PAK
●
!
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GSS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
P
D
D
单位
V
A
A
A
V
mJ
A
mJ
V / ns的
W
W
W / ℃，
°C
°C
T
C
= 25 ° C除非另有说明
参数
漏源电压
- 连续（T
C
= 25°C)
漏电流
- 连续（T
C
= 100°C)
漏电流
- 脉冲
（注1 ）
FQB34P10TM_F085
-100
-33.5
-23.5
-134
±
25
（注2 ）
（注1 ）
（注1 ）
（注3）
栅源电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
功率耗散（T
A
= 25°C) *
2200
-33.5
15.5
-6.0
3.75
155
1.03
-55到+175
300
T
J
, T
英镑
T
L
功率耗散（T
C
= 25°C)
- 减免上述25℃
工作和存储温度范围
最大无铅焊接温度的目的，
8分之1 ＆ QUOT ;从案例5秒
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
R
θJA
参数
热阻，结到外壳
热阻，结到环境*
热阻，结到环境
典型值
--
--
--
最大
0.97
40
62.5
单位
° C / W
° C / W
° C / W
*当安装在推荐的最小焊盘尺寸（ PCB安装）
2012
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
FQB34P10TM_F085牧师C1
1
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FQB34P10TM_F085 100V P沟道MOSFET
电气特性
符号
参数
T
C
= 25 ° C除非另有说明
测试条件
民
典型值
最大
单位
开关特性
BV
DSS
ΔBV
DSS
/
T
J
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门体漏电流，正向
门体漏电流，反向
V
GS
= 0 V，I
D
= -250
A
I
D
= -250
A,
参考25 ℃下
V
DS
= -100 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= -80 V，T
C
= 150°C
V
GS
= -25 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= 25 V, V
DS
= 0 V
-100
--
--
--
--
--
--
-0.1
--
--
--
--
--
--
-1
-10
-100
100
V
V /°C的
A
A
nA
nA
基本特征
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
栅极阈值电压
静态漏源
导通电阻
正向跨导
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250
A
V
GS
= -10 V，I
D
= -16.75 A
V
DS
= -40 V，I
D
= -16.75 A
（注4 ）
-2.0
--
--
--
0.049
23
-4.0
0.06
--
V
S
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
DS
= -25 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
--
--
--
2240
730
170
2910
950
220
pF
pF
pF
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DD
= -50 V，I
D
= -33.5 A,
R
G
= 25
（注4,5）
--
--
--
--
--
--
--
25
250
160
210
85
15
45
60
510
330
430
110
--
--
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
= -80 V，I
D
= -33.5 A,
V
GS
= -10 V
（注4,5）
漏源二极管的特性和最大额定值
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
最大连续漏源二极管的正向电流
最大脉冲漏源二极管的正向电流
V
GS
= 0 V，I
S
= -33.5 A
漏源二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
GS
= 0 V，I
S
= -33.5 A,
dI
F
/ DT = 100 A / μs的
（注4 ）
--
--
--
--
--
--
--
--
160
0.88
-33.5
-134
-4.0
--
--
A
A
V
ns
C
注意事项：
1.重复额定值：脉冲宽度有限的最高结温
2， L = 3.9mH ，我
AS
= -33.5A ，V
DD
= -25V ，R
G
= 25
,
起始物为
J
= 25°C
3. I
SD
≤
-33.5A ， di / dt的
≤
300A / μs的，V
DD
≤
BV
DSS ，
起始物为
J
= 25°C
4.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2%
5.基本上是独立工作温度
FQB34P10TM_F085牧师C1
2
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FQB34P10TM_F085 100V P沟道MOSFET
典型特征
10
2
-I
D
，漏电流[ A]
-I
D
，漏电流[ A]
10
1
V
GS
-15.0 V
-10.0 V
-8.0 V
-7.0 V
-6.5 V
-5.5 V
-5.0 V
下图： -4.5 V
上图：
10
2
10
1
175
℃
10
0
25
℃
10
0
10
-1
-55
℃
※
注意事项：
1. V
DS
= -40V
2. 250μ s脉冲测试
※
注意：
1. 250μ s脉冲测试
2. T
C
= 25
℃
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
-1
2
4
6
8
10
-V
DS
，漏源电压[V]
-V
GS
，栅源电压[V]
图1.区域特征
图2.传输特性
0.35
10
2
R
DS （ ON）
[
],
漏源导通电阻
V
GS
= - 10V
0.25
0.20
V
GS
= - 20V
0.15
0.10
0.05
0.00
-I
DR
，反向漏电流[ A]
0.30
10
1
10
0
175
℃
25
℃
※
注： T = 25
℃
J
※
注意事项：
1. V
GS
= 0V
2. 250μs的脉冲测试
0
25
50
75
100
125
150
175
200
10
-1
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
-I
D
，漏电流[ A]
-V
SD
，源极 - 漏极电压[ V]
图3.导通电阻变化对比
漏电流和栅极电压
图4.体二极管正向电压
变化与源电流
和温度
6500
6000
5500
5000
C
国际空间站
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
=短路）
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
C
RSS
= C
gd
12
-V
GS
，栅源电压[V]
C
OSS
C
国际空间站
※
注意事项：
1. V
GS
= 0 V
2. F = 1 MHz的
10
V
DS
= -20V
V
DS
= -50V
V
DS
= -80V
电容[ pF的]
4500
4000
3500
3000
2500
2000
1500
1000
500
0
-1
10
8
6
C
RSS
4
2
※
注：我
D
= -33.5 A
10
0
10
1
0
0
20
40
60
80
100
V
DS
，漏源电压[V]
Q
G
，总栅极电荷[ NC ]
图5.电容特性
图6.栅极电荷特性
FQB34P10TM_F085牧师C1
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FQB34P10TM_F085 100V P沟道MOSFET
典型特征
（续）
1.2
2.5
-bv
DSS
（归一化）
漏源击穿电压
R
DS （ ON）
（归一化）
漏源导通电阻
2.0
1.1
1.5
1.0
1.0
0.9
※
注意事项：
1. V
GS
= 0 V
2. I
D
= -250 A
0.5
※
注意事项：
1. V
GS
= -10 V
2. I
D
= -16.75 A
0.8
-100
-50
0
50
100
o
150
200
0.0
-100
-50
0
50
100
o
150
200
T
J
，结温[C]
T
J
，结温[C]
图7.击穿电压变化
与温度的关系
图8.导通电阻变化
与温度的关系
40
在这一领域
由R有限公司
DS （ ON）
35
10
2
100
s
1毫秒
10毫秒
-I
D
，漏电流[ A]
2
-I
D
，漏电流[ A]
30
25
20
15
10
5
0
25
10
1
DC
10
0
※
注意事项：
1. T
C
= 25 C
o
2. T
J
= 175 C
3.单脉冲
o
10
-1
10
0
10
1
10
50
75
100
125
150
175
-V
DS
，漏源电压[V]
T
C
，外壳温度[
℃
]
图9.最高安全工作区
图10.最大漏极电流
与外壳温度
10
0
D = 0 .5
Z
θ
JC
（T ） ，热响应
0 .2
10
-1
0 .1
0 .0 5
0 .0 2
0 .0 1
单摹LE P ü LS ê
※
OTE S：
1. Z
θ
J·C
(t) = 0 .97
℃
/ W M A X 。
2。D ü TY F A CTO R，D = T
1
/t
2
3. T
JM
- T
C
= P
DM
* Z
θ
JC
(t)
P
DM
t
1
t
2
10
-2
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
t
1
， S Q U A再W上的V é P ü LSE ü RA TIO N [ SE C]
图11.瞬态热响应曲线
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