FQB25N33TM_F085 330V N沟道MOSFET
四月
2010
FQB25N33TM_F085
330V N沟道MOSFET
特点
25A ， 330V ，R
DS （ ON）
= 0.23 @V
GS
= 10V
低栅极电荷（典型值58nC ）
低的Crss （典型值40pF ）
快速开关
100 ％雪崩测试
改进dv / dt能力
符合AEC Q101
符合RoHS
tm
概述
这些N沟道增强型功率场效应
晶体管采用Farichild的专利，
平面条形， DMOS技术。
这种先进的技术已特别针对
最小的导通电阻，优越的开关
性能，并能承受高能量脉冲
雪崩和减刑模式。这些装置是公
适合于高效率的开关模式电源，
有源功率因数校正，电子镇流器
基于半桥拓扑。
绝对最大额定值
符号
V
DSS
漏源电压
I
D
I
DM
V
GSS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
P
D
漏电流
漏电流
参数
o
评级
330
25
16.0
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注1 ）
（注3）
100
±30
370
25
37
4.5
3.1
250
o
单位
V
A
A
A
V
mJ
A
mJ
V / ns的
W
W
W/
o
C
o
o
- 连续（T
C
= 25 C)
- 连续（T
C
= 100 C)
- 脉冲
栅 - 源电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
功率耗散（T
A
= 25 C) *
功率耗散（T
C
=
25
o
C)
- 减额以上
25
o
C
o
2.0
-55到+150
300
T
J
, T
英镑
工作和存储温度
T
L
最大无铅焊接温度的目的，
1/8的情况下，持续5秒
C
C
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
R
θJA
参数
热阻，结到外壳
热阻，结到环境*
热阻，结到环境
评级
0.5
40
62.5
单位
o
C / W
C / W
o
C / W
o
*当安装在推荐的最小焊盘尺寸（ PCB安装）
2010
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
FQB25N33TM_F085
REV 。一
1
www.fairchildsemi.com
FQB25N33TM_F085 330V N沟道MOSFET
包装标志和订购信息
器件标识
FQB25N33
设备
FQB25N33TM_F085
包
D2-PAK
带尺寸
330mm
胶带宽度
24mm
QUANTITY
800
电气特性
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
开关特性
B
VDSS
B
VDSS /
T
J
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
漏源击穿电压
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V
330
--
--
--
--
--
--
0.34
--
--
--
--
--
--
1
10
100
-100
V
V/
o
C
A
nA
nA
击穿电压温度COEF网络cient我
D
= 250μA ，参考25
o
C
零栅极电压漏极电流
门体漏电流，正向
门体漏电流，正向
V
DS
= 330V,V
GS
= 0V
V
DS
= 264V ，T
C
=125°C
V
GS
= 30V, V
DS
= 0V
V
GS
= -30V, V
DS
= 0V
参数
测试条件
民
典型值最大值单位
基本特征
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
栅极阈值电压
漏极至源极导通电阻
转发Transonductance
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 12.5A,
V
DS
= 50V ，我
D
= 12.5A ， （注4 ）
3.0
--
--
--
0.18
1
5.0
0.23
--
V
S
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V,
F = 1.0MHz的
--
--
--
1510
290
40
2010
385
60
pF
pF
pF
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ TOT ）
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
门源栅极电荷
栅漏电荷
V
DD
= 165V ，我
D
= 25A
R
GS
= 25
（注4,5）
V
DS
= 297V ，我
D
= 25A,
V
GS
= 15V,
（注4,5）
--
--
--
--
--
--
--
20
100
90
70
58
11.2
21
35
160
145
110
75
--
--
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
漏源二极管的特性和最大额定值
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
最大连续漏源二极管的正向电流
最大脉冲漏源二极管的正向电流
漏源二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
GS
= 0, I
S
= 25A
V
GS
= 0, I
S
= 25A,
dI
F
/ DT = 100A / μs的
（注4 ）
--
--
--
--
--
--
--
--
275
3.6
25
100
1.5
--
--
A
A
V
ns
C
注意事项：
1:
重复评价： PLUSE宽度有限的最高结温
2:
L = 1.79mH ，我
AS
= 25A ，V
DD
= 50V ，R
G
= 25Ω ，起始物为
J
= 25
o
C
3:
I
SD
≤
25A ， di / dt的
≤
200A / μs的，V
DD
≤
BV
DSS
，起始物为
J
= 25
o
C
4:
脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2%
5:
基本上是独立工作温度
FQB25N33TM_F085版本A
2
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FQB25N33TM_F085 330V N沟道MOSFET
典型性能特性
图1.区域特征
图2.传输特性
100
V
GS
15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.5 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
5.5 V
底部： 5.0 V
上图：
100
I
D
，漏电流[ A]
I
D
，漏电流[ A]
10
10
150 C
25 C
o
o
-55 C
o
1
1
*注意：
1. 250
s脉冲测试
o
2. T
C
= 25 C
*注意：
1. V
DS
= 50V
2. 250
s脉冲测试
0.1
0.1
1
10
2
4
6
8
10
V
DS
，漏源电压[V]
V
GS
，栅源电压[V]
图3.导通电阻变化对比
漏电流和栅极电压
图4.体二极管正向电压
变化与源电流
和Temperatue
0.45
0.40
0.35
0.30
0.25
0.20
0.15
*注：t
J
= 25 C
o
100
R
DS （ ON）
[
],
漏源导通电阻
I
DR
，反向漏电流[ A]
10
V
GS
= 10V
1
150 C
0.1
o
25 C
o
0.01
V
GS
= 15V
1E-3
*注意：
1. V
GS
= 0V
2. 250
s脉冲测试
0.10
0
10
20
30
40
50
60
1E-4
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
I
D
，漏电流[ A]
V
SD
，源极 - 漏极电压[ V]
图5.电容特性
图6.栅极电荷特性
12
4000
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
C
RSS
= C
gd
V
GS
，栅源电压[V]
C
国际空间站
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
=短路）
V
DS
= 66V
10
V
DS
= 165V
V
DS
= 264V
电容[ pF的]
电容（pF）
3000
8
2000
C
国际空间站
6
4
C
OSS
1000
C
RSS
*注;
1. V
GS
= 0 V
2. F = 1 MHz的
2
*注：我
D
= 25A
0
0
0.1
0
10
20
30
40
50
60
70
1
10
100
V
DS
，漏源电压[V]
Q
G
，总栅极电荷[ NC ]
FQB25N33TM_F085版本A
3
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FQB25N33TM_F085 330V N沟道MOSFET
典型性能特性
（续）
图7.击穿电压变化
与温度的关系
1.2
图8.导通电阻变化
与温度的关系
3.0
BV
DSS
（归一化）
漏源击穿电压
R
DS （ ON）
（归一化）
漏源导通电阻
2.5
1.1
2.0
1.0
1.5
1.0
0.9
*注意：
1. V
GS
= 0 V
2. I
D
= 250
A
0.5
*注意：
1. V
GS
= 10 V
2. I
D
= 12.5 A
0.8
-100
-50
0
50
100
o
150
200
0.0
-100
-50
0
50
100
o
150
200
T
J
，结温[C]
T
J
，结温[C]
图9.最高安全工作区
图10.最大漏极电流
与外壳温度
30
500
I
D
，漏电流[ A]
100
25
I
D
，漏电流（ A）
100
s
20
1ms
10
10ms
DC
15
1
在这一领域
由R有限公司
DS （ ON）
10
*注意：
o
1. T
C
= 25 C
2. T
J
= 150 C
3.单脉冲
o
5
0.1
1
10
100
1000
0
25
50
75
100
o
125
150
V
DS
，漏SourceVoltage [V ]
T
C
，外壳温度[C]
图11.瞬态热响应曲线
2
（T ） ，热响应
1
D = 0 .5
0 .2
0 .1
0 .1
0 .0 5
0 .0 2
0 .0 1
P
DM
t
1
t
2
M A X 。
(t)
θ
JC
Z
0 .0 1
S IN摹LE
P ü LS ê
* N释：
1 . Z
θ
JC
(t) =
3 . T
J·M
0 .5
=
P
0
C / W
* Z
0
2 。 ü TY F A C到R，D = T
1
/t
2
- T
C
D M
θ
J·C
1 E -3
1 0
-5
1 0
-4
1 0
-3
1 0
-2
1 0
-1
1 0
1 0
1
t
1
， S Q U A重
W上的V é
P ü LS ê
ü R A吨IO
[第权证]
FQB25N33TM_F085版本A
4
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FQB25N33TM_F085 330V N沟道MOSFET
栅极电荷测试电路波形&
电阻开关测试电路波形&
非钳位感应开关测试电路波形&
FQB25N33TM_F085版本A
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